进气装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括容器、进气管、导气管和浮子；容器内部盛装有能够蒸发形成气体的液体；进气管的流入端与气源连通、流出端伸入至容器内；导气管具有进气端和出气端，进气端与流出端连通，且进气端通过转动轴与进气管的流出端转动连接，出气端具有至少一个出气孔，出气端与浮子连接，浮子浮于液体的液面上，浮子能够随液体的液面的升降而升降，且浮子随液体的液面升降时，进气端相对于进气管绕转动轴转动，所有出气孔均位于液体的液面下方，且出气孔与液体的液面的距离保持不变。应用本实用新型专利技术可以确保经由同一热处理工艺每次制得的硅片形成的氧化膜的厚度均匀。成的氧化膜的厚度均匀。成的氧化膜的厚度均匀。

【技术实现步骤摘要】
进气装置及半导体工艺设备


[0001]本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种进气装置及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，采用立式炉对硅片进行热处理是一种普遍应用的方式。具体的，立式炉具有反应腔室，向反应腔室内通入氧气，硅片与氧气发生氧化反应而生成氧化膜。
[0003]为了促进氧化反应，相关技术的一种示例中，立式炉设有容器、进气管和出气管，容器内盛有液态二氯乙烯(C2H2Cl2)，出气管的一端与容器连通、另一端与反应腔室连通，进气管的流出端伸入至液态二氯乙烯中，并向进气管的流入端通入携带气体，携带气体不溶于液态二氯乙烯。这样，携带气体经进气管流入至液态二氯乙烯，之后在液态二氯乙烯中形成气泡，气泡上升至液面上方后携带二氯乙烯经出气管流入反应腔室，二氯乙烯能够有助于提升氧化反应的效果。
[0004]但是，采用这种方式，经由同一工艺制备得到的硅片形成的氧化膜的厚度存在较大的差异。

技术实现思路

[0005]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气装置及半导体工艺设备。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进气装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：容器、进气管、导气管和浮子；所述容器内部盛装有能够蒸发形成气体的液体；所述进气管的流入端与气源连通、流出端伸入至所述容器内；所述导气管具有进气端和出气端，所述进气端与所述流出端连通，且所述进气端通过转动轴与所述进气管的流出端转动连接，所述出气端具有至少一个出气孔，所述出气端与所述浮子连接，所述浮子浮于所述液体的液面上，所述浮子能够随所述液体的液面的升降而升降，且所述浮子随所述液体的液面升降时，所述进气端相对于所述进气管绕所述转动轴转动，所有所述出气孔均位于所述液体的液面下方，且所述出气孔与所述液体的液面的距离保持不变。2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气管的流出端伸入至所述液体中。3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气管的流出端具有倾斜段，所述倾斜段由所述导气管的进气端伸入至所述导气管内；所述倾斜段具有第一端和第二端，所述第一端位于所述第二端的上游，所述倾斜段的所述第一端至所述第二端的延伸方向与竖直向上的方向之间的夹角为锐角。4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙晋博，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：