本申请涉及半导体工艺设备的自动补液装置及其排空方法。本申请所公开的自动补液装置，通过增设第一吹扫气源、第二吹扫气源、第一吹扫管路、第二排气管路、第一阀门组件，并将之恰当地连接在自动补液装置中的合适位置，使得能够基于该装置完全排空进液管路...

本实用新型提供一种半导体设备的反应腔室，包括腔室侧壁、内衬以及内门结构，内衬上设置有内衬传输口，内衬传输口的底部向下贯通内衬；其特征在于，内门结构包括内门、内门支撑件、导向组件、升降驱动源和升降轴，其中，内门支撑件与腔室侧壁连接，且位于...

本申请公开一种清洗装置。所公开的清洗装置用于清洗晶圆夹持机构。所公开的清洗装置包括装置主体和调节件，装置主体设有进水口和与进水口连通的过水空间，调节件与装置主体相连，且调节件与装置主体形成水幕喷射缝隙，水幕喷射缝隙与过水空间连通；调节件...

本申请实施例提供了一种反应腔室及半导体设备，其中，所述反应腔室包括：反应腔室主体、支架和盖体；所述支架与所述反应腔室主体对接，所述盖体盖设于所述支架的远离所述反应腔室主体的一端；所述支架包括座体部和从所述座体部朝向所述盖体凸出的第一凸起...

本发明提供了一种漏率检测方法及半导体工艺设备，涉及漏率检测技术领域，该漏率检测方法包括：获取处于密闭状态下的反应腔室在预设时长内的压力数据集；其中，压力数据集为预设频率下采集到的压力值集合；对压力数据集进行滤波处理，得到压力滤波数据；对...

本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、用于产生等离子体的线圈、用于承载晶圆的基座和金属结构件，所述基座和所述金属结构件均设置于所述腔室本体内，所述金属结构件的至少部分与所述腔...

本申请公开一种半导体工艺设备的散热装置，用于对半导体工艺设备的加热模块进行调温，散热装置包括风机、第一通风支路、第二通风支路和调节阀；第一通风支路和第二通风支路并联在风机的入风口和风机的出风口之间；第一通风支路用于连接加热模块；第一通风...

本申请公开了一种半导体设备及其工艺腔室，该工艺腔室包括腔体和设置于腔体上方的进气装置，进气装置包括进气组件和匀流盖板，匀流盖板设置于进气组件的朝向腔体的一侧，进气组件具有进气通道，匀流盖板具有匀流结构，进气通道通过匀流结构与工艺腔室内部...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座和旋转组件，旋转组件用于承载传入腔体中的晶圆，且旋转组件能够带动晶圆旋转至晶圆表面的特征结构位于预设位置，基座用于在特征结构位于预设位置后，将晶圆抬升至工艺高度，以对晶圆进行半导体工艺。在...

本实用新型公开了一种半导体工艺设备的尾气处理装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，包括尾气进气管路、冷凝腔体、用于冷却冷凝腔体的冷却结构以及气液分离组件，尾气进气管路用于与半导体工艺设备的工艺腔室的排气口连接；冷凝腔体的一端与尾气排...

本实用新型公开了一种半导体加工设备的反应腔室，涉及半导体技术领域，包括：反应腔体，反应腔体的顶部设置有介质窗支撑板；介质窗，与介质窗支撑板转动密封连接；驱动组件，用于驱动介质窗转动并能够调节介质窗的转速；具有由驱动组件驱动旋转的介质窗，...

本发明提供一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，该包括：向预清洁腔室中通入还原气体，以通过与晶圆的待沉积表面上的氧化层发生还原反应，来去除氧化层；在第一沉积腔室中采用第一磁控溅射方法在晶圆的待沉积表面上沉积能够与晶圆互溶的第一金属层；其中，通...

本发明公开一种半导体腔室及半导体工艺设备，半导体腔室包括第一腔室本体、隔离阀门、控温组件、第一承载部和第二承载部；隔离阀门设置于第一腔室本体内，隔离阀门分隔第一腔室本体的内腔形成至少两个工艺腔，第一腔室本体开设有晶片传输口，晶片传输口与...

本发明提供一种晶边刻蚀设备，腔体内部包括晶圆承载区域和位于晶圆承载区域一侧的晶边刻蚀区域；等离子体产生装置设置于腔体的对应晶边刻蚀区域的外部，用于激发晶边刻蚀区域中的工艺气体形成等离子体；卡盘设置于晶圆承载区域中，且卡盘能够旋转，并能够...

本发明提供一种半导体工艺设备及其清洗方法，该设备包括工艺腔室、用于向工艺腔室内通入气体的进气装置、用于抽出工艺腔室内气体的抽气装置，以及用于激发工艺腔室内气体形成等离子体的上电极装置，其特征在于，进气装置包括喷嘴、设置在喷嘴中的多个进气...

本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括第一腔室(100)、第二腔室(200)和第三腔室(300)，其中，所述第一腔室(100)和所述第二腔室(200)对接且连通设置；第三腔室(300)环绕所述第二腔室(200)设置，且...

本发明提供一种气体混合装置，包括第一气管、第二气管、第三气管和混合结构，其中，第一气管和第二气管均与混合结构连通，用于分别向混合结构内输送第一气体和第二气体，第一气体和第二气体在混合结构内相互碰撞进行一次混合；混合结构用于使进行一次混合...

本发明公开一种半导体加工设备的调压装置和半导体加工设备，涉及半导体加工设备技术领域。该调压装置包括调节板和驱动组件。半导体加工设备包括工艺腔室和排气口，排气口设置于工艺腔室上。调节板可移动地设置于工艺腔室中，用于遮挡排气口；驱动组件与调...

本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成有若干分立的核心层；在核心层之间露出的待刻蚀材料层上以及核心层顶部和侧壁上形成掩膜层；在掩膜层上形成保护层；对所述保护层和部分所述掩膜层进行各向异性刻蚀，直...

本发明公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，工艺腔室上方设有进气通路；固定介质窗，设置于工艺腔室顶部，外缘与工艺腔室的腔室壁密封连接，固定介质窗上设有沿竖直方向贯穿固定介质窗并连通进气通路与工艺腔室内部的进气孔；射频线圈，设置于固定...