气体混合装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气体混合装置，包括第一气管、第二气管、第三气管和混合结构，其中，第一气管和第二气管均与混合结构连通，用于分别向混合结构内输送第一气体和第二气体，第一气体和第二气体在混合结构内相互碰撞进行一次混合；混合结构用于使进行一次混合后的第一气体和第二气体再次碰撞混合形成混合气体；第三气管与混合结构连通，并能够与半导体工艺设备的工艺腔室连通，用于向工艺腔室输送混合气体。本发明专利技术提供的气体混合装置，能够提高气体混和的均匀性，改善工艺效果，并减少装置的占用空间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
气体混合装置


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种气体混合装置。

技术介绍

[0002]在化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)外延工艺中，用量较少的掺杂气体(例如磷烷、锗烷等)需要先与稀释气体(例如氩气、氢气等)混合后再进入工艺腔室，这样一方面可以借助稀释气体携带其进入工艺腔室，另一方面还可以便于对掺杂气体的浓度进行控制。而若掺杂气体与稀释气体混合不均匀，则可能会导致进入工艺腔室内的掺杂气体的浓度不稳定，或掺杂气体在工艺腔室内的分布不均匀，从而导致外延工艺中掺杂气体浓度均匀性较差，最终导致外延工艺结果较差。
[0003]现有的一种混合掺杂气体与稀释气体的气体混合装置包括相互垂直且连通的掺杂气体管路、稀释气体管路和混合气体管路。在外延工艺中，掺杂气体和稀释气体在分别流经掺杂气体管路和稀释气体管路后，在掺杂气体管路和稀释气体管路的连通处相互碰撞形成混合气体进入混合气体管路，并在流经混合气体管路后进入工艺腔室。
[0004]但是，由于掺杂气体和稀释气体在进入混合气体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体混合装置，其特征在于，包括第一气管、第二气管、第三气管和混合结构，其中，所述第一气管和所述第二气管均与所述混合结构连通，用于分别向所述混合结构内输送第一气体和第二气体，所述第一气体和所述第二气体在所述混合结构内相互碰撞进行一次混合；所述混合结构用于使进行一次混合后的所述第一气体和所述第二气体再次碰撞混合形成混合气体；所述第三气管与所述混合结构连通，并能够与半导体工艺设备的工艺腔室连通，用于向所述工艺腔室输送所述混合气体。2.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述混合结构包括混合腔体和混合组件，所述第一气管和所述第二气管均与所述混合腔体连通，用于分别向所述混合腔体内输送所述第一气体和所述第二气体，所述第一气体和所述第二气体在所述混合腔体内相互碰撞进行一次混合；所述混合组件设置在所述混合腔体内，用于使进行一次混合后的所述第一气体和所述第二气体再次碰撞混合形成所述混合气体；所述第三气管与所述混合腔体连通，并能够与所述工艺腔室连通，用于向所述工艺腔室输送所述混合气体。3.根据权利要求2所述的气体混合装置，其特征在于，所述混合组件包括分隔部件和混合部件，其中，所述分隔部件设置在所述混合腔体内，用于将所述混合腔体的内部空腔分隔为第一混合腔和第二混合腔，所述第一气管和所述第二气管均与所述第一混合腔连通，用于分别向所述第一混合腔内输送所述第一气体和所述第二气体，所述第一气体和所述第二气体在所述第一混合腔内相互碰撞进行一次混合；所述分隔部件上设置有通气结构，所述混合部件设置在所述第二混合腔内，且与所述通气结构连通，以通过所述通气结构与所述第一混合腔连通，用于对进行一次混合后的所述第一气体和所述第二气体再次碰撞混合形成所述混合气体，且向所述第二混合腔输送所述混合气体；所述第三气管与所述第二混合腔连通，并能够与所述工艺腔室连通，用于向所述工艺腔室输送所述混合气体。4.根据权利要求3所述的气体混合装置，其特征在于，所述分隔部件包括分隔板，所述分隔板与所述混合腔体的内壁连接，且所述分隔板的径向长度与所述混合腔体的内部空腔的径向长度相等，以将所述混合腔体的内部空腔分隔为第一混合腔和第二混合腔，所述分隔板上开设有作为所述通气结构的通气口。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐柯柯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：