本发明公开了一种刻蚀方法及半导体器件的制备方法，刻蚀方法包括：在SiC衬底的表面上沉积第一阻挡层；利用第一刻蚀气体对第一阻挡层进行刻蚀以形成多个第一开口，并在SiC衬底上形成保护层，保护层用于防止SiC衬底被刻蚀，第一刻蚀气体包括碳氟类...

本发明实施例提供了一种晶片调度方法和一种电子设备。所述晶片调度方法包括当仿真调度序列运行至测试片调度时间点时，确定目标待加工晶片，所述仿真调度序列用于调度所述待加工晶片；将所述仿真调度序列回滚至所述目标待加工晶片对应的目标待加工晶片调度...

本发明提供一种掩膜图形制备方法，该掩膜图形应用于3DNAND器件制备方法中的沟道刻蚀工艺，包括：提供第一掩膜层，第一掩膜层上设置有具有预定图形的第二掩膜层；主刻蚀步骤，用于对第一掩膜层进行刻蚀；辅助刻蚀步骤，用于去除副产物以及在刻蚀过程...

本发明实施例提供了一种清洗设备包括：清洗槽、管路和控制器；管路包括汇聚管路、第一排液管路和第二排液管路；汇聚管路设有第一阀门；第一排液管路设有第二阀门；第二排液管路设有第三阀门；控制器用于当注入第一液体时，控制第二阀门打开，第三阀门关闭...

本申请公开了一种运行环境数据采集方法、装置、电子设备及存储介质，用于半导体设备的下位机，所述下位机中设置有下位机控制程序，所述方法包括：通过预设进程采集与所述下位机控制程序运行相关的运行环境数据，并将所述运行环境数据以文件存储的方式存储...

本申请实施例提供了一种感应线圈组件驱动系统及其控制方法，其中，所述感应线圈组件驱动系统包括：旋转驱动器；升降组件，旋转驱动器通过升降组件与感应线圈组件驱动连接，以驱动感应线圈组件升降；控制器，用于基于在预设时长内，感应线圈组件的目标升降...

本发明提供一种形成沟槽隔离结构的方法和半导体处理腔室，该方法包括提供一具有沟槽结构的衬底；在衬底的沟槽结构上沉积隔离层；对隔离层执行各向同性刻蚀步骤，各向同性刻蚀步骤用于与隔离层反应生成附着在沟槽结构内的固态副产物，且沟槽结构上部生成的...

本申请公开了一种半导体设备及其基座调节机构，属于半导体工艺技术。该半导体设备的基座调节机构包括机构座体、第一活动元件、第二活动元件、转接座体、第一方向调节组件、第二方向调节组件及锁紧组件，第一活动元件与机构座体的第二固定元件之间设置有限...

本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备，其中加热装置包括：反射屏，所述反射屏设置在所述工艺腔室的上方，所述反射屏具有保温性；加热元件，安装在所述反射屏靠近所述工艺腔室的一侧；旋转机构，所述旋转机构与所述反射屏连接，且所...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其门阀机构。该门阀机构设置于传输腔及工艺腔室之间，用于选择性连通或关断传输腔及工艺腔室，以供机械手传输晶圆，其包括：门阀组件、吹扫结构及排气结构；门阀组件包括有固定块及门板，固定块具有传片通道，门板...

本申请公开一种目标气体含量控制方法和半导体工艺设备，其中目标气体含量控制方法用于控制半导体工艺设备装卸载腔室中目标气体的含量，包括：获取所述装卸载腔室内所述目标气体的目标含量和当前含量之间的含量差值；将所述装卸载腔室的压力值和所述含量差...

本发明公开一种等离子体发生装置及半导体工艺设备，所述等离子体发生装置，用于半导体工艺设备中，设置于介质窗远离工艺腔室的一侧，所述等离子体发生装置包括：第一电极组件，位于所述介质窗背离所述工艺腔室的一侧，所述第一电极组件包括：线圈电极，所...

本发明提供一种晶圆表面处理方法，其包括：向反应腔室中分别通入反应气体和催化气体，并对所述反应气体和所述催化气体中的至少一者的分压和温度进行调控，以使刻蚀反应以指定密度发生在晶圆的待处理表面处；对所述晶圆进行热处理，以使刻蚀反应生成的固态...

本申请公开了一种半导体工艺控制方法及装置，该方法包括：响应于上位机设备发送的针对半导体工艺的工艺运行命令以及分配的第一功率资源，控制下位机设备对应的当前工艺设备执行半导体工艺；确定当前工艺设备在执行半导体工艺过程中的实时输出功率，若实时...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备及其晶圆翻转装置。在该晶圆翻转装置中，翻转机构与翻转支座连接，第一夹持机构及第二夹持机构对称的设置于翻转支座的两端，翻转机构用于驱动翻转支座翻转，第一夹持机构及第二夹持机构均用于选择性夹持或释放晶圆；...

本发明提供一种用于氮化钛膜层沉积的工艺腔室及氮化钛膜层沉积方法，靶材设于工艺腔体的顶部开口上并包含钛元素；承载组件可升降的设于工艺腔体内；附属腔体连通工艺腔体；遮挡部件可分离的设于传输机构上；传输机构选择性的将晶圆或遮挡部件中的一者置于...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其晶圆对齐装置。该晶圆对齐装置设置于半导体工艺设备中预设的片盒暂存台上，其包括：旋转机构及夹持机构；旋转机构设置于片盒暂存台上，夹持机构与旋转机构连接，用于夹持片盒；旋转机构用于带动夹持机构同步旋转...

本发明提供一种半导体清洗设备中的晶圆卡盘，包括卡盘基体，卡盘基体顶部的中央区域形成有安装槽，其中设置有用于喷射气体的喷气组件，卡盘基体上还形成有周向分布的多个轴孔，其中对应设置有多个晶圆升降轴，其顶端设置有绕其轴线设置的弧状斜台，弧状斜...

本发明一个或多个实施例公开了一种晶圆清洗设备，用以解决现有的晶圆清洗设备的安全性较低的问题。包括工艺槽组件、自保护装置和第一安全控制组件；工艺槽组件包括槽体、设置于槽体内的加热器、加热控制器件以及控制系统；加热控制器件在接收到控制系统发...

本申请公开一种磁控溅射设备，其包括：工艺腔室；靶材，设置于所述工艺腔室的顶部；承载基座，用于承载晶圆，所述承载基座设置于所述工艺腔室内，沿所述工艺腔室的高度方向，所述承载基座相对设置于所述靶材的下方；导向装置，设置于所述靶材与所述承载基...