【技术实现步骤摘要】
等离子体发生装置及半导体工艺设备
[0001]本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种等离子体发生装置及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]随着半导体元器件制造工艺的迅速发展，对元器件性能与集成度要求越来越高，使得等离子体技术得到了极广泛的应用。在利用等离子体进行刻蚀或沉积的系统中，工艺腔室内等离子体的分布对刻蚀结果的均匀性有较大的影响。
[0003]等离子体发生装置通过射频电源输出射频功率，再通过匹配器连接至线圈电极，射频功率通过线圈电极的感应耦合作用，经介质窗在工艺腔室内产生等离子体。为了控制等离子体在工艺腔室内的分布，需要控制线圈电极中的电流大小，从而控制线圈电极的功率分布，最终可以控制工艺腔室内的等离子体的分布，以实现刻蚀的均匀性。然而，调节线圈电极的输入端输入的电流大小来调节线圈电极中流过的电流的大小，这种调节电流的方式相对复杂，同时也会存在调节不稳定而造成刻蚀均匀性差的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种等离子体发生装置及半导体工艺设备，通过对线圈电极沿轴向的伸缩调节...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生装置，用于半导体工艺设备中，设置于介质窗远离工艺腔室的一侧，其特征在于，所述等离子体发生装置包括：第一电极组件，位于所述介质窗背离所述工艺腔室的一侧，所述第一电极组件包括：线圈电极，所述线圈电极呈螺旋状，所述线圈电极包括在轴向上相对的第一端部和第二端部，所述第一端部用于通过匹配器与射频电源连接，所述第二端部用于与所述介质窗固定连接；以及位移组件，所述位移组件的驱动端与所述第一端部驱动连接，用于驱动所述线圈电极沿轴向伸缩。2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述线圈电极的数量为至少两个，各个所述线圈电极的直径彼此不同并同轴设置。3.根据权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述位移组件的数量为至少两个，所述位移组件和所述线圈电极一一对应设置。4.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述第一电极组件还包括：壳体和屏蔽板，所述壳体用于罩设于所述介质窗上，所述屏蔽板设置于所述壳体内，且与所述介质窗相互间隔，所述线圈电极位于所述屏蔽板朝向所述介质窗的一侧。5.根据权利要求4所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述位移组件包括：线圈支架，所述线圈支架连接所述第一端部；以及驱动装置，安装于所述屏蔽板，所述驱动装置形成有所述驱动端，所述驱动端连接所述线圈支架，使得所述线圈支架能够在所述线圈电极的轴向上运动。6.根据权利要求5所述的等...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘春明，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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