本发明公开了一种提高碳化硅粉料合成效率的方法，包括：提供掺杂粉料、碳粉和硅粉，掺杂粉料为不污染碳化硅粉料的材料，且掺杂粉料的热导率大于碳粉的热导率；将碳粉、硅粉以及掺杂粉料按照预设的混料方式及预设的装填方式装入坩埚内，掺杂粉料用于降低坩...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其机械臂。机械臂包括：支撑座、丝杠机构、滑轨机构及机械手臂机构；支撑座用于滑动设置于移动导轨上；丝杠机构包括丝杠及移动结构，丝杠可转动的设置于支撑座上，移动结构设置于丝杠上，并且能在丝杠自旋转时沿丝...

本申请公开了一种真空机械手及半导体工艺设备，涉及半导体设备领域。一种真空机械手包括吸附端，所述吸附端用于吸附晶圆；第一气路，所述第一气路中设有文丘里管；第二气路，所述第二气路连接于所述文丘里管与所述吸附端之间，所述第二气路设有第一阀体，...

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备。该半导体热处理设备包括：加热腔室、工艺管、连接套筒及控温组件；加热腔室内形成有加热空间，加热腔室的底壁上设有与加热空间连通的安装口；工艺管顶部经由安装口伸入加热空间内，工艺管的底端具有连接口，并且...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺腔室包括腔体、内衬和下电极结构，内衬和下电极结构设于腔体内；下电极结构包括基座、接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件；基座通过悬臂与腔体连接；接口件和承载件...

本发明公开了一种物理气相沉积制备金属薄膜的方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的基底放入反应腔室的基座上；步骤2：向反应腔室内通入包括氮气和氪气的第一混合气体，对靶材施加直流功率，使第一混合气体形成等离子体并轰击靶材，以在基底上形成金属氮化...

本发明公开一种半导体预清洗腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体预清洗腔室用于半导体工艺设备中，去除晶圆表面的杂质，半导体预清洗腔室包括腔室本体、等离子体发生装置和承载座；腔室本体的内部形成有反应腔，等离子体发生装置用以将反应腔内通入的反...

本发明提供一种半导体工艺设备的排气装置及半导体工艺设备，排气装置包括排气管、流量调节阀、抽气管、压力调节机构和抽气部件，其中，排气管的两端分别与流量调节阀的进气口和半导体工艺设备的工艺腔室连通，抽气管的两端分别与流量调节阀的出气口和抽气...

本发明实施例提供了一种腔室漏率检测方法和一种集簇式半导体工艺设备，该集簇式半导体工艺设备包括传输平台和位于所述传输平台周围的腔室，所述腔室通过阀门与所述传输平台连接，各个腔室之间相互独立，所述方法包括：从所述传输平台和所述腔室中确定一个...

本发明公开一种晶片的传输装置及半导体工艺设备，传输装置包括上下料组件(100)、储存组件(200)、运载机构(400)和第一机械手(500)；储存组件(200)具有多个储存位(210)，且至少两个储存位(210)成一组，储存位(210)...

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括腔室本体、旋转升降组件和设置在腔室本体内的承载部件和加热组件，承载部件用于承载晶圆，加热组件位于承载部件下方，用于通过加热承载部件，以加热承载部件上的晶圆，旋转升降组件包括...

本申请公开一种半导体工艺设备及其控制方法，能够有利于晶圆处理过程中的节能环保，以及提高晶圆的生产加工良率。本申请提供的半导体工艺设备包括：反应腔室；静电卡盘，设置于所述反应腔室内，且所述静电卡盘包括：晶圆放置层，包括晶圆放置面；温控层，...

本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室，包括：腔室主体；基座，所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内，所述基座用于承载晶片；诱导磁组，所述诱导磁组设置于所述基座外侧，且所述诱导磁组与所述基座同步旋转...

本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法，其中硅花结构的制造方法包括：将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上；在预设工艺条件下，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体含有碳和氟元素；使所述刻蚀气体电离形...

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括：承载装置包括基座及环绕基座设置的沉积环；屏蔽组件包括一体成型的屏蔽套筒和压环部，屏蔽套筒的顶部与腔室本体固定连接，用于与腔室本体形成接地回路，压环部环绕沉积环设置，且用于与沉积...

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括：工艺腔室；基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；加热装置，设置于所述工艺腔室内，所...

本发明提供一种磁控溅射磁发生装置及半导体工艺设备，磁控溅射磁发生装置用于设置于半导体工艺设备中的靶材上方，磁控溅射磁发生装置的第一旋转件围绕靶材的轴线旋转，第二旋转件可转动的设置于第一旋转件的一端，且第二旋转件的一端设置磁发生部件，限位...

本发明公开了一种金属栅极的制备方法，包括：在硅衬底上形成具有垂直侧壁的垂直伪栅；形成第一介质层，第一介质层覆盖垂直伪栅的侧壁并形成侧墙；形成第二介质层，第二介质层包围侧墙并覆盖侧墙周围暴露的硅衬底表面；在第二介质层和垂直伪栅上形成具有第...

本发明实施例提供了一种射频电源信号采集电路和一种半导体工艺设备，包括：定向耦合器用于接收射频电源输出的电压，耦合出入射电压波信号和反射电压波信号；电压测量模块与定向耦合器连接，用于将入射电压波信号和反射电压波信号相加，生成传输线电压和值...

本发明实施例提供了一种工艺步骤终点检测方法和半导体工艺设备，该方法包括：在执行工艺步骤的过程中，获取针对所述工艺步骤的已执行工艺时间和期望工艺时间；根据所述期望工艺时间和所述已执行工艺时间，计算所述工艺步骤的延时终检时间；根据所述延时终...