本发明提供一种传输腔室，应用于半导体工艺设备，该传输腔室包括传输腔体、晶圆传输机构、驱动部件和转接环，传输腔体的底壁上形成有安装槽和由安装槽的底面贯穿至传输腔体内部的安装通孔，驱动部件设于安装通孔中并与传输腔体中的晶圆传输机构连接，转接...

本发明涉及一种半导体工艺腔室及点火方法，半导体工艺腔室不仅包括用于产生等离子体的工艺腔，还包括主点火装置、辅助点火装置和监测装置。本发明采用辅助点火装置可以使等离子体腔室内的等离子体点火更稳定、可靠，大幅减小或消除因为等离子体点火失败而...

本发明提供一种阻变存储器的制造方法，包括：形成叠层结构；在该叠层结构上形成具有预定图案的掩膜层；采用第一等离子体刻蚀方法对上电极层进行刻蚀；第一等离子体刻蚀方法采用的第一工艺气体包括主刻蚀气体和能够在刻蚀形成的上电极侧壁上形成副产物的保...

本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构中，每个线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个线圈组的结构相同，且相互并联；M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个平面线圈...

本申请公开了一种支撑装置、干燥装置及清洗机，支撑装置用于支撑晶圆，包括至少两个相对设置的支撑组件，支撑组件包括位于顶部的多个限位齿，限位齿沿支撑组件的长度方向排列，相邻两个限位齿之间形成齿槽；支撑组件中的至少一个还包括设置于齿槽旁侧并采...

本发明公开了一种半导体热处理设备，涉及半导体技术领域，包括加热器，加热器包括螺旋筒状的加热丝和至少一个分隔支撑组件，每个分隔支撑组件包括沿加热丝所形成的螺旋筒状结构的轴线方向层叠设置的多个分隔支撑块，相邻分隔支撑块通过插接槽和插接块进行...

本申请公开了一种半导体设备及其控制方法，属于半导体工艺控制技术。其控制方法包括以下步骤：根据当前工艺任务内编辑的物料信息进行调度计算，生成相应的调度指令，以依次执行Load FOUP操作、Charge操作、Process操作以及Disc...

本申请公开一种载台系统和外延工艺设备，载台系统可安装于外延工艺设备的机架，载台系统中，外支撑台环绕设置于载台之外，载台用以承载籽晶；第一升降组件包括第一驱动件和第一基座，外支撑台安装于第一基座，第一基座通过第一驱动件安装于机架，第一驱动...

本实用新型公开一种半导体工艺设备及其副产物收集装置，其中，冷凝腔室(100)设有副产物排放孔(110)，副产物收集容器(200)通过副产物排放孔(110)与冷凝腔室(100)连通，螺旋输送件(400)至少部分设于冷凝腔室(100)内，且...

本申请公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，所公开的晶圆承载装置包括基座和多个晶圆支撑凸起，所述基座包括中心区域和围绕所述中心区域的第一环形区域，多个所述晶圆支撑凸起沿所述第一环形区域的圆周方向间隔分布在所述第一环形区域内，相邻的两个所...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、承载盘和连接柱，承载盘设置在腔体中用于承载晶圆，连接柱的顶端与承载盘的底部连接，连接柱的底端用于与下射频电源连接，以向承载盘提供射频信号，半导体工艺腔室还包括阻抗回路，阻抗回路的第一端与连接柱...

本实用新型公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔体、气体取样管道、第一气液分离装置、液体收集容器和氧含量分析仪，其中：所述第一气液分离装置设有第一入口和与所述第一入口连通的第一出口，所述气体取样管道的第一端部与所述工艺腔体连通，所述气体取样...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备的进气组件盖设于介质套筒的顶端，用于将工艺气体输送至介质套筒内；介质套筒的底端连接于工艺腔室的顶板且与工艺腔室连通；法拉第筒套设于介质套筒的外周，法拉第筒的内周壁与介质套筒的外周壁之...

本实用新型提供一种半导体腔室，包括腔体和用于传输承载部件的传输装置，传输装置包括多个平行间隔设置的传输组件，每个传输组件均包括驱动件、第一传动轴、第二传动轴和装配件，每个传输组件的驱动件和装配件分别固定设于腔体相对两侧的外部，第一传动轴...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、承载盘、磁悬浮定子和磁悬浮转子，承载盘与磁悬浮转子固定连接且设置在腔体中，磁悬浮定子位于腔体外部，包括两个沿竖直方向间隔设置的环形导磁板和电磁线圈，环形导磁板环绕在磁悬浮转子的外侧，环形导磁板...

本实用新型公开了一种半导体设备的反应腔室，涉及半导体技术领域，包括：腔室本体、隔离部件和承载装置，隔离部件环绕设置在腔室本体的侧壁内侧且隔离部件的顶端设置于腔室本体的侧壁的顶部，隔离部件的底端形成有沿径向向内延伸的底壁，底壁环绕设置在承...

本发明实施例提供了一种匹配器电机控制方法和一种半导体工艺设备，所述方法包括：获取射频匹配器电机在预设加速度下，由起始旋转速度加速至峰值旋转速度之间的加速步数；依据所述加速步数控制所述射频匹配器电机运行至目标速度，其中所述目标速度小于或等...

本申请公开一种卡盘装置及监测晶圆状态的方法，该卡盘装置包括卡盘基体、驱动盘、弹性件、位置检测件和多个夹持件；所述驱动盘与所述卡盘基体可转动地相叠置；所述多个夹持件设置于所述卡盘基体，且沿所述驱动盘的周向间隔排布，所述夹持件与所述驱动盘相...

本申请公开一种拆装机构，其包括底座、升降组件、安装架、定位组件、第一检测组件和第二检测组件，底座能够置于半导体工艺腔室的内部底壁上，安装架通过升降组件安装于底座，升降组件用于驱动安装架相对底座作直线升降运动；定位组件安装于安装架，定位组...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其承载装置，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的承载装置包括：承载盘，表面具有第一容置空间，以用于承载第一尺寸的晶圆；空间限位环，与承载盘进行可拆卸连接，用于对第一容置空间进行限位形成第二容置空间，第二...