半导体工艺设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔体、气体取样管道、第一气液分离装置、液体收集容器和氧含量分析仪，其中：所述第一气液分离装置设有第一入口和与所述第一入口连通的第一出口，所述气体取样管道的第一端部与所述工艺腔体连通，所述气体取样管道的第二端部与所述第一入口连通，所述液体收集容器和所述氧含量分析仪均与所述第一出口连通，所述氧含量分析仪位于所述第一出口的上方。上述方案可以解决相关技术中在检测工艺腔体内的氧含量时，工艺腔体内的副产物在检测管路和氧含量分析仪中冷却成液体容易对检测管路和氧含量分析仪造成堵塞的问题。分析仪造成堵塞的问题。分析仪造成堵塞的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本技术涉及半导体工艺设备
，尤其涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]随着芯片制造工艺的不断提升，封装厂也在逐步迈进先进封装领域，这就对现有封装厂在机台自动化、颗粒控制、温度精度控制、腔室氧含量控制等方面提出了更高的要求。
[0003]在相关的半导体工艺设备中，半导体工艺设备在进行工艺前需要对工艺腔室内进行吹扫，以保证工艺腔室内的氧含量在进行相关工艺时氧含量达标。在相关技术中，在工艺腔室的底部通过一个检测管路与氧含量分析仪连接以检测工艺腔室内的氧含量。然而，在进行一些工艺时，工艺腔室会存在一些气态副产物，例如PI胶在固化时挥发的一种由γ
‑
丁内脂，N2及水蒸气等混合气体组成的副产物，这些副产物会进入检测管路和氧含量分析仪并凝结成液体，从而容易导致对检测管路和氧含量分析仪造成堵塞和破坏。

技术实现思路

[0004]本技术公开一种半导体工艺设备，以解决相关技术中在检测工艺腔体内的氧含量时，工艺腔体的副产物在检测管路和氧含量分析仪中冷却成液体容易对检测管路和氧含量分析仪造成堵塞的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术是这样实现的：
[0006]本申请公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔体、气体取样管道、第一气液分离装置、液体收集容器和氧含量分析仪，其中：
[0007]所述第一气液分离装置设有第一入口和与所述第一入口连通的第一出口，所述气体取样管道的第一端部与所述工艺腔体连通，所述气体取样管道的第二端部与所述第一入口连通，所述液体收集容器和所述氧含量分析仪均与所述第一出口连通，所述氧含量分析仪位于所述第一出口的上方。
[0008]本技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0009]本申请实施例公开的半导体工艺设备通过在工艺腔体与氧含量分析仪之间的通路上设置第一气液分离装置，使得从工艺腔体出来的气体先进入第一气液分离装置进行气液分离后，从第一气液分离装置出来的气体进入氧含量分析仪进行氧含量检测，从第一气液分离装置出来的液体进入液体收集容器，从而使得从工艺腔室出来的气体在到达氧含量分析仪之前进行气液分离处理，并将液体收集到液体收集容器内，从而缓解了气体冷凝形成的液体进入氧含量分析仪而堵塞氧含量分析仪，也缓解了气体冷凝形成的液体对管路的堵塞。
附图说明
[0010]图1为本技术实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0011]图2为图1的局部放大图；
[0012]图3为阻尼片在第一视角下的结构示意图；
[0013]图4为阻尼片在第二视角下的结构示意图。
[0014]附图标记说明：
[0015]100
‑
工艺腔体、
[0016]200
‑
气体取样管道、
[0017]300
‑
第一气液分离装置、
[0018]400
‑
液体收集容器、
[0019]500
‑
氧含量分析仪、
[0020]600
‑
第二气液分离装置、610
‑
壳体、611
‑
壳体内腔、612
‑
冷却水注入口、620
‑
阻尼片、630
‑
第二入口、
[0021]700
‑
温度传感器、
[0022]800
‑
冷却水输入控制器、
[0023]900
‑
过滤装置、910
‑
第一过滤器、920
‑
第二过滤器、930
‑
三通连接件。
具体实施方式
[0024]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
[0026]请参考图1至图4，本技术实施例公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备可以是PI胶固化设备。PI胶固化设备在进行固化工艺的过程中会挥发一种γ
‑
丁内脂、N2及水蒸气等混合气体组成的副产物，在高温下（205℃以上）时为气态，常温下（200℃开始转化、180℃左右可完全转换成油状液态）会转变成一种粘性的油状液体。当然，半导体工艺设备还可以是进行其他工艺的设备，这里对半导体工艺设备不做具体的限制。
[0027]所公开的半导体工艺设备包括工艺腔体100、气体取样管道200、第一气液分离装置300、液体收集容器400和氧含量分析仪500。
[0028]工艺腔体100是半导体工艺设备进行工艺的场所，在进行一些工艺时，需要对工艺腔体100内的氧含量进行检测，以保证工艺腔体100内部的氧含量满足工艺的要求。气体取样管道200用于将工艺腔体100内的气体传输至第一气液分离装置300。
[0029]第一气液分离装置300是用于将气体与液体分离的装置。第一气液分离装置300可以是具有冷却功能的装置，在气体通过第一气液分离装置300时先进行冷却，然后将气体和液体分离开。例如，在本申请需要检测工艺腔体100内氧含量的情况时，工艺腔体100内的气体（气体通常为高温）在通过第一气液分离装置300时，将一些工艺过程中产生的气态副产物冷却成液态，而对氧含量不产生影响。
[0030]第一气液分离装置300设有第一入口和与第一入口连通的第一出口。气体取样管道200的第一端部与工艺腔体100连通，工艺腔体100内的气体可以从气体取样管道200的第
一端部进入气体取样管道200。气体取样管道200的第二端部与第一入口连通，进入气体取样管道200内的气体可以经过气体取样管道200的第二端部和第一气液分离装置300的第一入口进入第一气液分离装置300。液体收集容器400和氧含量分析仪500均与第一出口连通，氧含量分析仪500位于第一出口的上方，经过第一气液分离装置300对气体和液体分离后，从第一气液分离装置300的第一出口出来的气体进入氧含量分析仪500，以对氧含量进行检测。经过第一气液分离装置300对气体和液体分离后，从第一气液分离装置300的第一出口出来的液体进入液体收集容器400，以对液体进行收集。
[0031]本申请实施例公开的半导体工艺设备通过在工艺腔体100与氧含量分析仪500之间的通路上设置第一气液分离装置300，使得从工艺腔体100出来的气体先进入第一气液分离装置300进行气液分离后，从第一气液分离装置300出来的气体进入氧含量分析仪500进行氧含量检测，从第一气液分离装置300出来的液体进入液体收集容器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔体（100）、气体取样管道（200）、第一气液分离装置（300）、液体收集容器（400）和氧含量分析仪（500），其中：所述第一气液分离装置（300）设有第一入口和与所述第一入口连通的第一出口，所述气体取样管道（200）的第一端部与所述工艺腔体（100）连通，所述气体取样管道（200）的第二端部与所述第一入口连通，所述液体收集容器（400）和所述氧含量分析仪（500）均与所述第一出口连通，所述氧含量分析仪（500）位于所述第一出口的上方。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述气体取样管道（200）的第一端部连接于所述工艺腔体（100）的顶部。3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括第二气液分离装置（600），所述第二气液分离装置（600）设有第二入口（630）和与所述第二入口（630）连通的第二出口，所述第二入口（630）与所述第一出口连通，所述第二出口与所述氧含量分析仪（500）连通，所述氧含量分析仪（500）位于所述第二出口的上方。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二气液分离装置（600）包括壳体（610）和设于所述壳体（610）内的阻尼片（620），所述阻尼片（620）用于冷却进入所述壳体（610）内的气体，所述壳体（610）设有所述第二入口（630）和所述第二出口。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述阻尼片（620）为多个，多个所述阻尼片（620）均为折弯片，多个所述阻尼片（6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岑，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：