本发明公开一种半导体工艺炉，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺炉包括包括炉体、炉门组件、第一进气组件和排气管，其中，炉体竖直设置，炉体具有工艺腔，炉体的底部具有开口，开口与工艺腔连通；炉门组件设置于炉体的底部，且炉门组件用于封盖开口，...

本申请实施例提供了一种承载装置及其调节方法，所述承载装置用于半导体工艺设备，所述承载装置包括：基座、承载件和直线驱动组件；所述承载件用于承载晶圆，所述承载件的数量为多个，多个所述承载件沿预设方向层叠设置，相邻的所述承载件相间隔，所述直线...

本申请公开了一种晶圆的电弧抑制方法及半导体设备，在主工艺阶段的下射频电源开启之前和/或在主工艺阶段的下射频电源关闭之后，向反应腔室内通入非工艺气体；按照预设的开启时间设定策略，开启下射频电源，以使下射频电源将反应腔室内的非工艺气体激发形...

本申请公开一种刻蚀方法，用以刻蚀被刻蚀件，所述刻蚀方法包括：将所述被刻蚀件传入工艺腔室；将工艺气体和稀释气体通入所述工艺腔室，其中，所述工艺气体包括含有氟元素的第一气体，以及含有氢元素的第二气体，通入的所述工艺气体中氢原子和氟原子的比例...

本申请公开一种反应腔室和晶圆对准方法，反应腔室包括承载机构、驱动机构、光路检测组件、腔体和控制组件，承载机构具有用于承载晶圆的承载面，承载机构通过驱动机构活动安装于腔体；光路检测组件包括光发射器和光接收器，光接收器用于探测光发射器发射出...

本发明涉及半导体制造领域，提供一种液体参数测量装置和方法、半导体清洗设备，该装置用于检测清洗槽中的液体参数，且包括第一液位传感器、第二液位传感器和处理模块，其中，第一液位传感器的第一探头端位于清洗槽的底部，用于检测第一探头端与液体的液面...

本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设有用于承载晶圆的卡盘和晶圆升降机构，所述晶圆升降机构可沿竖直方向移动，所述晶圆升降机构包括升降环和至少两个晶圆支撑架，所述至少两个晶圆支...

本发明提供一种磁控管装置及磁控溅射设备，该包括旋转轴、旋转横梁、磁控管组件和两个限位组件，其中，旋转轴能够围绕自身的第一轴线沿第一方向或者与之相反的第二方向旋转；旋转轴与旋转横梁可围绕第二轴线相对旋转的连接；磁控管组件与旋转横梁连接；两...

本发明公开了一种环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法，方法包括：提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；对待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保...

本申请公开了一种上电极组件及半导体处理设备，上电极组件应用于工艺腔室，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖板，上电极组件包括：支架设置于腔室盖板的顶面；连接筒贯穿腔室盖板并通过波纹管与腔室盖板连接；匀气盘设置在腔室本体内部且与连接筒连接；调平结...

本发明提供一种反应腔室，其包括腔体和设置在腔体中的基座，该基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部；沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，以及沿沉积环的轴向延伸的延伸部；延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环进行冷却；温控组...

本发明提供一种电气控制器保护装置，通过环境监测机构检测电气柜外部的环境影响参数。当环境影响参数满足预设条件时，防护机构移动至遮蔽位置对电气柜进行遮蔽，降低环境因素对电气柜内电气部件的影响；当环境影响参数不满足预设条件时，防护机构则处于非...

本申请公开了一种基于工艺路径的传输时间控制方法及半导体工艺设备，在按照工艺路径传输晶圆时，确定晶圆在所有前端站点的总用时时间，并确定终点站点的剩余工艺时间；根据剩余工艺时间与总用时时间的时间差值，确定下一个晶圆的开始传输时间；按照开始传...

本申请公开了一种半导体设备及其晶圆位置校准方法，属于半导体工艺技术。其半导体设备包括工艺腔室、校准工装以及自动传片装置，其中，工艺腔室，设置有升降基座与承接PIN针，升降基座的上表面凹设有中心凹坑；校准工装，校准工装的表面凸设有与中心凹...

本发明提供一种漏液检测装置及半导体清洗设备；其中，漏液检测装置设置在半导体清洗设备的外槽和内槽之间，其包括：液位传感器、外壳和供气组件；其中，液位传感器设置于外壳的内腔中；外壳上开设有分别与内腔和外槽连通的气液通道；气液通道用于在外槽内...

本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道、环绕环形进气通道...

本申请公开了一种密封装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种密封装置，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备具有通孔，液体管路经由通孔从电气腔室延伸至工艺腔室，且液体管路与通孔之间形成有间隙，密封装置设置于工艺腔室内，套设于液体管路...

本申请公开一种离子过滤器和半导体工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的离子过滤器用于半导体工艺腔室中且将所述半导体工艺腔室的内腔分隔为第一内腔和第二内腔，所述离子过滤器包括过滤器本体和磁性件，所述过滤器本体开设有连通所述第一内腔和所...

本发明提供一种半导体工艺设备的调试平台和设备的调试方法，用于对半导体工艺设备中的各机台的运行进行独立调试，调试平台包括网络模块、模拟模块和交互模块，其中，网络模块用于在交互模块、模拟模块与当前调试的机台之间搭建调试网络；模拟模块用于模拟...

本申请公开一种承载装置和半导体工艺腔室，所公开的承载装置用于承载待加工晶圆，基座包括中心区域和外围区域，中心区域设有第一冷却介质通道，外围区域设有第二冷却介质通道，第二冷却介质通道环绕第一冷却介质通道设置，支撑轴与基座的底部中心区域相连...