本申请提供了一种半导体工艺设备及其下电极装置，涉及半导体制造领域，其中设置了连接机构，连接机构中的射频转接件将射频传输件与卡盘电连接，射频通过射频传输件和射频转接件馈入卡盘中；连接机构中的第一转接线路将第一线缆输出的第一交流电信号导入卡...

本申请公开了一种晶片承载装置及半导体处理设备，晶片承载装置包括：下电极板，用于承载载板，并且下电极板上设置有窗口；第一驱动部，与下电极板连接，用于驱动下电极板上升至第一位置，或驱动下电极板下降至第二位置；升降组件，可升降地设置于窗口中，...

本实用新型提供一种传输腔室，应用于半导体工艺设备，传输腔室包括传输腔体、传输组件和多个检测组件，传输腔体的侧壁上具有多个传片口，传输组件用于通过每个传片口传出或传入晶圆，多个检测组件与多个传片口一一对应设置，检测组件包括第一传感器模块和...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔体结构、上电极组件及加热组件；上电极组件包括背板及匀流罩，背板盖合于腔体结构的顶端，用于连接射频电源以向腔体结构内馈入射频功率；匀流罩位于底板的下方，匀流罩的环形凸台与...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：承载盘、基体及加热盘；承载盘上具有承载台，承载台的直径对应于晶圆的直径设置，用于承载并选择性吸附或释放晶圆；基体层叠设置于承载盘的底部，并且加热盘位于基...

本申请公开一种半导体工艺设备的上电极装置及半导体工艺设备，所公开的上电极装置包括基部、射频馈入柱、扩散板、筒状结构件、磁控管和靶材，其中：射频馈入柱设于基部的中心，射频馈入柱具有馈入端，馈入端与扩散板相连，扩散板固定在筒状结构件的第一端...

本申请公开了一种半导体工艺参数的确定方法、检测方法及半导体处理设备，方法包括：S1、根据当前的预设进气流量和减压阀压强计算腔室的第一漏率，以及根据当前的预设射频启辉功率计算腔室的第二漏率；S2、根据腔室的本底漏率、第一漏率、第二漏率以及...

本实用新型公开了一种半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备，装置包括：盒体，盒体具有相对的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面之间设有沿盒体长度方向延伸的顶壁、与顶壁相对的底壁、第一侧壁以及与第一侧壁相对的第二侧壁，第一端面、第二端...

本实用新型公开一种吊装装置，属于管式设备拆装技术领域。所公开的吊装装置应用于半导体工艺设备中，用于将炉管装载至机箱内或从所述机箱内卸载所述炉管，该吊装装置包括炉管支撑架、多个安装架和多个升降装置，其中：多个所述安装架沿所述机箱的长度方向...

本申请实施例提供了一种射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备。该射频阻抗匹配方法用于通过射频电源及匹配器实现半导体工艺设备的工艺腔室起辉，其包括：获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数；控制匹配器中电容器组件的参数为匹配参数；控制射频电...

本发明提供一种上电极装置及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备，包括相互嵌套，且半径由大至小依次设置的第一线圈、第二线圈和第三线圈，以及开关组件，其中，第一线圈和第三线圈相互并联，并与射频源电连接，且流经第一线圈的电流方向与流经第三线圈...

本申请涉及刻蚀方法和碳化硅电子器件。该方法包括交替进行的刻蚀阶段和沉积阶段，刻蚀阶段，向腔室内通入含氟气体和含氧气体，并提供激励电源和偏压电源，对碳化硅基板进行刻蚀；沉积阶段，向腔室内通入含氧气体，不通入含氟气体，并提供激励电源和偏压电...

本发明公开了一种GaN衬底的刻蚀方法，包括：在GaN衬底的顶面上形成第一掩膜层；在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀第一掩膜层和GaN衬底，以在GaN衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，微结构具有设...

本申请公开了一种射频电源装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频电源装置，用于为半导体工艺设备的反应腔室提供射频功率，所述射频电源装置包括：主体、第一电气盒以及多个射频电源；所述主体具有容纳腔体，所述第一电气盒及多个所述射频电...

本发明实施例提供了一种统计半导体工艺参数的方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：在执行每个工艺步骤后，确定每个工艺步骤中预设工艺参数的单位特征值并结构化存储在数据库中，选择目标工艺参数、统计算法和时间范围；从数据列表中，获取与目标工艺参...

本发明实施例提供了一种特种气体安全控制方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：获取腔室的压力值；在压力值大于预设压力阈值的情况下，当需打开第二气体阀门和第三气体阀门时，控制第一电路断开，第二电路和第三电路接通，使第一气体阀门关闭、第二气体...

本发明公开了一种纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底，方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，在所述光刻胶层上形成贯穿所述光刻胶层的多个第一圆孔；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖在所述第一圆孔内壁形成...

本发明公开了一种半导体热处理工艺设备、方法及金属薄膜浸润性评价方法，设备包括：热处理腔室，热处理腔室内设有晶圆支撑机构、晶圆抬升机构以及位于晶圆支撑机构上方的薄膜浸润性检测机构；晶圆支撑机构用于支撑晶圆并对晶圆进行加热；晶圆抬升机构用于...

本申请公开了一种工艺颗粒监测处理的方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该方法在半导体工艺腔室闲置时，对半导体工艺腔室进行气体吹扫，且实时监测半导体工艺腔室中的异常气体浓度，得到相应的第一浓度值，异常气体浓度与潜在工艺颗粒源的浓度正...

本申请公开一种定位工装和机械手的位置校准方法，定位工装包括基座、夹持组件和定位组件；基座用于可拆卸地设置于半导体工艺设备中的承载盘的承载面的定位位置上；夹持组件包括支撑件和夹紧件，支撑件滑动设置于基座上，夹紧件设置于支撑件背离基座的一侧...