射频电源装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本申请公开了一种射频电源装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频电源装置，用于为半导体工艺设备的反应腔室提供射频功率，所述射频电源装置包括：主体、第一电气盒以及多个射频电源；所述主体具有容纳腔体，所述第一电气盒及多个所述射频电源均设置于所述容纳腔体，且所述第一电气盒与多个所述射频电源电连接，用于控制多个所述射频电源工作；所述第一电气盒用于通过电气线缆与所述半导体工艺设备的控制系统电连接，多个所述射频电源用于与所述反应腔室电连接。本申请能够解决当前射频电源放置方式无法满足要求的问题。决当前射频电源放置方式无法满足要求的问题。决当前射频电源放置方式无法满足要求的问题。

【技术实现步骤摘要】
射频电源装置及半导体工艺设备


[0001]本申请属于半导体装备
，具体涉及一种射频电源装置及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，刻蚀机作为集成电路制造工艺中不可或缺的设备，随着集成电路规模的不断攀升，在行业对于其产能、性能和效益比的要求日益提高，射频电源作为刻蚀机的核心部件之一，负责在腔室内形成电场从而激发出等离子体。随着刻蚀机的性能要求不断提高，其射频电源的功率也越来越大，一个刻蚀机腔室需要的射频电源的数量和功率越来越高。当前的射频电源数量较少，且整体体积较小，一般在PM小车上设计一个小型的射频电源柜来放置。然而，随着射频电源的体积和数量不断增加，当前的放置方式已无法满足要求。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的是提供一种射频电源装置及半导体工艺设备，能够解决当前射频电源放置方式无法满足要求的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0005]本申请实施例提供了一种射频电源装置，用于为半导体工艺设备的反应腔室提供射频功率，所述射频电源装置包括：主体、第一电气盒以及多个射频电源；
[0006]所述主体具有容纳腔体，所述第一电气盒及多个所述射频电源均设置于所述容纳腔体，且所述第一电气盒与多个所述射频电源电连接，用于控制多个所述射频电源工作；
[0007]所述第一电气盒用于通过电气线缆与所述半导体工艺设备的控制系统电连接，多个所述射频电源用于与所述反应腔室电连接。
[0008]本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备包括：反应腔室和上述射频电源装置；
[0009]所述反应腔室包括腔体、上电极、真空系统和第二电气盒，所述上电极、所述腔体及所述真空系统自上至下依次设置；
[0010]所述射频电源装置设置于所述真空系统的一侧；
[0011]所述第二电气盒设置于所述射频电源装置的一侧。
[0012]本申请实施例采用一种可以放置多个射频电源以及第一电气盒(即，射频电源电气盒)的集成式射频电源装置，从而可以有效解决射频电源电气盒与射频电源分别放置导致电气设备分散在机台其他部分而占用过大面积的问题；并且，相比于相关技术中只设计一个小型射频电源的方式，本申请实施例中的射频电源装置可以采用多个射频电源，从而可以满足一个半导体工艺设备(如，刻蚀机等)需要多个射频电源的实际需求。
附图说明
[0013]图1为本申请实施例公开的射频电源装置的第一结构示意图；
[0014]图2为本申请实施例公开的射频电源装置的第二结构示意图；
[0015]图3为本申请实施例公开的射频电源装置的第三结构示意图；
[0016]图4为本申请实施例公开的射频电源装置的第四结构示意图；
[0017]图5为本申请实施例公开的磁屏蔽组件的结构示意图；
[0018]图6为本申请实施例公开的PM整机(即，刻蚀机)的第一示意图；
[0019]图7为本申请实施例公开的PM整机(即，刻蚀机)的第二示意图；
[0020]图8为本申请实施例公开的PM整机(即，刻蚀机)的第三示意图；
[0021]图9为本申请实施例公开的半导体工艺设备的布局示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]100
‑
射频电源装置；110
‑
主体；111
‑
框架；112
‑
支撑板；113
‑
板面；114
‑
连接件；1141
‑
安装孔；115
‑
脚轮；116
‑
第一电气线缆连接口；120
‑
第一电气盒；130
‑
射频电源；
[0024]200
‑
水冷装置；
[0025]300
‑
磁屏蔽组件；
[0026]400
‑
腔体；
[0027]500
‑
上电极；
[0028]600
‑
真空系统；
[0029]700
‑
第二电气盒；
[0030]M
‑
容纳腔体；N
‑
避让空间。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0033]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。
[0034]参考图1至图9，本申请实施例公开了一种射频电源装置100，用于为半导体工艺设备的反应腔室提供射频功率，以便于进行工艺反应。所公开的射频电源装置100包括主体110、第一电气盒120以及多个射频电源130。
[0035]其中，主体110为射频电源装置100的基础安装构件，其可以为第一电气盒120、射频电源130等构件提供安装基础。在一些实施例中，主体110具有容纳腔体M，第一电气盒120
及多个射频电源130均设置于容纳腔体M，如此，通过主体110可以容纳并安装第一电气盒120和多个射频电源130，并且还可以对第一电气盒120和多个射频电源130起到防护作用，以防止外界因素干扰或损坏第一电气盒120和射频电源130。
[0036]可选地，主体110可以为立方壳体形状，当然，还可以为其他结构、形状，本申请实施例对此不作具体限定。另外，为方便移动射频电源装置100，主体110还可以设计为车体，此时，射频电源装置100可以看作是射频电源小车，通过车体可以携带第一电气盒120和多个射频电源130移动，以便于适应多种工况需求。
[0037]第一电气盒120与多个射频电源130电连接，用于控制多个射频电源130工作。此处需要说明的是，第一电气盒120主要是为多个射频电源130提供各种控制信号，以控制多个射频电源130的工作状态，从而为反应腔室提供适当的射频功率，以保证反应腔室内反应工艺的正常进行。此处需要说明的是，第一电气盒120及射频电源130各自的具体结构及其工作原理均可参考相关技术，此处不作详细阐述。
[0038]第一电气盒120用于通过电气线缆与半导体工艺设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频电源装置，用于为半导体工艺设备的反应腔室提供射频功率，其特征在于，所述射频电源装置包括：主体(110)、第一电气盒(120)以及多个射频电源(130)；所述主体(110)具有容纳腔体(M)，所述第一电气盒(120)及多个所述射频电源(130)均设置于所述容纳腔体(M)，且所述第一电气盒(120)与多个所述射频电源(130)电连接，用于控制多个所述射频电源(130)工作；所述第一电气盒(120)用于通过电气线缆与所述半导体工艺设备的控制系统电连接，多个所述射频电源(130)用于与所述反应腔室电连接。2.根据权利要求1所述的射频电源装置，其特征在于，所述射频电源装置(100)还包括水冷装置(200)，所述水冷装置(200)设置于所述容纳腔体(M)；所述射频电源(130)具有电源水路接口，所述电源水路接口与所述水冷装置(200)的出水口连接，所述水冷装置(200)的进水口用于与外部冷却水管连接。3.根据权利要求1所述的射频电源装置，其特征在于，所述射频电源装置(100)还包括磁屏蔽组件(300)，所述磁屏蔽组件(300)设置于所述主体(110)的外部，并覆盖所述主体(110)的至少部分壁板。4.根据权利要求3所述的射频电源装置，其特征在于，所述磁屏蔽组件(300)包括多块磁屏蔽板，多块所述磁屏蔽板一一对应地设置于所述主体(110)的各壁板的外侧面，所述磁屏蔽板的厚度范围为1.0～2.0mm；和/或，所述磁屏蔽组件(300)采用磁屏蔽材质，所述磁屏蔽材质包括1J85软磁合金。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的射频电源装置，其特征在于，所述主体(110)包括框架(111)、多块支撑板(112)和多个板面(113)；多个所述板面(113)对应设置于所述框架(111)的各个侧部，多个所述板面(113)共同围设成所述容纳腔体(M)，且至少部分所述板面(113)相对于所述框架(111)可翻转开启或闭合；多个所述支撑板(112)层叠且相互间隔地设置于所述容纳腔体(M)，且多个所述支撑板(112)...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟毅豪，鲁艳成，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：