北京北方华创微电子装备有限公司专利技术

北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利

  • 本实用新型公开一种半导体工艺设备,包括反应腔室、微波源、保护管、保持架和变形件,其中:反应腔室的顶盖开设有安装孔,微波源设于反应腔室上方且与安装孔密封连接,保护管设于安装孔中用以连通微波源和反应腔室的内部;保持架围绕保护管设置,保持架的...
  • 本实用新型提供一种晶圆存储盒的盒盖开关机构及半导体设备,盒盖开关机构的开关部件可移动的设置在导向部件上,用于开关晶圆存储盒的盒盖;限位组件的限位部件和接触部件分别固定设置在导向部件和开关部件上,限位部件与接触部件相对设置,限位部件用于对...
  • 本申请公开了一种等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法,涉及半导体领域。一种等离子体生成装置包括:第一电极、第二电极和附加电极;第一电极、第二电极和附加电极均设置于工艺腔室内,第一电极与第二电极相互间隔设置,附加电极设置于第一电...
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其干燥装置。该干燥装置包括:槽体组件、加热组件及循环部件;槽体组件包括有外槽体、内槽体及盖体,内槽体设置于外槽体内,盖体能选择性开启或关闭外槽体的传输口;当盖体关闭传输口时,外槽体的内周壁与内槽体的...
  • 本申请公开了一种线圈装置及半导体工艺腔室,涉及半导体工艺装备领域。一种线圈装置,应用于半导体工艺腔室,所述线圈装置包括:第一介质层、第二介质层、第一线圈层和第二线圈层;所述第一介质层与所述第二介质层间隔设置,且两者之间形成空气层;所述第...
  • 本发明实施例提供了一种射频电源和一种半导体工艺设备,该射频电源包括射频信号输入模块,可变功率合成匹配网络,固定阻抗变换模块,双定向耦合器采样模块,闭环控制模块和动态可变负载;当动态可变负载的实时阻抗值出现严重偏离预设目标阻抗值时,通过闭...
  • 本申请公开一种承载装置、下电极组件及半导体工艺设备,所述承载装置(100)包括介质层(110)、基座(120)和多个功能层,多个所述功能层和所述基座(120)依次叠置;所述介质层(110)位于相邻的两个所述功能层之间,或位于所述功能层与...
  • 本发明公开一种混液装置和半导体工艺设备,所公开的混液装置包括第一输液管、第二输液管、混液容器和第一溢流管路;其中:第一输液管的排液端部和第二输液管的排液端部均与混液容器连通,第一溢流管路的溢流入口与混液容器连通,且第一溢流管路的溢流入口...
  • 本发明实施例提供了一种半导体设备反应源控制方法和半导体工艺设备,半导体设备包括源瓶、第一管路、第二管路、工艺腔室,第一管路的一端为进气端,另一端插入源瓶的源液中;第二管路的一端插入源瓶的非原液中,另一端与工艺腔室连通,且在从源瓶到工艺腔...
  • 本申请涉及在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室。该方法包括:掺杂沉积步骤:向反应腔室中通入第一沉积气体,通过高密度等离子体化学气相沉积反应形成掺杂氧化硅疏松层,所述第一沉积气体包括硅前驱体、掺杂物前驱体和氧前驱体;未掺杂夯实沉积步骤...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备和磁控溅射工艺,所公开的磁控溅射工艺包括在基材上以溅射的方式沉积多层超导材料薄膜;其中,通过控制磁控溅射直流电源的第一功率与磁控溅射射频电源的第二功率的实际比值,以调整溅射形成的每一层所述超导材料薄膜的应力。...
  • 本发明公开了一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备,控制方法包括:将晶圆传送至静电卡盘上,对晶圆进行吸附;待对晶圆进行工艺处理后,向反应腔室中通入解吸附气体,控制腔室压力为第一设定压力,并向上电极施加第一设定功率,以将解吸...
  • 本发明提供一种拆卸机构,用于拆卸半导体腔室的密封盖,包括腔体,密封盖密封盖合在腔体的开口处,包括升降结构和工装滑台结构,升降结构适于驱动工装滑台结构沿升降结构的延伸方向朝靠近或远离半导体腔室的方向运动;吊臂结构的第一端与工装滑台结构活动...
  • 本发明涉及一种半导体工艺设备的气体混合装置,包括:腔体,开设有第二气体入口、气体出口和多个第一气体入口;腔体内设置有相互连通的第一气体混合腔和第二气体混合腔,第一气体入口与第一气体混合腔连通,第二气体入口与第二气体混合腔连通,气体出口与...
  • 本发明公开一种晶舟和半导体工艺设备,所公开的晶舟包括顶板、底板和多组承载柱,每组所述承载柱包括至少一个所述承载柱,所述承载柱用于承载晶圆,所述承载柱用于与所述顶板和所述底板可拆卸相连;在所述多组承载柱中的一组所述承载柱的两个端部与相应的...
  • 本发明提供一种沟槽刻蚀方法,包括:第一刻蚀步骤,向工艺腔室通入第一刻蚀气体,并开启上电极电源和下电极电源,以对衬底进行刻蚀,直至达到预设刻蚀深度;第二刻蚀步骤,向工艺腔室通入第二刻蚀气体,并开启上电极电源和下电极电源,以继续对衬底进行刻...
  • 本发明提供一种半导体热处理设备及其反射板,反射板包括至少一层增反层和至少一层第一增透层,其中:增反层用于增加反射板对晶圆发射的辐射光的第一预设波长的反射率;第一增透层用于增加反射板对晶圆发射的辐射光的第二预设波长的透过率;第一预设波长异...
  • 本发明实施例提供了一种药液配制装置,包括:连续液位测量传感器,插入配液容器药液中,实时检测液位高度;溢流机构,排出超过预设液位高度的药液;控制器,用于根据所述连续液位测量传感器实时检测的液位高度控制所述入口阀以向所述配液容器注入所述预设...
  • 本申请公开一种晶圆承载装置、半导体工艺设备及其控制方法,所公开的晶圆承载装置包括基座、多组承载杆和多个驱动机构,每组承载杆均包括间隔分布的多根承载杆,基座的表面包括多个子区域,多个子区域与多组承载杆一一对应,子区域开设有多个通孔,与子区...
  • 本发明公开一种晶圆承载装置的调节机构,其包括基部(10)、第一调节部(20)和第二调节部(30),其中:所述基部(10)设有第一安装孔(11),所述第一安装孔(11)的轴线为第一轴线(X),所述第一安装孔(11)内安装有第一套件(40)...