本申请公开一种半导体工艺设备，在所公开的半导体工艺设备中，工艺门连接于腔体的开口处，工艺门用于覆盖开口，且与腔体围成工艺腔室；驱动装置设于工艺门上，且与置于工艺腔室中的晶舟支撑部相连，用于驱动晶舟支撑部转动；工艺门设有进气通道，保护气体...

本发明提供一种半导体设备的工艺腔室、半导体设备及半导体工艺方法，工艺腔室包括第一腔体和承载件，第一腔体的底壁设置有开口，承载件可相对于第一腔体的底壁升降设置，以配合第一腔体形成半导体工艺的工艺环境，承载件包括承载部和密封部，承载部的上表...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的镀膜控制方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取目标时间内的异常放电信息；对补偿工艺时间增加与异常放电信息对应的增量；将已执行工艺时间加上目标时间与工艺设定时间进行比较，根据是否到达工艺补偿阶段和/或...

一种反应腔室及半导体设备，反应腔室包括：腔体；承载装置，用于向腔体内传输晶片，承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板，多个承载板中的至少部分承载板的上表面用于承载晶片，多个承载板中的至少部分承载板内设有气体通道，气体通道贯穿承载板...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、升降轴以及沿高度方向相对设置的第一磁性组件和第二磁性组件，基座、第一磁性组件和第二磁性组件设置在腔体中，腔体的底壁上形成有避让通孔，升降轴的顶端固定连接在基座的底部，升降轴的底端通过避让通孔...

本发明公开了一种接口转换装置及测试半导体设备中低通滤波器性能的方法。该装置包括：输入转接件，输入转接件包括第一接头、第二接头以及连接第一接头和第二接头的第一射频电缆，第一接头为N型同轴公头或母头，第二接头为SMPW

本发明公开一种气体分配装置及半导体工艺设备，气体分配装置包括分配盘，分配盘包括相互叠置的板主体和盖板；板主体面向盖板的表面设置有沿分配盘的径向依次交替设置的多个第一弧形通道和多个第二弧形通道，以及与多个第一弧形通道均相连通第一通气通道，...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的数据采集方法、装置和半导体工艺设备。该方法包括：设定针对半导体工艺设备的数据采集任务的采集间隔；创建定时器，并设置定时器的计时时长为采集间隔；将操作系统针对定时器的操作时长从默认时长修改为采集间隔；...

本发明实施例提供了数据上传方法、数据接收方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该数据上传方法包括：对预先确定的半导体工艺设备的多个监测目标进行监测；在与上位机通信故障时，存储监测目标的当前监测信息，得到历史监测信息；在与上位机...

本申请公开了一种可调平基座及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种可调平基座包括：基座本体、基座轴、安装架组件、安装座组件和调节组件；基座本体连接于基座轴的一端；安装架组件设有分别用于供基座轴穿设的第一安装孔和第二安装孔；安装座组件用...

一种半导体工艺设备的接口装置、包括该接口装置的晶圆装卸载装置及半导体工艺设备，接口装置用于连接半导体工艺设备的晶圆装卸载装置与晶圆传送盒，接口装置包括：主板，主板上设有用于传输晶圆的开口；壳体，设于主板的开口处，且与开口连通；面板，设于...

本发明公开了一种工艺腔室，涉及半导体技术领域，包括：腔室本体，所述腔室本体内设置有可升降的基座、多个升针和升针托架；所述基座上沿竖直方向开设有贯穿所述基座的多个升针孔，多个所述升针设置于所述升针托架上且一一对应的穿设于多个所述升针孔内，...

本发明公开一种晶圆承载装置、半导体工艺设备及其控制方法，所公开的晶圆承载装置，包括承载装置本体、隔热装置和加热器，其中：所述承载装置本体包括相对设置的第一端部和第二端部，所述隔热装置设于所述承载装置本体的所述第一端部，所述隔热装置设置有...

本申请公开一种半导体清洗设备及其清洗方法，所述半导体清洗设备包括清洗槽、配液管路和第一混液装置，其中：所述清洗槽包括清洗空间，所述配液管路的第一端与所述清洗槽连接，并用于向所述清洗空间内输送清洗液；所述配液管路的第二端连接纯水供给源；所...

本申请公开一种承载装置，用于在半导体工艺中承载待加工的晶圆，所述承载装置包括壳体、加热盘、冷却盘、第一气道和第二气道，其中：所述壳体具有安装腔，所述加热盘和所述冷却盘由上至下依次间隔设置于所述安装腔中，且二者之间限定出换热空间；所述加热...

本申请公开了一种晶圆装载设备及晶圆状态检测方法，检测装置在装载腔室内的晶圆盒运动时，检测表征晶圆盒中的晶圆的类型的参数信息；控制器根据参数信息判定晶圆的类型；若判定出晶圆的类型，则确定晶圆在晶圆盒内正常放置，状态正常；若判定不出晶圆的类...

本申请公开了一种半导体工艺炉及其装卸载腔室的控氧控压方法，在对装卸载腔室开始控氧时，控制阀门以预设第一角度开启，并控制气体流量调节器以预设第一气体流量向装卸载腔室内输送控氧气体；获取检测装置检测到的装卸载腔室内的氧含量及其内的压力值；在...

本发明提供一种半导体设备的工艺腔室，腔室本体上开设有供晶圆传输的传输通道；承载部件设置在腔室本体内，具有用于承载晶圆的承载面；顶针组件设置在承载部件的内部空间中，并能够贯穿承载部件至承载面；驱动组件设置在承载部件的内部空间中，与顶针组件...

本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内...

本申请公开了一种磁控管运动装置、磁控管组件及半导体工艺设备，涉及半导体工艺装备领域。磁控管运动装置包括旋转驱动机构、支撑机构、限位机构和遮蔽机构；支撑机构安装第一磁控管和第二磁控管；限位机构包括第一限位结构和第二限位结构，第一限位结构与...