本申请公开了一种半导体工艺设备及其承载装置，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的承载装置包括：基座，包括第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆，第二表面的高度低于第一表面的高度，且第二表面环绕第一表面设置；沉积环，包括形成有环形凹槽...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其工艺腔室，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的工艺腔室包括：遮蔽盘，用于对基座进行遮挡保护；旋转动力机构，用于驱动遮蔽盘旋转，使得遮蔽盘在第一位置与第二位置之间来回切换；升降动力机构，用于驱动遮蔽盘升...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的源瓶补液方法和一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、源瓶，所述方法包括：获取针对所述工艺腔室的补液配置参数的参数信息；在将所述工艺腔室中完成工艺的当前晶片传出，和/或在下一片晶片传入所...

本发明公开了一种半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括：进气圆筒和多个第一进气管，进气圆筒的侧壁内部具有第一环形空腔，进气圆筒的侧壁沿其周向开设有多个第一出气通孔，第一出气通孔的直径不大于预设值，多个第一进气管沿进气圆筒...

本发明实施例提供了一种半导体设备的消息上报方法、装置及半导体设备，该方法包括：获取针对半导体设备的假脱机功能的配置参数；在半导体设备与所述工厂端断连的情况下，将产生的消息中符合配置参数的消息进行存储；在半导体设备与工厂端重连成功后，将存...

本发明提供一种管路的防呆装置及半导体设备，防呆装置的第一防呆件和第二防呆件分别设置在管路的可拆卸连接的第一管件和第二管件上；第一防呆件的结构特征与和第一管件对应连接的第二管件的第二防呆件的结构特征配合设置，但与和第一管件非对应连接的第二...

本申请公开一种炉门组件，用于立式热处理设备，所述炉门组件包括炉门、基板和球铰接装置，其中：所述球铰接装置设于所述炉门与所述基板之间，所述炉门通过所述球铰接装置与所述基板转动配合。上述方案能够提升炉门的调平效率、优化炉门的密封效果。优化炉...

本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔体、基座、预热环和旋转机构，其中：基座和预热环均设于腔体的内腔中，预热环沿基座的周向环绕设置，且二者之间设有避让间隙；基座和预热环将内腔分隔为工艺腔和底部腔，避让间隙连通工艺腔和底部...

本申请实施例提供了一种半导体清洗设备。该半导体清洗设备的清洗机构包括依次设置的清洗结构、洗手结构及干燥结构，暂存机构活动设置于洗手结构上，并且能相对于洗手结构在第一位置与第二位置之间移动；传输机构包括有第一机械手及第二机械手，第一机械手...

本申请实施例提供了一种晶圆清洗设备及其传输装置。该传输装置包括：基板组件、驱动组件、导轨组件及承载组件；基板组件设置于晶圆清洗设备的进料端和/或出料端，并且沿第一方向延伸设置；驱动组件沿第一方向设置于基板组件上，用于驱动承载组件在第一位...

本实用新型公开一种承载装置及半导体工艺设备，承载装置包括转动支架、基座、测温件、电连接器和驱动机构；转动支架用于支撑基座，转动支架设有沿自身轴线方向延伸的容纳腔，转动支架沿容纳腔与测温面相对的方向上设置有透光区域；驱动机构与转动支架相连...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其抓取装置。该抓取装置的两个旋转杆平行设置，并且一端均通过支撑组件可旋转设置于基板上，另一端的底部均设置有夹持件，两个夹持件相对设置；驱动器设置于基板上，并且位于两个旋转杆之间，连杆组件的中部与驱动...

本申请公开一种电气控制柜及半导体工艺设备，所述电气控制柜用于半导体工艺设备，所述电气控制柜包括柜体、待散热器件、过滤网、清扫件和驱动机构，其中：所述待散热器件、所述过滤网、所述清扫件和所述驱动机构均设于所述柜体内；在所述待散热器件的相背...

本实用新型提供一种真空泵，包括电机、电机轴承座，第一定子轴承、第二定子轴承和真空泵底座；第一定子轴承、电机和第二定子轴承沿电机轴承座的轴线方向依次叠设在电机轴承座中；真空泵底座封闭电机轴承座的底部开口；第一定子轴承位于第二定子轴承远离真...

本申请涉及用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室。半导体工艺腔室的顶部具有陶瓷上盖，上电极组件被置于陶瓷上盖的上方，上电极组件包括吸附电源以及从上至下依次设置的控温层、射频馈入层和匀热吸附层，其中，匀热吸附层包括电极层和置于电...

本申请实施例提供了一种半导体腔室。该半导体腔室包括：腔室结构、进气结构及驱动装置；腔体内由上至下依次设置靶材、内衬及基座，内衬同轴设置于腔体内，并且内衬的顶端环绕靶材设置，内衬的底端在工艺状态时压抵于基座上；进气组件包括匀流环，匀流环设...

本申请公开了一种半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件，涉及半导体领域。一种半导体结构，包括衬底和堆叠结构，堆叠结构包括多组单元层结构，每组单元层结构包括介电层、第一缓冲层和导电层，第一缓冲层设置于介电层与导电层之间；堆叠结构还包...

本发明提供一种阻抗匹配方法和装置、半导体工艺设备，该方法应用于半导体设备的工艺腔室，包括：对射频电源的输出阻抗与负载阻抗进行阻抗匹配；在实现阻抗匹配之后，实时检测射频电源的截止频率；判断截止频率是否在预设的容差范围内；若否，则调节匹配器...

本申请涉及半导体工艺中的温度监测方法和装置。根据该方法，先获得半导体工艺过程的温度控制基准曲线；在工艺过程中，比较当前时刻工艺的实际温度和温度控制基准曲线在对应时刻的基准温度；在实际温度与基准温度之间的差值大于预设阈值时，判断后续预设时...

本发明提供一种半导体工艺腔室的清洗方法，包括：控制供气组件以第一预设流量向腔体中提供第一预设气体，并控制射频组件将其电离形成等离子体；控制供气组件以第二预设流量向腔体中提供第二预设气体，将腔体内部的压力保持在第二预设压力，并控制射频组件...