本申请公开了一种半导体工艺设备及其承载装置，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的承载装置包括：基座，包括第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆，第二表面的高度低于第一表面的高度，且第二表面环绕第一表面设置；沉积环，包括形成有环形凹槽的上表面和覆盖在所述第二表面上的下表面；盖环，盖环的外环部支撑在半导体工艺设备的反应腔体的内衬上，盖环的内环部盖设沉积环的外环部，且盖环的内环部与沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在盖环与沉积环之间的相接处与环形凹槽之间形成迷宫通道。本申请的承载装置，可在半导体工艺处理过程中，有效降低盖环与沉积环之间发生粘连现象的概率。生粘连现象的概率。生粘连现象的概率。
【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及其承载装置
[0001]本申请属于半导体工艺
，尤其涉及一种半导体工艺设备及其承载装置。
技术介绍
[0002]目前，在半导体制造工艺中采用铝和铝合金作为互连线技术广泛应用于芯片制造金属化的过程。其常见的制造工艺为磁控溅射方式，典型的磁控溅射设备如图1所示，该磁控溅射设备具有反应腔体10，反应腔体10的上部设置有用于进行磁控溅射的半导体工艺组件20，反应腔体10下方设置有承载晶圆40的承载装置，其中，承载装置主要包括基座31、沉积环32以及盖环33。沉积环32的底面是平面，直接落放在基座31上；而顶面形成有凹槽，以沉积磁控溅射处理过程中产生的反应物，来保护基座31的表面不被反应物污染。现有技术中，由于盖环33与沉积环32之间的相接处比较靠近上述凹槽，因而，当上述磁控溅射工艺持续进行一段时间后，随着上述凹槽沉积的反应物不断增加，会使得盖环33与沉积环32之间的相接处发生粘连现象，导致盖环33被升起时，会带着沉积环32也升起来，造成沉积环32脱落。同时，由于沉积环32的内径一般会小于晶圆40，因而，带起的沉积环32会同时把晶圆40带起，造成传片失败及发生碎片现象。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其承载装置，旨在改善现有承载装置在磁控溅射工艺处理过程中容易发粘连现象导致沉积环脱落、传片失败及发生碎片现象等问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种用于半导体工艺设备的承载装置，包括：
[0005]基座，包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载晶圆，所述第二表面的高度低于所述第一表面的高度，且所述第二表面环绕所述第一表面设置；
[0006]沉积环，包括形成有环形凹槽的上表面和覆盖在所述第二表面上的下表面；
[0007]盖环，所述盖环的外环部支撑在半导体工艺设备的反应腔体的内衬上，所述盖环的内环部盖设所述沉积环的外环部，且所述盖环的内环部与所述沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在所述盖环与所述沉积环之间的相接处与所述环形凹槽之间形成迷宫通道。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，多个所述环状凸起的高度不同，多个所述环状凹陷的深度不同；
[0009]多个所述环状凸起均设置在所述沉积环的外环部的上表面，多个所述环状凹陷均设置在所述盖环的内环部的下表面，或，
[0010]多个所述环状凸起均设置在所述盖环的内环部的下表面，多个所述环状凹陷均设置在所述沉积环的外环部的上表面，或，
[0011]多个所述环状凸起和多个所述环状凹陷均部分设置在所述沉积环的外环部的上表面，部分设在所述盖环的内环部的下表面。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述盖环的内环部具有屋檐结构，所述屋檐结构遮盖部分所述环形凹槽。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述基座包括第一圆柱和第二圆柱，所述第一圆柱与所述第二圆柱上下同心相接设置，且所述第一圆柱的底面半径小于所述第二圆柱的底面半径，以在所述基座的上侧分别形成所述第一表面和所述第二表面，所述沉积环的内环部与所述第一圆柱的外侧壁之间通过若干第一定位凸台与若干第一定位凹槽一一对应卡设配合进行定位。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述盖环的内环部与所述沉积环的外环部之间通过若干第二定位凸台与若干第二定位凹槽一一对应卡设配合进行定位。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述沉积环的外环部还设置有若干卡扣槽，每一所述卡扣槽通过一个卡扣与所述基座进行紧固连接。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述卡扣包括卡扣杆体，所述卡扣杆体的一端设置有第一钩体，以勾设相应的所述卡扣槽，所述所述卡扣杆体的另一端设置有第二钩体，以勾设所述基座的底面。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述卡扣槽为T型槽体，所述第一钩体为与所述T型槽体相适配的T型钩体。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，还包括：
[0019]固定环，环绕所述基座的外侧壁设置，并将若干所述卡扣锁固在所述基座的外侧壁上。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述卡扣杆体的另一端还设置有第三钩体，以勾设所述固定环。
[0021]第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺设备，包括上述的承载装置、具有封闭空间的反应腔体以及半导体工艺处理组件，所述承载装置及所述半导体工艺处理组件分别内置于所述封闭空间中。
[0022]在本申请中，其承载装置包括基座、沉积环及盖环，其中，盖环的内环部盖设沉积环的外环部，且盖环的内环部与沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在盖环与沉积环之间形成迷宫通道。这样一来，由于盖环与沉积环之间的相接处与环形凹槽之间形成有迷宫通道，使得半导体工艺处理过程中沉积到该环形凹槽内的反应物到达该相接处的距离大大增加，同时，该反应物想要到达该相接处也需跨过多重迷宫遮挡才可实现，大大增大了该反应物到达该相接处的难度，因而，本申请的承载装置，可在半导体工艺处理过程中，有效降低盖环与沉积环之间发生粘连现象的概率。
附图说明
[0023]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
[0024]图1是现有技术中磁控溅射设备的剖视结构示意图。
[0025]图2是本申请实施例提供的半导体工艺设备的剖视结构示意图。
[0026]图3是图2所示半导体工艺设备的局部结构放大示意图。
[0027]图4是图2所示半导体工艺设备的基座的结构示意图。
[0028]图5是图2所示半导体工艺设备的沉积环的结构示意图。
[0029]图6是图2所示半导体工艺设备的基座与沉积环的装配结构示意图。
[0030]图7是图5所示沉积环的第一定位凸台的结构示意图。
[0031]图8是图2所示半导体工艺设备的盖环的结构示意图。
[0032]图9是图5所示沉积环的卡扣槽的结构示意图。
[0033]图10是图3所示半导体工艺设备的卡扣的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0035]目前，在半导体制造工艺中采用铝和铝合金作为互连线技术广泛应用于芯片制造金属化的过程。其常见的制造工艺为磁控溅射方式，典型的磁控溅射设备如图1所示，该磁控溅射设备具有反应腔体10，反应腔体10的上部设置有用于进行磁控溅射的半导体工艺组件20，反应腔体10下方设置有承载晶圆40的承载装置，其中，承载装置主要包括基座31、沉积环32以及盖环33。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的承载装置，其特征在于，包括：基座，包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载晶圆，所述第二表面的高度低于所述第一表面的高度，且所述第二表面环绕所述第一表面设置；沉积环，包括形成有环形凹槽的上表面和覆盖在所述第二表面上的下表面；盖环，所述盖环的外环部支撑在半导体工艺设备的反应腔体的内衬上，所述盖环的内环部盖设所述沉积环的外环部，且所述盖环的内环部与所述沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在所述盖环与所述沉积环之间的相接处与所述环形凹槽之间形成迷宫通道。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，多个所述环状凸起的高度不同，多个所述环状凹陷的深度不同；多个所述环状凸起均设置在所述沉积环的外环部的上表面，多个所述环状凹陷均设置在所述盖环的内环部的下表面，或，多个所述环状凸起均设置在所述盖环的内环部的下表面，多个所述环状凹陷均设置在所述沉积环的外环部的上表面，或，多个所述环状凸起和多个所述环状凹陷均部分设置在所述沉积环的外环部的上表面，部分设在所述盖环的内环部的下表面。3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述盖环的内环部具有屋檐结构，所述屋檐结构遮盖部分所述环形凹槽。4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述基座包括第一圆柱和第二圆柱，所述第一圆柱与所述第二圆柱上下同心相接设置，且所述第一圆柱的底面半径小于所述第二圆柱的底面...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪克红，李冬冬，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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