晶圆托盘及晶圆片溅镀设备制造技术

本实用新型专利技术公开了晶圆托盘及晶圆片溅镀设备，其中，晶圆托盘包括：托盘本体，具有朝上开口设置并用于定位晶圆的晶圆定位槽；内防反溅槽，设置在所述晶圆定位槽内并向所述晶圆定位槽暴露，所述内防反溅槽呈弧形设置在所述晶圆定位槽的边缘，并在所述晶圆定位槽的中心相对形成用于支撑晶圆的晶圆支撑台。本实用新型专利技术在晶圆定位槽的边缘设置内防反溅槽，能够有效的避免边缘部上沉淀形成的金属薄膜在等离子体作用下对晶圆表面的飞溅，有效的避免了晶圆定位槽内沉积的离子溅镀到晶圆上表面的发生，从而提升了镀膜的品质。从而提升了镀膜的品质。从而提升了镀膜的品质。

【技术实现步骤摘要】
晶圆托盘及晶圆片溅镀设备


[0001]本技术涉及等离子蚀刻技术与晶圆真空镀膜
，特别是晶圆托盘及晶圆片溅镀设备。

技术介绍

[0002]镀膜技术，也称薄膜技术，是在真空条件下采用物理或化学方法，使物体表面获得所需的膜体。镀膜技术目前已被广泛应用于耐酸、耐蚀、耐热、表面硬化、光电通讯、集成电子、新能源等领域。物理气相沉积法真空镀膜技术(由于该方法基本处于真空环境下进行，因此称为真空镀膜技术)。真空镀膜技术市使待镀金属或被镀物品位于真空腔内，采用一定方法加热或轰击待镀材料，使金属蒸发或离子化，从而在被镀物品表面凝聚成金属薄膜。
[0003]刻蚀工艺则是一种采用等离子的干法蚀刻技术。通常使用较高压力及较小的射频功率，使晶圆基片表面层原子或分子与等离子气氛中的活性原子接触并发生反应，形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻。
[0004]刻蚀工艺与薄膜技术都是芯片制造过程中的常用手段，而金属溅镀机是一种在晶圆表面进行等离子蚀刻，并溅镀一层所需金属薄膜的特种设备。在此设备生产过程中，需将晶圆放置于晶圆托盘上，通过机台内部传送机构，自动传送到机台工艺腔内对晶圆进行蚀刻工艺和镀膜工艺，由于晶圆托盘在设备内部连续循环使用，在上一个晶圆的镀膜工艺中晶圆托盘的表面会同时被溅镀上金属层，这层金属层的存在会对下一个晶圆的蚀刻工艺产生影响。具体的，在蚀刻工艺中，晶圆托盘在薄膜工艺过程中形成的金属层会被蚀刻出并反溅到晶圆表面，从而影响晶圆的后续镀膜工艺，使镀膜后薄膜的品质下降。
[0005]为了方便的实现晶圆在晶圆定位槽内的放置，晶圆定位槽的尺寸一般设置的要大于相应的晶圆，具体的，晶圆定位槽的直径比晶圆的直径至少大2mm，这样在晶圆定位到晶圆定位槽内的中心位置之后，晶圆的边缘距离晶圆定位槽的侧壁之间的间隙至少有1mm，以更方便实现晶圆在晶圆定位槽内的取放。
[0006]在现有技术中，如图1所示，由于上述1mm的间隙的存在，造成晶圆定位槽内与晶圆相错开的边缘部在镀膜的过程中也容易形成金属薄膜，进而在等离子体的作用下金属薄膜被轰击，边缘部的薄膜在被轰击后容易使离子溅射到晶圆的上表面或者晶圆的侧面，从而影响晶圆的镀膜品质。
[0007]因此，有必要提出一种能够有效防止在刻蚀工艺过程中防止托盘上的金属薄膜溅度到晶圆上表面的晶圆托盘。

技术实现思路

[0008]本技术的目的是提供一种晶圆托盘，以解决现有技术中的不足，它在晶圆定位槽的边缘设置内防反溅槽，能够有效的避免边缘部上沉淀形成的金属薄膜在等离子体作用下对晶圆表面的飞溅，从而提升了镀膜的品质。
[0009]本技术提供的晶圆托盘，包括：
[0010]托盘本体，具有朝上开口设置并用于定位晶圆的晶圆定位槽；
[0011]内防反溅槽，设置在所述晶圆定位槽内并向所述晶圆定位槽暴露，所述内防反溅槽呈弧形设置在所述晶圆定位槽的边缘，并在所述晶圆定位槽的中心相对形成用于支撑晶圆的晶圆支撑台。
[0012]进一步的，所述内防反溅槽的开口宽度不超过2mm。
[0013]进一步的，所述内防反溅槽的开口宽度为1.5mm。
[0014]进一步的，所述托盘本体的底面设置有朝下开口的叉架定位槽，所述内防反溅槽所在位置与所述叉架定位槽所在位置相互错位。
[0015]进一步的，所述托盘本体为矩形并具有长边和宽边，所述叉架定位槽沿平行所述托盘本体宽边的方向延伸设置，且所述叉架定位槽设置在所述托盘本体的底面并靠近宽边的位置；所述内防反溅槽的一端向所述宽边方向延伸的位置不超过所述叉架定位槽所对应的位置。
[0016]本技术还公开了一种晶圆托盘，包括：
[0017]托盘本体，具有朝上开口设置并用于定位晶圆的晶圆定位槽；
[0018]晶圆支撑台，设置在所述晶圆定位槽内，所述晶圆支撑台设置在所述晶圆定位槽的中心位置，且所述晶圆支撑台的尺寸小于所述晶圆定位槽的尺寸以在所述晶圆支撑台的旁侧形成内防反溅槽；所述内防反溅槽向所述晶圆定位槽暴露。
[0019]进一步的，所述晶圆支撑台的上表面不凸伸出所述托盘本体的上表面。
[0020]进一步的，所述内防反溅槽的开口宽度为1.5mm。
[0021]本技术还公开了一种晶圆片溅镀设备，包括机架、设置在机架上的托盘定位台、设置在所述托盘定位台上侧的等离子体源、设置在所述等离子体源与所述托盘定位台之间的遮蔽挡板和所述的晶圆托盘；所述托盘定位台上设置有与所述晶圆托盘相适配并用于定位所述晶圆托盘的定位机构；
[0022]所述遮蔽挡板具有挡板本体和设置在所述挡板本体上的挡板穿孔，在所述晶圆托盘定位后，所述遮蔽挡板设置在所述晶圆托盘的上侧；
[0023]所述挡板穿孔与所述晶圆定位槽的位置相对并用于向外暴露所述晶圆定位槽。
[0024]进一步的，所述晶圆托盘上还具有设置在所述托盘本体上并位于所述晶圆定位槽旁侧的外防反溅槽，所述外防反溅槽呈弧形绕设在所述晶圆定位槽外；所述挡板本体与所述外防反溅槽位置相对并对所述外防反溅槽遮盖。
[0025]与现有技术相比，本技术在晶圆定位槽的边缘设置内防反溅槽，能够有效的避免边缘部上沉淀形成的金属薄膜在等离子体作用下对晶圆表面的飞溅，有效的避免了晶圆定位槽内沉积的离子溅镀到晶圆上表面的发生，从而提升了镀膜的品质。
附图说明
[0026]图1是现有技术中晶圆托盘在使用过程中与遮蔽挡板的配合关系示意图；
[0027]图2是本技术实施例公开的晶圆托盘在使用过程中与遮蔽挡板的配合关系示意图；
[0028]图3是本技术实施例公开的晶圆托盘在定位机构上的安装结构示意图；
[0029]图4是本技术实施例公开的晶圆托盘在预定位机构定位后的结构示意图；
[0030]图5是本技术实施例公开的晶圆托盘的第一结构示意图；
[0031]图6是本技术实施例公开的晶圆托盘的第二结构示意图；
[0032]图7是本技术实施例公开的晶圆托盘的俯视图；
[0033]图8是图7中CC方向的剖视图；
[0034]图9是图8中A处的局部放大图；
[0035]图10是本技术实施例公开的晶圆托盘的右视图；
[0036]图11是本技术实施例公开的定位机构的结构示意图；
[0037]图12是本技术实施例公开的预定位机构的第一结构示意图；
[0038]图13是本技术实施例公开的预定位机构的第二结构示意图；
[0039]附图标记说明：1
‑
托盘本体，10
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针孔，11
‑
晶圆定位槽，111
‑
边缘部，112
‑ꢀ
左晶圆定位槽，113
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右晶圆定位槽，114
‑
中间晶圆定位槽；12
‑
晶圆支撑台， 13
‑
内防反溅槽；14
‑
分隔部，1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆托盘，其特征在于，包括：托盘本体，具有朝上开口设置并用于定位晶圆的晶圆定位槽；内防反溅槽，设置在所述晶圆定位槽内并向所述晶圆定位槽暴露，所述内防反溅槽呈弧形设置在所述晶圆定位槽的边缘，并在所述晶圆定位槽的中心相对形成用于支撑晶圆的晶圆支撑台。2.根据权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于：所述内防反溅槽的开口宽度不超过2mm。3.根据权利要求2所述的晶圆托盘，其特征在于：所述内防反溅槽的开口宽度为1.5mm。4.根据权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于：所述托盘本体的底面设置有朝下开口的叉架定位槽，所述内防反溅槽所在位置与所述叉架定位槽所在位置相互错位。5.根据权利要求4所述的晶圆托盘，其特征在于：所述托盘本体为矩形并具有长边和宽边，所述叉架定位槽沿平行所述托盘本体宽边的方向延伸设置，且所述叉架定位槽设置在所述托盘本体的底面并靠近宽边的位置；所述内防反溅槽的一端向所述宽边方向延伸的位置不超过所述叉架定位槽所对应的位置。6.一种晶圆托盘，其特征在于，包括：托盘本体，具有朝上开口设置并用于定位晶圆的晶圆定位槽；晶圆支撑台，设置在所述晶圆定位槽内，所述晶圆支撑台设置在所述晶圆定位槽的中心位置，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：