【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆级封装，特别是凸块的成型方法。
技术介绍
1、ic芯片先进封装主要是指倒装(fl ipchip)，晶圆级封装(waferlevelackage)，2.5d封装(interposer，rdl等)，3d封装(tsv)等封装技术。凸块(bump)作为先进封装的关键组件，其制作技术(bumping)更是高端先进封装的重要代表技术之一。极细的凸块间距、极高的脚密度需求，对凸块的散热能力、电性能、可靠性均提出了更高的需求。
2、现有技术中，晶圆凸块制作技术中，以光刻配合电镀沉积方式最为常见。但此类方式电镀成型后的金属凸块经常会出现渗镀(under plat ing)，渗镀问题的出现容易造成导电的异常，造成产品的异常，影响封装芯片的良品率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种凸块的成型方法，以解决现有技术中的不足，它通过多次成型电阻层降低了大块光阻产生的收缩内应力，降低了电镀过程中产生渗渡现象发生的频次，提高了产品良率。
2、本专利技术提供的凸块的成型方法，包括如下步骤：
3、提供基板，所述基板的上表面成型有焊垫和绝缘层，所述焊垫自绝缘层上的绝缘层开口向外暴露；
4、在绝缘层及焊垫的上表面成型种子层；
5、在所述种子层的上表面成型光阻结构，其中，所述光阻结构包括向外暴露所述焊垫的光阻开窗和若干光阻层，若干光阻层自光阻开窗向外依次排布；
6、在光阻开窗内成型凸块。
7、进一步的，所述光阻
8、成型第一过度光阻层；
9、采用第一次曝光显影工艺去除部分第一过度光阻层以形成向外暴露所述焊垫的第一光阻开窗，剩余的第一过度光阻层则形成所述第一光阻层；
10、至少在第一光阻开窗内成型第二过度光阻层；
11、采用第二次曝光显影工艺去除位于第一光阻开窗内的部分第二过度光阻层以形成所述光阻开窗，所述光阻开窗的尺寸小于所述第一光阻开窗，以使残留在第一光阻开窗内的第二过度光阻层形成所述第二光阻层。
12、进一步的，所述光阻开窗的中心与所述第一光阻开窗的中心位置相对。
13、进一步的，在成型所述第二过度光阻层时，部分第二过度光阻层同时覆盖在所述第一光阻层的上表面，以使光阻开窗成型后，第二光阻层与第一光阻层在竖向方向上也具有相对堆叠设置的部分。
14、进一步的，第一次曝光显影工艺包括采用第一掩膜版进行的曝光工艺；第二次曝光显影工艺包括采用第二掩膜版进行的曝光工艺；
15、第一掩膜版和第二掩膜版均包括遮光图案，所述第一掩膜版的遮光图案大于第二掩膜版的遮光图案并可对第二掩膜版的遮光图案形成覆盖。
16、进一步的，所述凸块包括自下而上依次成型的第一电镀层、第二电镀层及第三电镀层；
17、所述第一电镀层材质为铜或金，所述第一电镀层厚度范围3～70um；
18、第二电镀层的材质为镍，第二电镀层厚度范围1～5um；
19、第三电镀层的材质为金、锡或锡银的一种，所述第三电镀层厚度范围0.5～40um。
20、本专利技术还公开了一种凸块的成型方法，包括如下步骤：
21、提供基板，所述基板的上表面成型有焊垫和绝缘层，所述焊垫自绝缘层上的绝缘层开口向外暴露；
22、在绝缘层及焊垫的表面成型种子层；
23、在种子层的表面成型第一过度光阻层，在第一过度光阻层上形成向外暴露所述焊垫的第一光阻开窗，剩余第一过度光阻层则作为第一光阻层；
24、在第一光阻开窗内成型布线金属层；
25、至少在第一光阻开窗内成型第二过度光阻层，其中，第二过度光阻层位于布线金属层的表面；
26、去除第一光阻开窗内的部分第二过度光阻层以形成向外暴露布线金属层的光阻开窗，所述光阻开窗的尺寸小于所述第一光阻开窗，剩余在第一光阻开窗内的第二过度光阻层则形成第二光阻层，第二光阻层与第一光阻层自光阻开窗向外依次排布；
27、在光阻开窗内成型凸块。
28、进一步的，在成型所述第二过度光阻层时，部分第二过度光阻层同时覆盖在所述第一光阻层的上表面，以使光阻开窗成型后，第二光阻层与第一光阻层在竖向方向上也具有相对堆叠设置的部分。
29、进一步的，在成型完凸块后还包括：去除第一光阻层和第二光阻层，并且去除布线金属层覆盖区域之外的种子层。
30、进一步的，所述布线金属层的尺寸大于焊垫的尺寸，布线金属层的尺寸不小于所述凸块的尺寸。
31、与现有技术相比，本专利技术将原本整块的光阻层分成多块，多块的光阻层自光阻开窗向外排布，避免了较大块光阻层的使用，进而避免了较大块光阻层产生的收缩内应力，收缩内应力会使电阻层与种子层之间产生缝隙，进而产生渗渡的问题，本申请通过多次成型电阻层降低了电镀过程中产生渗渡现象发生的频次，提高了产品良率。
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1.一种凸块的成型方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述光阻结构中光阻层共包括两层，分别是第一光阻层和第二光阻层，第二光阻层和第一光阻层自光阻开窗向外依次排布，所述光阻结构的具体成型方法如下：
3.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述光阻开窗的中心与所述第一光阻开窗的中心位置相对。
4.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：在成型所述第二过度光阻层时，部分第二过度光阻层同时覆盖在所述第一光阻层的上表面，以使光阻开窗成型后，第二光阻层与第一光阻层在竖向方向上也具有相对堆叠设置的部分。
5.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：第一次曝光显影工艺包括采用第一掩膜版进行的曝光工艺；第二次曝光显影工艺包括采用第二掩膜版进行的曝光工艺；
6.根据权利要求1所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述凸块包括自下而上依次成型的第一电镀层、第二电镀层及第三电镀层；
7.一种凸块的成型方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要
9.根据权利要求7所述的凸块的成型方法，其特征在于：在成型完凸块后还包括：去除第一光阻层和第二光阻层，并且去除布线金属层覆盖区域之外的种子层。
10.根据权利要求7所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述布线金属层的尺寸大于焊垫的尺寸，布线金属层的尺寸不小于所述凸块的尺寸。
...【技术特征摘要】
1.一种凸块的成型方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述光阻结构中光阻层共包括两层，分别是第一光阻层和第二光阻层，第二光阻层和第一光阻层自光阻开窗向外依次排布，所述光阻结构的具体成型方法如下：
3.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：所述光阻开窗的中心与所述第一光阻开窗的中心位置相对。
4.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：在成型所述第二过度光阻层时，部分第二过度光阻层同时覆盖在所述第一光阻层的上表面，以使光阻开窗成型后，第二光阻层与第一光阻层在竖向方向上也具有相对堆叠设置的部分。
5.根据权利要求2所述的凸块的成型方法，其特征在于：第一次曝光显影工艺包括采用第一掩膜版进行的曝光工艺；第二次曝光显影工艺包括采用第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王爱君，贺国庆，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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