【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种等离子体发生装置和晶圆加工设备。
技术介绍
1、在用于半导体的晶圆的处理过程中，需要用到等离子体对晶圆进行加工，现有的一种产生等离子体的方法如下：向通气管内通入氦气或氮气等反应气体，然后朝通气管内发射紫外线或微波，使反应气体释放出等离子。等离子体产生时，通气管内反应气体处于高温、高压状态，会影响通气管的密封性能。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种能够对通气管进行降温的等离子体发生装置和晶圆加工设备。
2、为实现上述目的，本技术提供一种储物工装，包括罐体、穿过所述罐体的通气管、设于通气管一侧的激发元件，所述罐体包括具有腔室的内壳、位于内壳外侧的外壳、形成于内壳和外壳之间的夹层，所述通气管穿过所述内壳的腔室设置，所述外壳上开设有与所述夹层连通的进水口和出水口。
3、作为本技术的进一步改进，所述内壳包括相对设置第一侧壁和第二侧壁、连接第一侧壁和第二侧壁的第一连接壁、分别开设于第一侧壁和第二侧壁的进气口和出气口。
4、作为本技术的进一步改进，所述外壳包括分别位于第一侧壁和第二侧壁外侧的第三侧壁和第四侧壁、连接第三侧壁和第四侧壁的第二连接壁，所述第三侧壁上开设有与进气口对应的第一开孔，所述第四侧壁上开设有与出气口对应的第二开孔，所述罐体还包括连通进气口和第一开孔、出气口和第二开孔的连通部。
5、作为本技术的进一步改进，所述等离子体发生装置还包括温度感应器，所述温度感应器连接于所述罐体并部分伸入内壳
6、作为本技术的进一步改进，所述激发元件连接于所述罐体，并且至少包括紫外线发射器和微波发射器中的一种。
7、作为本技术的进一步改进，所述进水口和出水口分别位于所述外壳的相对两侧，并且在外壳的高度方向上错开设置。
8、作为本技术的进一步改进，所述进气口和出气口均设置有多个，所述等离子体发生装置还包括抽气罩，所述抽气罩设于第四侧壁外侧并与第四侧壁围设形成与多个第二开孔连通的抽气腔，所述抽气罩上开设有与抽气腔连通并用于连通抽气机抽气口。
9、作为本技术的进一步改进，所述通气管沿罐体高度方向穿过第一侧壁和第二侧壁设置，包括位于内壳腔室内的穿入部，暴露于外壳外的进气端和出气端，所述进气端用于连通供气元件以向通气管内通入反应气体，在通气管的延伸方向上，所述穿入部靠近第二侧壁的一端靠近进气端设置。
10、作为本技术的进一步改进，所述外壳和内壳均呈圆柱状设置。
11、本技术还提供一种晶圆加工设备，包括上述的等离子体发生装置、与所述通气管连通的晶圆处理腔室。
12、本技术的有益效果：
13、本技术提供的等离子体发生装置和晶圆加工设备，在通气管的外围设有罐体，通过向罐体的夹层内注入冷却水，即可降低罐体内壳腔室内的温度，从而降低通气管内的温度，防止高温影响通气管的密封性能。
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1.一种等离子体发生装置，其特征在于，包括罐体、穿过所述罐体的通气管、设于通气管一侧的激发元件，所述罐体包括具有腔室的内壳、位于内壳外侧的外壳、形成于内壳和外壳之间的夹层，所述通气管穿过所述内壳的腔室设置，所述外壳上开设有与所述夹层连通的进水口和出水口。
2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述内壳包括相对设置第一侧壁和第二侧壁、连接第一侧壁和第二侧壁的第一连接壁、分别开设于第一侧壁和第二侧壁的进气口和出气口。
3.根据权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述外壳包括分别位于第一侧壁和第二侧壁外侧的第三侧壁和第四侧壁、连接第三侧壁和第四侧壁的第二连接壁，所述第三侧壁上开设有与进气口对应的第一开孔，所述第四侧壁上开设有与出气口对应的第二开孔，所述罐体还包括连通进气口和第一开孔、出气口和第二开孔的连通部。
4.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述等离子体发生装置还包括温度感应器，所述温度感应器连接于所述罐体并部分伸入内壳的腔室内。
5.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述激
6.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述进水口和出水口分别位于所述外壳的相对两侧，并且在外壳的高度方向上错开设置。
7.根据权利要求3所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述进气口和出气口均设置有多个，所述等离子体发生装置还包括抽气罩，所述抽气罩设于第四侧壁外侧并与第四侧壁围设形成与多个第二开孔连通的抽气腔，所述抽气罩上开设有与抽气腔连通并用于连通抽气机抽气口。
8.根据权利要求7所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述通气管沿罐体高度方向穿过第一侧壁和第二侧壁设置，包括位于内壳腔室内的穿入部，暴露于外壳外的进气端和出气端，所述进气端用于连通供气元件以向通气管内通入反应气体，在通气管的延伸方向上，所述穿入部靠近第二侧壁的一端靠近进气端设置。
9.根据权利要求3所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述外壳和内壳均呈圆柱状设置。
10.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的等离子体发生装置、与所述通气管连通的晶圆处理腔室。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生装置，其特征在于，包括罐体、穿过所述罐体的通气管、设于通气管一侧的激发元件，所述罐体包括具有腔室的内壳、位于内壳外侧的外壳、形成于内壳和外壳之间的夹层，所述通气管穿过所述内壳的腔室设置，所述外壳上开设有与所述夹层连通的进水口和出水口。
2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述内壳包括相对设置第一侧壁和第二侧壁、连接第一侧壁和第二侧壁的第一连接壁、分别开设于第一侧壁和第二侧壁的进气口和出气口。
3.根据权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述外壳包括分别位于第一侧壁和第二侧壁外侧的第三侧壁和第四侧壁、连接第三侧壁和第四侧壁的第二连接壁，所述第三侧壁上开设有与进气口对应的第一开孔，所述第四侧壁上开设有与出气口对应的第二开孔，所述罐体还包括连通进气口和第一开孔、出气口和第二开孔的连通部。
4.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述等离子体发生装置还包括温度感应器，所述温度感应器连接于所述罐体并部分伸入内壳的腔室内。
5.根据权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述激发元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭振，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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