本申请公开了一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备，进气结构包括底板和设置于底板上的顶板；顶板的底面设置有至少一个凹槽，凹槽中设置有多个间隔设置的柱状凸起，多个柱状凸起的端面与底板的顶面连接，凹槽中还设置有贯穿顶板的第二通孔，第二通孔...

本申请公开了一种腔室漏率检测方法，将多个半导体腔室中满足漏率检测条件的腔室作为目标腔室；根据已下发的半导体加工任务对应的加工件是否经过目标腔室，设定目标腔室的检测状态，其中，若是，则将目标腔室的检测状态设置为待定状态，并对半导体设备中的...

本申请公开一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺，属于半导体技术领域。进气装置包括用于通入工艺气体的第一进气管、用于通入保护气体的第二进气管、混气组件和导流件，混气组件设有第一混气腔和第二混气腔，第一混气腔的腔壁设...

本申请公开了一种半导体处理设备，包括至少两个在竖直方向上依次堆叠设置的工艺腔室、与所述工艺腔室一一对应连接的多个传输通道、通过所述传输通道与所述工艺腔室连接的传输腔室，以及设置于所述传输腔室的底部并可进行升降的传输机构，所述传输机构用于...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、封堵件、顶针、驱动机构和传动机构，腔室本体设有用于供输送装置穿过的开口，且腔室本体内设有工艺基座，工艺基座设有多个沿工艺基座的厚度方向贯穿的通...

本申请公开了一种零部件的处理方法，涉及半导体领域。一种零部件的处理方法，包括：将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；对经过第一次除污后的零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对零部件进行第二次除污；对经过两次除污后的零部件进行干燥。...

本申请公开了一种温度控制方法及半导体设备，半导体设备的控温区域划分为多个控温区段。本申请可根据控温区段的温度检测值的异常持续周期，区分温度检测值的异常情况是否属于跳变类异常，即温度检测值的异常持续周期小于预设周期数时，认为温度检测值的异...

本申请公开一种工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的工艺腔室用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体、承载装置、靶材、准直器和驱动装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内且用于承载待加工的晶圆，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所...

本申请公开了一种半导体工艺设备，属于半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、支撑件以及加热组件，加热组件用于加热支撑件及支撑于支撑件上的晶圆，还包括：第一温度检测件，第一温度检测件与支撑件的中心相对设置，第二温度检测件，第二温度检测...

本发明公开了一种晶圆位置异常检测系统、方法及半导体设备，系统包括：控制单元以及设置于第一腔室内的第一检测组件和视频采集模块，第一检测组件与晶圆的传输路径对应设置，用于检测晶圆是否从传输装置上掉落；控制单元用于：实时监测第一检测组件的检测...

本申请公开了一种谐波抑制电路、射频电源及半导体工艺设备，谐波抑制电路包括第一电路、第二电路、第三电路和第四电路；第一电路用于传输处于预设谐振通带宽度范围内的射频信号，射频信号由第一电路的信号输入端输入且由第一电路的信号输出端输出；第二电...

本申请公开了一种半导体工艺方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该半导体工艺方法包括以下步骤：在工艺腔室对晶圆进行相应的半导体工艺处理的过程中，监测工艺腔室是否处于闲置状态；若监测到工艺腔室处于闲置状态，则每间隔预设时间，对工艺腔室...

本发明提供一种半导体反应腔室，包括工艺管、连接法兰和排气管，连接法兰设置在工艺管底部的外周壁上，用于与半导体反应腔室的工艺门密封连接；排气管包括第一排气管段，第一排气管段设置在工艺管内，并沿工艺管的内周壁的周向设置，且能够与工艺管外部的...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、承载部件和调节组件；其中，承载部件设置在腔室本体内，用于承载晶圆；腔室本体包括环结构、顶结构和底结构，环结构在其轴向上设置在顶结构和底结构之间，且环绕在承载部件的周围，顶结构、环结构和承载部件...

本发明提供一种匀气装置及半导体工艺设备，包括沿进气方向依次设置的第一匀气盘、第二匀气盘和第三匀气盘，其中，第一匀气盘的中心设置有第一进气孔，第二匀气盘的中心设置有第二进气孔；第一匀气盘和第二匀气盘之间形成有相对于第一匀气盘的中心对称分布...

本申请公开一种气体处理装置和半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域。气体处理装置用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，该气体处理装置包括捕捉器和进气块，其中，所述捕捉器包括壳体和捕捉板，所述壳体设有第一进气口，所述捕捉板设置...

本实用新型公开了一种屏蔽装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，该屏蔽装置用于半导体设备的工艺腔室，所述工艺腔室具有贯穿其腔室壁的规口通道，真空规组件与所述规口通道密封连接，所述屏蔽装置用于设置在所述规口通道内，以使所述真空规组件能够...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其火焰检测装置。该火焰检测装置用于检测半导体工艺设备的气柜中是否存在由于气体泄漏而产生的火焰，包括：检测组件、灭火组件及控制单元；检测组件与气柜相连，用于分别检测多个火焰特征，以判断气柜内部是否产生...

本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中...

本发明公开一种夹持装置和半导体工艺设备。涉及半导体制造技术领域。该夹持装置，包括基座、第一齿轮、传动组件、第一驱动机构和多个夹持杆，第一齿轮和传动组件均设置于基座，传动组件包括第二齿轮，第二齿轮与第一齿轮啮合。第一驱动机构与第二齿轮传动...