零部件的处理方法技术

本申请公开了一种零部件的处理方法，涉及半导体领域。一种零部件的处理方法，包括：将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；对经过第一次除污后的零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对零部件进行第二次除污；对经过两次除污后的零部件进行干燥。本申请至少能够解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。

【技术实现步骤摘要】
零部件的处理方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种零部件的处理方法。

技术介绍

[0002]SiC(碳化硅)零部件具有高硬度、高熔点、高耐磨性和耐腐蚀性，以及优良的抗氧化性、高温强度、化学稳定性、抗热震性、导热性和良好的气密性等，因而，SiC在半导体领域得到了广泛的应用。例如，刻蚀机的托盘、氧化/退火炉的炉管、舟等。对于复杂结构的SiC零部件来说，其表面的污染物难以去除，其原因包括：其一，零部件结构复杂(如，带有微细孔、凹陷等结构的零部件)，内部污染物难以去除；其二，SiC材料的化学稳定性高，表面难以氧化形成SiO2(二氧化硅)。因此，无法单纯利用化学试剂腐蚀SiC表面SiO2的方式去除污染物及金属杂质。由于SiC零部件的生产工艺复杂，诸多工艺都有可能引入一些有机物、金属杂质等污染物，而这些污染物限制了SiC零部件在半导体设备中的应用，因此，保证SiC零部件的洁净度显得尤为重要。
[0003]相关技术中对SiC零部件表面处理的方式中，首先通过高温氧化热处理，在SiC零部件的表面上形成氧化膜，然后再利用HF(氢氟酸)进行清洗，从而去除从SiC零部件中扩散出的杂质。然而，该种方法耗时较长、成本较高、处理效率较低，且处理过程使用高温氧化设备进行氧化，由此会由于金属杂质的残留导致设备的金属污染。
[0004]相关技术中还提供了另一种处理方式，其通过SiC烧结体浸入清洁液中，并施加高于要去除的杂质金属元素的氧化还原电势的正电势，烧结体的表面附近金属杂质被电离，并将其释放到清洁溶液中，以实现SiC烧结体的清洁。然而，该种处理方式的清洁能力较弱，污染物容易残留且不能清除金属以外的其他污染物。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的是提供一种零部件的处理方法，至少能够解决当前对于零部件处理效果不佳等问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0007]本申请实施例提供了一种零部件的处理方法，该处理方法包括：
[0008]将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；
[0009]对经过第一次除污后的所述零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对所述零部件进行第二次除污；
[0010]对经过两次除污后的所述零部件进行干燥。
[0011]本申请实施例中，先利用除污腔室对其内部的零部件进行第一次除污，以清除零部件局部的污染物；采用超声波对零部件进行清洗，且超声清洗与去离子水冲洗相配合，以对零部件进行第二次除污，进一步清洗掉零部件上粘有的污染物；待两次除污后，对零部件进行干燥，以保证零部件干燥和洁净。基于上述过程，通过清除零部件粘有的污染物，可以满足半导体设备的使用需求；并且，上述过程包括的步骤相对较少，且每个步骤相对简单，
在一定程度上可以缩短处理工时，从而可以节省处理的时间，提高处理效率。
附图说明
[0012]图1为本申请实施例公开的零部件的处理方法的第一实施方式的流程图；
[0013]图2为本申请实施例公开的零部件的处理方法的第二实施方式的流程图。
具体实施方式
[0014]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0015]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0016]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。
[0017]本申请实施例公开了一种零部件的处理方法，该处理方法可以对零部件进行全面处理，以去除零部件的污染物，保证其洁净度。如图1所示，所公开的零部件的处理方法包括：
[0018]S100、将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；
[0019]S200、对经过第一次除污后的零部件进行超声清洗，并进行去离子水清洗，以对零部件进行第二次除污；
[0020]S300、对经过两次除污后的零部件进行干燥。
[0021]本申请实施例中，先利用除污腔室对其内部的零部件进行第一次除污，以清除零部件局部的污染物；采用超声波对零部件进行清洗，且超声清洗与去离子水冲洗相配合，以对零部件进行第二次除污，进一步清洗掉零部件粘有的污染物；待两次除污后，对零部件进行干燥，以保证零部件干燥和洁净。基于上述过程，通过清除零部件的污染物，可以满足半导体设备的使用需求；并且，上述过程包括的步骤相对较少，且每个步骤相对简单，在一定程度上可以缩短处理工时，从而可以节省处理的时间，提高处理效率。
[0022]在一些实施例中，对零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，包括：
[0023]将零部件浸入复合清洗剂中进行第一次超声清洗，并进行第一次去离子水冲洗；
[0024]将零部件进入HF酸和臭氧水混合溶液中进行第二次超声清洗，并进行第二次去离子水冲洗。
[0025]本申请实施例中，利用复合清洗剂进行第一次超声清洗，利用HF酸和臭氧水混合溶液进行第二次超声清洗，且每次清洗都与去离子水冲洗相配合，从而可以有效除去零部件粘有的颗粒物、有机物、金属杂质等污染物。基于上述过程，使得零部件的金属杂质小于
0.05ppm，可以满足半导体设备的使用需求。
[0026]为了进一步提升对零部件的小颗粒污染物、部分有机物及部分金属杂质的去除效果，一些实施例中，复合清洗剂可以包括盐酸、硝酸和去离子水，以便于与待清除的污染物相对应，进而可以提高清除效果。
[0027]进一步地，复合清洗剂中的盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：(1～3)：(2～10)，基于此混合比例，可以有利于提高对零部件的小颗粒污染物、部分有机物及部分金属杂质的去除率，进而提高零部件的洁净度。
[0028]需要指出的是，上述盐酸为纯盐酸，即浓度为100％或接近100％的盐酸。上述硝酸为纯硝酸，即浓度为100％或接近100％的硝酸。
[0029]本申请实施例中，第一次超声清洗可以在装有混合酸超声槽中进行，且超声槽内设置有循环滤芯，以提升对零部件的处理效果。
[0030]其中，第一次超声清洗的条件包括：超声频率为40～80KHz，具体可以包括40KHz，50KHz、60KHz、70KHz、80KHz等，除此以外，还可以包括40～80KHz之间的其他任意值。
[0031]超声槽内设有的循环滤芯≤0.2μm，具体可以包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零部件的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：将零部件放入除污腔室中进行第一次除污；对经过第一次除污后的所述零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，以对所述零部件进行第二次除污；对经过两次除污后的所述零部件进行干燥。2.根据权利要求1所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述经过第一次除污后的所述对零部件进行超声清洗，并进行去离子水冲洗，包括：将所述零部件浸入复合清洗剂中进行第一次超声清洗，并进行第一次去离子水冲洗；将经过第一次去离子水冲洗后的所述零部件浸入HF酸和臭氧水混合溶液中进行第二次超声清洗，并进行第二次去离子水冲洗。3.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述复合清洗剂包括盐酸、硝酸和去离子水。4.根据权利要求3所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述复合清洗剂中盐酸、硝酸和去离子水的体积比为1：(1～3)：(2～10)。5.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述HF酸和臭氧水混合溶液中，HF酸的质量浓度为1％～3％，臭氧水的质量浓度为10ppm～30ppm。6.根据权利要求2所述的零部件的处理方法，其特征在于，所述第一次超声清洗的条件包括：超声频率为40～80KHz，循环滤芯≤0.2μm，浸泡时间为5min～10min；和/或，所述第一次去离子水冲洗的条件包括：冲洗时间为6min～10min，排水时间为2s～4s；和/或，所述第二次超声清洗的条件包括：超声频率为60～120KHz，循环滤芯≤0.2μm，浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇，董金卫，姚晶，杨帅，董曼飞，陈振伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：