【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及设备。
技术介绍
1、晶圆加工后处理是指对晶圆进行工艺后的处理步骤，比如，等离子体刻蚀或沉积工艺中，晶圆通过静电吸附固定于承载基座上以进行工艺，当工艺完成后需要通过顶针将晶圆升离承载基座至目标高度，以便机械手将晶圆取出工艺腔室。
2、顶针抬升晶圆前，首先关闭吸附电压，等离子体熄灭，晶圆上会形成残余电荷，使晶圆与承载基座之间仍具有一定的吸附作用，造成晶圆与承载基座之间发生粘片，从而晶圆被顶针顶起时导致晶圆破损，或者晶圆在顶针上发生偏移而造成机械手无法准确取出晶圆。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及半导体处理设备，可以减少晶圆上的残余电荷，以解决晶圆与承载基座之间发生粘片以及晶圆在顶针上发生偏移的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，所述方法包括：
3、采用...
【技术保护点】
1.一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，在所述采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电之前，所述方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至所述第二射频功率，包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述预设中间高度小于或等于1mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，在所述采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电之前，所述方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至所述第二射频功率，包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述预设中间高度小于或等于1mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述第二射频功率的初始功率为200-400w；
7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆加工后处理方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晶晶，赵晓建，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。