【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及设备。
技术介绍
1、晶圆加工后处理是指对晶圆进行工艺后的处理步骤，比如，等离子体刻蚀或沉积工艺中，晶圆通过静电吸附固定于承载基座上以进行工艺，当工艺完成后需要通过顶针将晶圆升离承载基座至目标高度，以便机械手将晶圆取出工艺腔室。
2、顶针抬升晶圆前，首先关闭吸附电压，等离子体熄灭，晶圆上会形成残余电荷，使晶圆与承载基座之间仍具有一定的吸附作用，造成晶圆与承载基座之间发生粘片，从而晶圆被顶针顶起时导致晶圆破损，或者晶圆在顶针上发生偏移而造成机械手无法准确取出晶圆。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及半导体处理设备，可以减少晶圆上的残余电荷，以解决晶圆与承载基座之间发生粘片以及晶圆在顶针上发生偏移的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，所述方法包括：
3、采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电；
4、将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至第二射频功率，所述第二射频功率的频率大于所述第一射频功率的频率；
5、将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，其中，所述预设目标高度大于所述预设中间高度。
6、可选的，在所述
7、关闭对所述晶圆进行工艺的射频功率以及关闭工艺气体；
8、所述采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电，包括：
9、输入非活性气体，打开所述第一射频功率以及关闭施加在所述承载基座上的吸附电压，保持第一预设时间以进行所述初次除静电。
10、可选的，所述将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至所述第二射频功率，包括：
11、将所述晶圆升至所述预设中间高度；
12、在保持所述第一射频功率开启的同时，打开所述第二射频功率；
13、经第二预设时间后关闭所述第一射频功率。
14、可选的，所述预设中间高度小于或等于1mm。
15、可选的，所述将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，包括：
16、将所述晶圆在预设步骤数内由所述预设中间高度等距离上升至所述预设目标高度，同时将所述第二射频功率在所述预设步骤数内等幅度减小至0。
17、可选的，所述第二射频功率的初始功率为200-400w；
18、所述预设步骤数为10-20。
19、可选的，所述第一射频功率的频率为400khz-6mhz；和/或，
20、所述第二射频功率的频率为10-80mhz；其中，
21、所述第一射频功率和所述第二射频功率施加于所述半导体处理设备的下电极上。
22、第二方面，本申请实施例提供一种控制装置，用于半导体处理设备，所述控制装置包括：存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上各实施例所述的晶圆加工后处理方法。
23、第三方面，本申请实施例提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上各实施例所述的晶圆加工后处理方法。
24、第四方面，本申请实施例提供一种半导体处理设备，包括：
25、腔室本体；
26、下电极，设置于所述腔室本体内；
27、承载基座，设置于所述下电极的顶面，用于承载晶圆；
28、顶针组件，设置于所述承载基座内，用于将所述晶圆从所述承载基座上顶起；
29、第一射频电源，与所述下电极连接，被配置为产生第一射频功率；
30、第二射频电源，与所述下电极连接，被配置为产生第二射频功率，其中，所述第二射频功率的频率大于所述第一射频功率的频率；
31、控制器，用于控制向所述腔室本体输入非活性气体，以及控制所述第一射频电源产生所述第一射频功率，以激发所述非活性气体，并将置于所述承载基座上的晶圆进行初次除静电；以及，
32、控制所述顶针组件将所述晶圆升至预设中间高度，并控制打开所述第二射频电源和关闭所述第一射频电源；以及，
33、控制所述顶针组件将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时控制所述第二射频电源将所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，其中，所述预设目标高度大于所述预设中间高度。
34、可选的，所述半导体处理设备，还包括与所述承载基座连接的吸附电源；
35、所述控制器还用于关闭所述第二射频电源和关闭工艺气体；以及，
36、控制输入非活性气体，并打开所述第一射频电源以及关闭所述吸附电源，并且保持第一预设时间以进行所述初次除静电。
37、可选的，所述控制器还用于控制所述顶针组件将所述晶圆在预设步骤数内由所述预设中间高度等距离上升至所述预设目标高度，同时控制所述第二射频电源将所述第二射频功率在所述预设步骤数内等幅度减小至0。
38、如上所述本申请的晶圆加工后处理方法，通过采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电，可以在预设时间内减少晶圆上的残余电荷，以解决晶圆与承载基座之间发生粘片的问题，由于第一射频功率的频率更低，可以使得初次除静电的时间更短，从而可以提高生产效率。然后将晶圆升至预设中间高度，并将第一射频功率切换至所述第二射频功率，再将晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使第二射频功率按照预设减小方式减小至0，不仅可以进一步减少晶圆上的残余电荷，而且晶圆上升至预设目标高度的过程与第二射频功率减小至0二次除静电的过程是重合的，既可以节省时间，提高生产效率，同时由于第二射频功率的频率较高，可以使第二射频功率在减小至0的过程中不至于过早灭辉造成二次除静电不彻底。此外，本实施例还可以避免相关技术对照例中晶圆上升至预设目标高度突然关闭第二射频功率时晶圆与承载基座之间发生打火现象。
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1.一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，在所述采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电之前，所述方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至所述第二射频功率，包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述预设中间高度小于或等于1mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述第二射频功率的初始功率为200-400W；
7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述第一射频功率的频率为400KHz-6MHz；和/或，
8.一种控制装置，用于半导体处理设备，所述控制装置
9.一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的晶圆加工后处理方法。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括与所述承载基座连接的吸附电源；
12.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述控制器还用于控制所述顶针组件将所述晶圆在预设步骤数内由所述预设中间高度等距离上升至所述预设目标高度，同时控制所述第二射频电源将所述第二射频功率在所述预设步骤数内等幅度减小至0。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工后处理方法，用于半导体处理设备，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，在所述采用第一射频功率激发非活性气体，以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电之前，所述方法包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆升至预设中间高度，并将射频功率由所述第一射频功率切换至所述第二射频功率，包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述预设中间高度小于或等于1mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述将所述晶圆按照预设上升方式升至预设目标高度，同时使所述第二射频功率按照预设减小方式减小至0，包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆加工后处理方法，其特征在于，所述第二射频功率的初始功率为200-400w；
7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆加工后处理方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晶晶，赵晓建，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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