温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及设备,所述方法包括:采用第一射频功率激发非活性气体,以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电;将所述晶圆升至预设中间高度,并将射频功率由所述第一射频功率切换至第二射频功率,所述第二射...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种晶圆加工后处理方法、控制装置、可读存储介质及设备,所述方法包括:采用第一射频功率激发非活性气体,以将置于承载基座上的晶圆进行初次除静电;将所述晶圆升至预设中间高度,并将射频功率由所述第一射频功率切换至第二射频功率,所述第二射...