【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及半导体工艺腔室、单侧残留消除方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、tsv(through silicon via；硅通孔)是通过在芯片和芯片、晶圆和晶圆之间通过刻蚀、激光钻孔等方式制作垂直导通孔，然后在导通孔内通过电镀等方式沉积导电物质而实现互连的技术。由于tsv的深度通常比所在的晶圆的厚度小，要实现互连，必须要对晶圆背面进行一减薄工艺，以露出tsv的导电中芯柱即tsv露头工艺。
2、现有的tsv露头工艺，主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种。其中，湿法刻蚀主要通过在对晶圆沉底的背面采用机械方式研磨减薄后，增加2次cmp(chemical mechanicalpolish，化学机械研磨)，第一次cmp采用无选择比的抛光液，使衬底表面的ttv(totalthickness variation，厚度变化量)控制在1μm以下，减少因为ttv过大而对露头造成的均匀性差的问题，第二次cmp采用对沉底、tsv介质层、tsv阻挡层三者之间高选择比的抛光液，使得刻蚀停留在tsv阻挡层上，从而保护里面的导电中芯柱不被...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔室本体、承载装置、中心进气组件和边缘进气组件；
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述边缘进气组件位于所述承载面的上方，所述边缘进气组件上设置有多个出气孔，且每个所述出气孔的轴线与所述承载面的夹角为20°～40°。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体包括连通的主筒和副筒；其中，所述中心进气组件设置于所述主筒背离所述副筒的一端，所述边缘进气组件环形设置在所述副筒的侧壁上。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述主筒外侧设置有第...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔室本体、承载装置、中心进气组件和边缘进气组件；
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述边缘进气组件位于所述承载面的上方，所述边缘进气组件上设置有多个出气孔，且每个所述出气孔的轴线与所述承载面的夹角为20°～40°。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体包括连通的主筒和副筒；其中，所述中心进气组件设置于所述主筒背离所述副筒的一端，所述边缘进气组件环形设置在所述副筒的侧壁上。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述主筒外侧设置有第一线圈，用于加载中心功率；所述副筒外侧设置有第二线圈，用于加载边缘功率，所述承载装置的内部设置有射频电极，用于加载下电极功率。
5.一种单侧残留消除方法，其特征在于，应用于上述权利要求1～4任一项所述的半导体工艺腔室，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的单侧残留消除方法，其特征在于，所述主刻蚀工艺阶段通入工艺气体对晶圆进行刻蚀，包括：控制所述中心进气组件和所述边缘进气组件分别通入刻蚀气体对所述晶圆进行刻蚀；
7.根据权利要求6所述的单侧残留消除方法，其特征在于，在所述过刻蚀工艺阶段之前，根据所述中芯柱所在的硅通孔的倾斜方向，确定所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周慧，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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