工艺腔室制造技术

本申请公开一种工艺腔室，属于半导体加工技术领域。所公开的工艺腔室用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括腔室本体、承载装置、靶材、准直器和驱动装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内且用于承载待加工的晶圆，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所述准直器设置于所述承载装置与所述靶材之间且与所述靶材相对设置，所述驱动装置与所述准直器相连，所述驱动装置可驱动所述准直器沿靠近或远离所述靶材的方向运动。上述方案能够解决晶圆的表面均匀性较差的问题。面均匀性较差的问题。面均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室


[0001]本申请属于半导体加工
，具体涉及一种工艺腔室。

技术介绍

[0002]在晶圆表面(即多晶硅表面和有源区表面)制成金属硅化物的工艺技术中，通常采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相淀积)磁控溅射设备在多晶硅栅和有源区上淀积一层金属(如Ti、Co或NiPt等)，经两次快速热退火处理以及一次选择性湿法刻蚀处理，最终在多晶硅表面和有源区表面形成金属硅化物，如TiSi2、CoSi2或NiPtSi等薄膜。
[0003]为使晶圆表面能够制成较为均匀的金属硅化物，在PVD磁控溅射设备的腔室内增设准直器，准直器可以过滤掉从靶材上逸出的角度较大的金属原子，从而保留了角度较小的金属原子使其沉积到晶圆表面，以使晶圆表面上能够生成较为均匀的金属硅化物。
[0004]但随着靶材的消耗，准直器表面会沉积很多的金属，这会导致准直器与靶材之间的距离缩小，进而导致靶材上逸出的金属原子较难作用到晶圆表面上，进而导致晶圆的表面均匀性较差。

技术实现思路

[0005]本申请公开一种工艺腔室，以解决晶圆的表面均匀性较差的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请采用下述技术方案：
[0007]一种工艺腔室，包括腔室本体、承载装置、靶材、准直器和驱动装置，所述承载装置设置于所述腔室本体内且用于承载待加工的晶圆，所述靶材设置于所述腔室本体的顶部，所述准直器设置于所述承载装置与所述靶材之间且与所述靶材相对设置，所述驱动装置与所述准直器相连，所述驱动装置可驱动所述准直器沿靠近或远离所述靶材的方向运动。
[0008]本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0009]本申请中，靶材和准直器均设于工艺腔室的腔室本体中，准直器设在靶材和承载装置之间，且靶材与准直器相对设置，以使准直器能够更好地保留角度较小的金属原子，驱动装置与准直器相连，以使驱动装置能够驱动准直器沿靠近或远离靶材的方向运动。由此可知，当准直器上沉积的金属较多时，可以通过驱动装置驱动准直器远离靶材，从而使得靶材与沉积有金属的准直器整体之间的距离不变，进而使得从靶材上逸出的角度较小的金属原子较容易作用到晶圆表面上，进而使得晶圆表面制成的金属硅化物等物质的均匀性较好。因此，本申请公开的工艺腔室能够解决晶圆的表面均匀性较差的问题。
附图说明
[0010]图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的工艺腔室的结构示意图；
[0011]图2为本申请实施例公开的准直器、支撑架和驱动装置的连接结构示意图；
[0012]图3为本申请实施例公开的驱动装置的局部结构示意图；
[0013]图4为本申请实施例公开的准直器、支撑架和第二防护内衬的连接结构示意图；
[0014]图5为本申请实施例公开的准直器的结构示意图。
[0015]附图标记说明：
[0016]100
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腔室本体、110
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内壁、120
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第一内腔、130
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第二内腔；
[0017]200
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靶材；
[0018]300
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准直器、310
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通孔；
[0019]400
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驱动装置、410
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驱动源、420
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驱动杆、430
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滑块、431
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限位部、440
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丝杆、450
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安装架、460
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第一限位传感器、470
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第二限位传感器；
[0020]500
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波纹管；
[0021]600
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支撑架；
[0022]710
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第一防护内衬、720
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第二防护内衬、730
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晶圆、740
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第三防护内衬、750
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电机、760
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磁控管、770
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陶瓷环、780
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遮挡环、790
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承载装置。
具体实施方式
[0023]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例公开的工艺腔室进行详细地说明。
[0025]请参考图1
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图5，本申请公开了一种工艺腔室，所公开的工艺腔室包括腔室本体100、承载装置790、靶材200、准直器300和驱动装置400。
[0026]本申请公开的工艺腔室用于半导体工艺设备中，以用于在晶圆表面上制成金属硅化物等物质，具体地，承载装置790设置于腔室本体100内且用于承载待加工的晶圆730，靶材200和准直器300均设置于腔室本体100内，且靶材200设置于腔室本体100的顶部，腔室本体100为高真空腔室，具体由设在腔室本体100底部的冷泵实现维持高真空。准直器300将腔室本体100分隔为第一内腔120和第二内腔130，靶材200位于第一内腔120，晶圆730位于第二内腔130，且准直器300设置于承载装置790与靶材200之间，靶材200与准直器300相对设置，以使准直器300能够更好地保留角度较小的金属原子。
[0027]具体地，当金属原子从靶材200上逸出后，经准直器300的过滤，即准直器300将逸出角度较大的金属原子留在准直器300上，角度较小的金属原子经过准直器300可以作用于晶圆730的表面，以用于制成金属硅化物。
[0028]驱动装置400用于与准直器300相连，从而使得驱动装置400可驱动准直器300沿靠近或远离靶材200的方向运动，即通过驱动装置400可使得靶材200与准直器300之间的间距可变，从而实现靶材200与沉积有金属的准直器300之间的间距可调。由此可知，当准直器300上沉积的金属越来越多时，为确保晶圆表面制成的金属硅化物的均匀性，本申请可通过驱动装置400持续调节靶材200与准直器300之间的间距，从而确保角度较小的金属原子能够顺利作用到晶圆表面，以用于制成均匀性较好的金属硅化物。可选地，驱动装置400可以是能够驱动部件运动的构件。
[0029]本申请中，靶材200和准直器300均设于半导体工艺设备的腔室本体100中，准直器
300设在靶材200和承载装置790之间，且靶材200与准直器300相对设置，以使准直器300能够更好地保留角度较小的金属原子，驱动装置400与准直器300相连，以使驱动装置400能够驱动准直器300沿靠近或远离靶材2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室包括腔室本体(100)、承载装置(790)、靶材(200)、准直器(300)和驱动装置(400)，所述承载装置(790)设置于所述腔室本体(100)内且用于承载待加工的晶圆(730)，所述靶材(200)设置于所述腔室本体(100)的顶部，所述准直器(300)设置于所述承载装置(790)与所述靶材(200)之间且与所述靶材(200)相对设置，所述驱动装置(400)与所述准直器(300)相连，所述驱动装置(400)可驱动所述准直器(300)沿靠近或远离所述靶材(200)的方向运动。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述驱动装置(400)包括驱动源(410)、传动组件和支撑架(600)，所述驱动源(410)设置于所述腔室本体(100)之外，所述准直器(300)固定于所述支撑架(600)上，所述传动组件与所述支撑架(600)相连，所述驱动源(410)通过所述传动组件驱动所述支撑架(600)带动所述准直器(300)沿垂直于所述靶材(200)的方向移动。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述传动组件包括波纹管(500)和驱动杆(420)，所述波纹管(500)套设于所述驱动杆(420)之外，所述波纹管(500)的一端与所述驱动杆(420)相连，所述波纹管(500)的另一端与所述腔室本体(100)相连，所述驱动杆(420)的两端分别连接所述驱动源(410)和所述支撑架(600)。4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述传动组件还包括滑块(430)和丝杆(440)，所述丝杆(440)与所述驱动源(410)相连，所述滑块(430)与所述丝杆(440)螺纹配合，且所述滑块(430)与所述驱动杆(420)相连。5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述驱动装置(400)还包括安装架(450)、第一限位传感器(460)和第二限位传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秉轩，陈吉，兰玥，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：