气体处理装置和半导体工艺设备制造方法及图纸

本申请公开一种气体处理装置和半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域。气体处理装置用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，该气体处理装置包括捕捉器和进气块，其中，所述捕捉器包括壳体和捕捉板，所述壳体设有第一进气口，所述捕捉板设置于所述壳体内，所述进气块设有第一进气通道和第二进气口，所述第一进气口通过所述第一进气通道与所述第一排气口相连通，所述第二进气口与所述第一进气通道相连通，所述第二进气口用于供第一反应气体进入所述第一进气通道内，并与所述第一排气口排出的第二反应气体反应。该方案能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
气体处理装置和半导体工艺设备


[0001]本申请属于半导体设备
，具体涉及一种气体处理装置和半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)是通过将气相前驱体交替地通入反应腔室并发生化学反应而形成沉积膜的一种方法，该方法可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，当前驱体达到沉积基体表面，它们会吸附在基体表面。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对反应腔室进行吹扫，以清除未吸附在基体表面的剩余反应源，以保证化学反应只在基体表面发生。
[0003]以ALD TiN薄膜工艺为例，前驱体分别为TiCl4和NH3，ALD工艺过程中TiCl4和NH3以交替的方式进入反应腔室，反应后多余的反应气体和工艺副产物将通过排气管路排出反应腔室，并且TiCl4和NH3将在排气管路内交替通过，当管壁吸附的两种反应物相遇时，将发生化学反应，其主要生成反应物为TiCl4·
5NH3或TiClN，该反应物以固态黄色物质状态附着在排气管路和排气管路上所设置的捕捉器内，而捕捉器的主要作用是收集这些固态生成物，避免固态生成物以粉末状进入抽气装置内，而影响抽气装置的正常运转，并且该固态黄色物质易与空气中的水气结合生成HCl，其腐蚀性将对抽气装置产生影响。然而，实际应用中，通常无法保证TiCl4全部被捕捉器捕捉到，如果NH3量不充足，将有多余的TiCl4进入抽气装置内，从而对抽气装置造成腐蚀。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的是提供一种气体处理装置和半导体工艺设备，气体处理装置用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种气体处理装置，用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，包括捕捉器和进气块，其中，所述捕捉器包括壳体和捕捉板，所述壳体设有第一进气口，所述捕捉板设置于所述壳体内，所述进气块设有第一进气通道和第二进气口，所述第一进气口通过所述第一进气通道与所述第一排气口相连通，所述第二进气口与所述第一进气通道相连通，所述第二进气口用于供第一反应气体进入所述第一进气通道内，并与所述第一排气口排出的第二反应气体反应。
[0007]第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、抽气装置和上述的气体处理装置，所述工艺腔室的第一排气口与所述气体处理装置的进气端相连通，所述气体处理装置的出气端与所述抽气装置相连通。
[0008]在本申请实施例中，半导体工艺设备的工艺腔室内剩余的气体通过进气块的第一进气通道通入捕捉器的壳体内，通过在进气块上开设第二进气口，以通入第一反应气体，第
一反应气体与自第一排气口排出且进入第一进气通道的第二反应气体充分反应，从而避免捕捉器内的第二反应气体因反应不完全而进入半导体工艺设备的抽气装置内。因此，本申请实施例能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。
附图说明
[0009]图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
[0010]图2为本申请实施例公开的捕捉器和进气块的结构示意图；
[0011]图3为本申请实施例公开的进气块的俯视图；
[0012]图4为本申请实施例公开的进气块的剖视图；
[0013]图5为图4所示结构A
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A处的剖视图；
[0014]图6为图4所示结构B
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B处的剖视图；
[0015]图7为本申请实施例公开的进气块处于另一位置处的剖视图。
[0016]附图标记说明：
[0017]100
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半导体工艺设备、110
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工艺腔室、111
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第一排气口、120
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第三通气管、130
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第四通气管、140
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静电卡盘、150
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抽气装置；
[0018]210
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捕捉器、211
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壳体、211a
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第一进气口、211b
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第二排气口、212
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捕捉板、220
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进气块、221
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第一进气通道、222
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第二进气口、223
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第二进气通道、223a
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第一孔段、223b
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第二孔段、230
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加热件、240
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第一通气管、250
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第一压力传感器、260
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第二通气管、270
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第二压力传感器、280
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第一控制阀、290
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第二控制阀。
具体实施方式
[0019]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0021]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的气体处理装置和半导体工艺设备进行详细地说明。
[0022]如图1至图7所示，本申请实施例公开一种气体处理装置，用于与半导体工艺设备100的工艺腔室110的第一排气口111相连通。可选地，半导体工艺设备100包括工艺腔室110、第三通气管120、第四通气管130、静电卡盘140和抽气装置150，第三通气管120和第四通气管130分别与工艺腔室110相连通，第一反应气体通过第三通气管120通入工艺腔室110内，第二反应气体通过第四通气管130通入工艺腔室110内，静电卡盘140设置于工艺腔室110内，静电卡盘140用于支撑晶圆，第一反应气体和第二反应气体在工艺腔室110内反应并
在晶圆上完成薄膜生长。当第一反应气体与第二反应气体在工艺腔室110内反应后有剩余时，将其通入气体处理装置内，当然第一反应气体与第二反应气体反应后的副产物也随剩余气体一起通入气体处理装置内。可选地，第一反应气体可以为NH3，第二反应气体可以为TiCl4，当然第一反应气体和第二反应气体也可以为其它气体，本申请实施例不作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体处理装置，用于与半导体工艺设备(100)的工艺腔室(110)的第一排气口(111)相连通，其特征在于，包括捕捉器(210)和进气块(220)，其中，所述捕捉器(210)包括壳体(211)和捕捉板(212)，所述壳体(211)设有第一进气口(211a)，所述捕捉板(212)设置于所述壳体(211)内，所述进气块(220)设有第一进气通道(221)和第二进气口(222)，所述第一进气口(211a)通过所述第一进气通道(221)与所述第一排气口(111)相连通，所述第二进气口(222)与所述第一进气通道(221)相连通，所述第二进气口(222)用于供第一反应气体进入所述第一进气通道(221)内，并与所述第一排气口(111)排出的第二反应气体反应。2.根据权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于，所述气体处理装置还包括加热件(230)，所述加热件(230)嵌设于所述进气块(220)的侧壁内部。3.根据权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于，所述进气块(220)还设有第二进气通道(223)，所述第二进气通道(223)通过所述第二进气口(222)与所述第一进气通道(221)相连通，所述第二进气通道(223)为弯折形通道。4.根据权利要求3所述的气体处理装置，其特征在于，所述第二进气通道(223)包括相连通的第一孔段(223a)和第二孔段(223b)，所述第一孔段(223a)相对于所述第二孔段(223b)弯折，所述第一孔段(223a)通过所述第二孔段(223b)与所述第二进气口(222)相连通，所述第二孔段(223b)沿所述第一进气通道(221)的延伸方...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪红，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：