一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，在工艺腔内的进气方式采用炉口、炉中同时进气，炉尾抽气的方式，工艺气体流动从炉口向炉尾方向，石英舟托上依次放置舟托匀流板、格栅板和石英舟，舟托匀流板上开设有若干个按顺序均匀排布的小孔，在舟托匀流板内侧设置格栅板，舟托匀流板和格栅板间隔设置。本发明专利技术可以使工艺气流与硅片接触的更均匀，同时避免了气体绕流对工艺的影响，能极大的改善LPCVD表面镀膜均匀性。LPCVD表面镀膜均匀性。LPCVD表面镀膜均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池制造
，尤其是一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法。

技术介绍

[0002]目前，太阳能光伏电池通常使用的是以硅为基底的硅光伏电池，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅光伏电池。太阳能光伏电池的制备过程中，硅片需要依次经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜以及印刷等工序。对于LPCVD等镀膜工艺，传统的石英舟插片方式为横插片，工艺方式为包覆式气流；经过长期的积累和改进，包覆式气流的工艺方法已经趋于完善。但是，在相同口径条件下，这样放置硅片的数量较低，不能充分利用炉口空间。新式的石英舟插片方式为竖插片，工艺方式为穿插式气流；竖插片石英舟与横插片石英舟比较，在相同的条件下，有更大产能。竖插片石英舟放置还需要对穿插式气流进行匀流处理，以实现更好的表面镀膜工艺。

技术实现思路

[0003]本申请人针对上述现有技术中这些缺点，提供了一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，从而使工艺气流与硅片接触的更均匀，同时避免了气体绕流对工艺的影响，能极大的改善LPCVD表面镀膜均匀性。
[0004]本专利技术所采用的技术方案如下：一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，在工艺腔内的进气方式采用炉口、炉中同时进气，炉尾抽气的方式，工艺气体流动从炉口向炉尾方向，石英舟托上依次放置舟托匀流板、格栅板和石英舟，舟托匀流板上开设有若干个按顺序均匀排布的小孔，在舟托匀流板内侧设置格栅板，舟托匀流板和格栅板间隔设置。
[0005]作为上述技术方案的进一步改进：石英舟托包括前端板、后端板、左侧栏、右侧栏，前端板、后端板位于左侧栏和右侧栏的两端并与两个侧栏垂直连接，在前端板处和后端板处分别对应设置舟托匀流板，舟托匀流板与前端板、后端板方向平行。
[0006]舟托匀流板上的小孔形状为圆孔、菱形孔或者方孔，小孔为圆孔时直径为6
‑
20mm。
[0007]舟托匀流板为单层匀流板或者平行间隔设置的多层匀流板，多层匀流板的间距为5
‑
30mm。
[0008]相邻多层匀流板上分布的小孔在工艺气流方向上完全错开。
[0009]舟托匀流板与靠近炉口的第一个石英舟之间的距离为150mm
‑
300mm。
[0010]格栅板采用单层格栅板或平行间隔设置的双层格栅板，双层格栅板之间设有连接杆，格栅板的两侧设有伸出的支撑把手。
[0011]格栅板上设有一排间隔排列的格栅孔，格栅孔采用条状的弥散孔，弥散孔的方向与硅片放置方向一致。
[0012]格栅板与靠近炉口的第一个石英舟之间的距离为10mm
‑
60mm。
[0013]石英舟包括左侧板、右侧板和连接左侧板、右侧板的若干横杆，横杆分为上下两排，横杆采用水平设置或者与水平方向倾斜设置，倾斜角度θ为2
°
～10
°
；上横杆与下横杆的相对表面上开设有连续的卡槽，卡槽为矩形齿槽或者向两侧张开角度呈︺字形槽。
[0014]本专利技术的有益效果如下：本专利技术采用石英舟均布排列，两侧放置有舟托匀流板；在靠近炉口的位置，匀流板和第一个石英舟之间放置有格栅板，格栅板上开有条状弥散孔。工艺气体经过匀流板、格栅板之后，与硅片更均匀的接触，最后经过舟托另一端的匀流板抽出工艺腔体。可以使工艺气流与硅片接触的更均匀，同时避免了气体绕流对工艺的影响，能极大的改善LPCVD表面镀膜均匀性。本专利技术针对竖插片的穿插式气流方式，能极大的改善整管硅片表面镀膜的膜厚均匀性，特别是第一个石英舟的硅片表面镀膜均匀性，杜绝色差。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的主视图。
[0016]图2为图1的俯视图。
[0017]图3为图1的左视图。
[0018]图4为本专利技术格栅板的主视图。
[0019]图5为图4的俯视图。
[0020]图6为图4的左视图。
[0021]图中：1、石英舟托；2、舟托匀流板；3、格栅板；4、石英舟。
具体实施方式
[0022]下面结合附图，说明本专利技术的具体实施方式。
[0023]参照图1至图6所示，本专利技术所述的改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，在工艺腔内的进气方式采用炉口、炉中同时进气，炉尾抽气的方式，工艺气体流动从炉口向炉尾方向。石英舟托1上依次放置舟托匀流板2、格栅板3和石英舟4，石英舟托1包括前端板、后端板、左侧栏、右侧栏，前端板、后端板位于左侧栏和右侧栏的两端并与两个侧栏垂直连接，构成一个矩形框架。在前端板处和后端板处分别对应设置舟托匀流板2，舟托匀流板2与前端板、后端板方向平行，横向设置于左侧栏、右侧栏之间。舟托匀流板2上开设有若干个按顺序均匀排布的小孔，形状为圆孔、菱形孔或者方孔。小孔为圆孔时直径为6
‑
20mm。舟托匀流板2为单层匀流板或者平行间隔设置的多层匀流板，多层匀流板的间距为5
‑
30mm。相邻多层匀流板上分布的小孔在工艺气流方向上完全错开。
[0024]在舟托匀流板2内侧设置格栅板3，舟托匀流板2和格栅板3间隔设置。格栅板3采用单层格栅板3或平行间隔设置的双层格栅板3，双层格栅板3之间设有连接杆。格栅板3的两侧设有伸出的支撑把手。格栅板3上设有一排间隔排列的格栅孔，格栅孔采用条状的弥散孔，弥散孔的方向与硅片放置方向一致，格栅孔呈竖直设置或者倾斜设置。在格栅板3的内侧放置若干个石英舟4，石英舟4上装载有硅片。舟托匀流板2与靠近炉口的第一个石英舟4之间的距离为150mm
‑
300mm。格栅板3与靠近炉口的第一个石英舟4之间的距离为10mm
‑
60mm。
[0025]石英舟4包括左侧板、右侧板和连接左侧板、右侧板的若干横杆，横杆分为上下两
排，包括一组上横杆和一组下横杆。左侧板和右侧板采用竖向设置，在左侧板和右侧板的外侧面上设有定位柱，定位柱垂直于左侧板和右侧板横向设置，定位柱优选为左侧板和右侧板上各两个。
[0026]作为一种实施，在左侧板和右侧板之间的横杆采用水平设置。上横杆与下横杆的相对表面上开设有连续的卡槽。横杆上的卡槽为矩形齿槽或者向两侧张开角度呈︺字形槽。上横杆和下横杆上的卡槽相互对应且间距相同，分别卡住硅片的相对两边。硅片放置时处于竖直状态，与炉口截面垂直，气流穿插式流过硅片表面。石英舟4通过左右定位柱放置在石英舟托1上，左侧板和右侧板位于石英舟托1的两个侧栏内。横杆的数量优选为四个，四个横杆相互平行围成一个长方体，四个横杆分别位于长方体的四个棱上。四个横杆采用竖直设置或者与水平方向倾斜设置。
[0027]作为另一实施，在左侧板和右侧板之间的横杆采用与水平方向倾斜设置，倾斜角度θ为2
°
～10
°
。上横杆与下横杆的相对表面上开设有连续的卡槽。横杆上的卡槽为矩形齿槽或者向两侧张开角度呈︺字形槽。上横杆和下横杆上的卡槽相互对应且间距相同，分别卡住硅片的相对两边。硅片放置时处于竖向倾斜状态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，其特征在于：在工艺腔内的进气方式采用炉口、炉中同时进气，炉尾抽气的方式，工艺气体流动从炉口向炉尾方向，石英舟托(1)上依次放置舟托匀流板(2)、格栅板(3)和石英舟(4)，舟托匀流板(2)上开设有若干个按顺序均匀排布的小孔，在舟托匀流板(2)内侧设置格栅板(3)，舟托匀流板(2)和格栅板(3)间隔设置。2.根据权利要求1所述的改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，其特征在于：石英舟托(1)包括前端板、后端板、左侧栏、右侧栏，前端板、后端板位于左侧栏和右侧栏的两端并与两个侧栏垂直连接，在前端板处和后端板处分别对应设置舟托匀流板(2)，舟托匀流板(2)与前端板、后端板方向平行。3.根据权利要求1所述的改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，其特征在于：舟托匀流板(2)上的小孔形状为圆孔、菱形孔或者方孔，小孔为圆孔时直径为6
‑
20mm。4.根据权利要求1所述的改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，其特征在于：舟托匀流板(2)为单层匀流板或者平行间隔设置的多层匀流板，多层匀流板的间距为5
‑
30mm。5.根据权利要求4所述的改善LPCVD表面镀膜工艺的方法，其特征在于：相邻多层匀流板上分布的小孔在工艺气流方向上完全...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，李丙科，张海洋，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：