一种太阳能电池钝化层结构及其制备方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种太阳能电池钝化层结构及其制备方法、装置，所述方法包括：（1）提供一个ALD沉积腔室，ALD沉积腔室设有至少两个真空发生装置；（2）抽真空，加热至200~310℃，通入TMA，通入氮气吹扫，通入水蒸汽，通入氮气吹扫，以此循环1~30次，沉积第一氧化铝薄膜；单个循环的沉积厚度为0.1~0.14nm；（3）抽真空，保持ALD沉积腔室200~310℃；通入TMA，通入氮气吹扫，通入水蒸汽，通入氮气吹扫，循环1~17次；沉积第二氧化铝薄膜；单个循环的沉积厚度为0.12~0.15nm。本发明专利技术通过在ALD沉积腔室设有至少两个真空发生装置，工艺效果稳定性更好，可以防止粉尘倒灌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池，特别是涉及一种太阳能电池钝化层结构及其制备方法、装置。

技术介绍

1、晶硅太阳能电池以其成熟的工艺较高的光电转化效率而成为目前应用最为广泛的太阳能电池。然而在晶硅电池的制备过程中，硅片切割、陷光结构制备等过程会在硅片表面造成损伤，表面损伤与制备表面陷光结构的过程使电池表面缺陷态大幅度提高，增加了电子-空穴对的复合率，从而降低了电极对电荷的收集，降低了晶硅太阳电池效率。al2o3薄膜具有化学钝化与场钝化的双重钝化效果，是目前最为优良的晶硅太阳能电池钝化材料，其已应用于perc与perl电池使其光电转化效率达到20%以上。

2、原子层沉积技术（atomic layer deposition，简称ald）是一种将物质以单原子层形式逐层在基底表面形成薄膜的真空镀膜工艺。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法(技术)。当前躯体达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池钝化层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，单个循环中，TMA的通入流量为1000~3000sccm，持续时间在4~8s，稀释N2的通入流量为1000~5000 sccm，停留时间为1~5s；步骤（2）中，单个循环中，氮气吹扫TMA的流量为8000~15000sccm，吹扫时间为4~10s，停留时间为1~5s；步骤（2）中，单个循环中，水蒸汽的通入流量为1000~5000 sccm，持续时间4~8s，停留时间为1~5s。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池钝化层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，单个循环中，tma的通入流量为1000~3000sccm，持续时间在4~8s，稀释n2的通入流量为1000~5000 sccm，停留时间为1~5s；步骤（2）中，单个循环中，氮气吹扫tma的流量为8000~15000sccm，吹扫时间为4~10s，停留时间为1~5s；步骤（2）中，单个循环中，水蒸汽的通入流量为1000~5000 sccm，持续时间4~8s，停留时间为1~5s。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，单个循环中，氮气吹扫水蒸汽的流量为8000~15000sccm，吹扫时间为4~8s，停留时间为1~5s。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，单个循环中，tma的通入流量为2000~4000sccm，持续时间在3~7s，稀释n2的通入流量为2000~6000 sccm，停留时间为1~5s；步骤（3）中，单个循环中，氮气吹扫tma的流量为10000~20000sccm，吹扫时间为3~9s，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，李丙科，卓倩武，周舒平，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：