用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法。本发明专利技术方法通过在载体舟中增设降速板、提速板以及舟盖，以及在原子层沉积腔中增加反射板的设置，对流经载体舟内的前驱体气流量及气流方式进行优化，使在TOPCon电池硅片正面沉积得到厚度均匀性好的氧化铝膜，且该硅片背面不被绕镀。特别地，反射气进气的方式减缓前驱体气体对背面紧贴的2片硅片的冲击，避免2片硅片背面分离，进而避免氧化铝膜绕镀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法。

技术介绍

1、 topcon电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的晶硅太阳能电池，其转换效率以压倒性优势替代perc电池，近来成为电池行业研究的热点。

2、氧化铝膜（al2o3膜）因其良好的共形覆盖能力和较低的缺陷态密度而被广泛应用于晶硅太阳能电池的表面钝化。氧化铝膜中含有大量的氢原子，经过退火处理，氢原子被释放扩散到硅片表面进行化学钝化，同时可以固定大量的负电荷，对硅片表面形成场钝化效应。对于topcon电池，硅片在进行刻蚀之后，会在其正面制备氧化铝膜作为钝化层，之后再在其正面及背面镀上sinx涂层。

3、 氧化铝膜一般采用原子层沉积（atomic layer deposition，简称 ald）法制备。双插硅片管式ald设备，是每两片硅片背靠背紧贴叠放在一个铝舟槽齿里，前驱体气流经过叠放的硅片时，在硅片正面沉积上氧化铝膜层，其相较于单插硅片管式ald设备，具有较大的产能，因此成为氧化铝膜镀膜的常用设备。

4、现有技术中，申请公布号为cn本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤S1中，降速板与载体舟内装载硅片的位置相距40~100mm。

3.如权利要求1所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤S1中，载体舟上设有舟盖。

4.如权利要求3所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤S1中，舟盖上设有若干促流小孔。

5.如权利要求4所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：以载体舟的进气端为前，舟盖的后半段设置的促流小孔的数量是前半段...

【技术特征摘要】

1.一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤s1中，降速板与载体舟内装载硅片的位置相距40~100mm。

3.如权利要求1所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤s1中，载体舟上设有舟盖。

4.如权利要求3所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤s1中，舟盖上设有若干促流小孔。

5.如权利要求4所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：以载体舟的进气端为前，舟盖的后半段设置的促流小孔的数量是前半段的2~3倍。

6.如权利要求1所述的一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：步骤s3中，所述第一前驱体气体的进气流量为10~20l/min；所述第二前...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜鹏宇，陈庆敏，李丙科，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：