本发明公开了一种半导体工艺设备及其控制方法，所公开的半导体工艺设备包括载气源、载气输入管道、工艺源容器、混合气体管道和工艺腔室，其中：载气输入管道的第一端与载气源连接，载气输入管道的第二端与工艺源容器的气体进口连接；半导体工艺设备还包括...

本发明实施例提供了一种物料调度方法和一种半导体工艺设备，所述方法包括：在采用局部最优算法挑选高优先级物料的过程中，若一个所述预抽充腔室中同时存在从片盒传出未进行工艺的第一物料和完成工艺需传回所述片盒的第二物料，则将所述第一物料添加至高优...

本实用新型提供一种工艺门，包括密封盘、转轴、旋转驱动装置和调平机构，密封盘的顶面用于封闭立式炉炉体的底部开口，密封盘的中心形成有沿厚度方向贯穿密封盘的传动孔，转轴的顶部用于支撑晶圆承载装置，转轴的底端设置在传动孔中并通过调平机构与旋转驱...

本实用新型公开了一种立式热处理设备，该设备包括设备主体、设置在设备主体上的门框、设置在门框上下两端的导向件、用于密封门框对应开口的密封门和用于驱动密封门运动的驱动机构；驱动机构的一端设于门框上，另一端连接于密封门，且密封门和导向件均相对...

本发明公开一种刻蚀方法，用于在被刻蚀件上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽，且所述第一沟槽的纵截面的宽度大于所述第二沟槽的纵截面的宽度，刻蚀方法包括：向工艺腔室通入钝化气体，直至第一预设时长后所述被刻蚀件上用以形成所述第一沟槽和所述第二沟槽的对...

本发明公开一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，所公开的晶圆承载装置包括支架和晶圆托盘模块，其中：所述晶圆托盘模块可拆卸地安装于所述支架上，所述晶圆托盘模块包括间隔分布的多个晶圆托盘和连接所述多个晶圆托盘的连接件，所述晶圆托盘设有第一晶圆定...

本发明实施例提供一种尾气处理装置，用于处理半导体工艺设备排出的氢气尾气。该尾气处理装置包括依次设置的进气腔、燃烧腔和冷凝腔，进气腔与燃烧相互隔绝，燃烧腔与冷凝腔相互连通，冷凝腔用于与厂务管道连通；其中，进气腔中设置有互不连通的氢气管路和...

本申请公开了一种源瓶的温度控制系统及方法，系统包括：源瓶本体；设置于源瓶本体内的液位计和压力计，液位计用于检测源瓶本体内所承载工艺源的液位值，压力计用于检测源瓶本体内的压力值；设置于源瓶本体的外瓶壁上的第一热电偶、设置于源瓶本体的气流出...

本发明公开一种半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺设备，包括腔体、晶舟、射频缓冲室和多个射频电极组，腔体具有反应腔，晶舟设置于反应腔内，晶舟具有多个晶圆放置位，晶圆放置位层叠且间隔设置，晶圆放置位用于放置被加工晶圆。射频...

本申请公开了一种工艺腔室及平行度的检测方法，工艺腔室包括腔室本体和盖设于腔室本体上方的腔室盖板；承载装置具有承载晶圆的承载面；介质窗具有与承载面相对设置的第一表面和远离承载面的第二表面；检测组件包括处理器和设置于腔室盖板上的多个检测器，...

本发明实施例公开了一种射频匹配器及其控制方法，该射频匹配器包括：功率检测单元、阻抗调整单元、模拟控制单元、模拟接口、微控制单元、触屏显示单元和传输单元；功率检测单元，与模拟控制单元连接；模拟控制单元，与阻抗调整单元连接；阻抗调整单元包括...

本发明公开一种缓冲部件、液体回收装置和半导体清洗设备，涉及半导体制造技术领域。该缓冲部件可应用于半导体清洗设备的液体回收装置。该缓冲部件包括本体和第一缓冲部，本体具有液体回收通道，液体回收通道沿本体的厚度方向贯穿本体，且液体回收通道在本...

本发明提供一种晶圆干燥方法以及半导体干燥设备，用于处理表面具有掩膜层的晶圆；方法包括：将晶圆置入干燥槽中；向干燥槽内部通入去离子水，直至去离子水液面高度完全高于晶圆；去离子水温度具有第一预设温度；向干燥槽内部液面上方的空间中通入异丙醇蒸...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法。该形成叠层薄膜结构的方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上，对介质靶材施加第一溅射功率，以在晶圆的表面沉积形成介质薄膜；第二溅射步骤，将溅...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、上电极、承载盘和下电极组件，上电极和承载盘均设置在腔体中，承载盘用于承载晶圆，上电极位于承载盘上方，下电极组件用于向承载盘中的下电极提供射频信号，上电极包括由上至下依次层叠设置且彼此绝缘的接地...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其预热腔室。该预热腔室用于在执行工艺之前对晶圆进行预热，包括：腔室本体及控温装置；腔室本体内具有容置空间，并且容置空间内设置有支撑组件，支撑组件用于与晶圆的边缘配合，以用于承载多个层叠且间隔设置的晶...

本申请公开一种半导体工艺设备，包括反应腔室、介质筒、盖板、匀流板和进气端盖，进气端盖盖设于介质筒的顶端，用于将工艺气体输送至介质筒内，盖板设于反应腔室的上部，介质筒的底端连接于盖板背离反应腔室的表面，且与工艺空间连通，匀流板设于盖板朝向...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，腔体开设有供工艺气体进入的进气孔；承载件承载晶圆；第一导流件环绕承载件设置，第二导流件与第一导流件相对设置，并与第一导流件之间形成有进气导流通道，进气导流通道的进气口与进气孔连通，出气口位于承载件的上方...

本实用新型提供一种半导体工艺炉及半导体工艺设备，半导体工艺炉包括炉管，炉管设置有炉口和炉尾，半导体工艺炉还包括进气部件，进气部件包括主进气管和环状匀气管，其中：主进气管自炉尾穿入至炉管内，并朝炉口的方向延伸，主进气管的出气端靠近炉口朝向...

本实用新型实施例公开一种电路切换板和半导体设备，电路切换板包括：电源、至少一个继电器、工控机端插座、至少两个屏幕端插座；电源通过与每个继电器的供电端连接形成供电回路；每个继电器对应连接至少一个屏幕端插座；至少一个继电器中至多一个继电器可...