北京北方华创微电子装备有限公司专利技术

北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利

  • 本实用新型实施例公开模拟负载装置和射频电源测试系统,该装置包括:匹配电路;匹配电路包括第一电容单元和电感,匹配电路输入端与第一电容单元输入端连接,第一电容单元输出端与电感输入端连接,电感输出端与匹配电路输出端连接;匹配电路输入端与第一电...
  • 本申请公开一种半导体清洗设备及其机械臂,属于半导体技术领域。半导体清洗设备的机械臂包括机械臂本体、压力检测元件和驱动机构,机械臂本体包括主体件和活动板,活动板与主体件活动连接,压力检测元件用于检测活动板所受的压力值,压力检测元件设于主体...
  • 本实用新型公开一种半导体腔室的下电极组件及半导体腔室,所述下电极组件包括基座、接口盘、卡盘组件、吹扫件和冷却管路;所述卡盘组件、所述接口盘和所述基座依次叠置,所述接口盘与所述基座围成容纳空间,所述卡盘组件开设有冷却通道,所述冷却管路的部...
  • 本实用新型提供一种半导体设备及其加热装置,加热装置包括至少一对线圈组件,线圈组件包括线圈、上支撑板、下支撑板、固定结构、多个线圈固定板和多个线圈固定件,固定结构与两支撑板固定连接,多个线圈固定板和线圈固定件均绕线圈的轴线周向设置,线圈固...
  • 本发明提供一种半导体工艺设备及其匀气装置,匀气装置的上匀气件的第一匀气槽部与中匀气件的第二匀气槽部相对,形成连通上匀气件的第一进气通道,及中匀气件的第一排气通孔部的第一匀流通道部,上匀气件的第二进气通道连通中匀气件的第三进气通道,中匀气...
  • 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括:托盘、基座及顶针组件;托盘上设置有承载结构,承载结构沿竖直方向贯穿托盘,用于在水平方向上承载多个晶圆;基座上设置有顶抵结构,顶抵结构与承载结构对应设置,用于在托盘叠置于基...
  • 本发明公开一种半导体清洗设备及其混液装置,所公开的混液装置,包括暂存容器、第一液体输入管路、混液容器、泄压机构和驱动气体管路,其中:所述第一液体输入管路的液体输出端与所述暂存容器连通,所述暂存容器的出液部与所述混液容器连通,所述驱动气体...
  • 本申请公开一种半导体处理装置,能够降低所述机台的维护时长和维护难度,提高了所述机台的产能。本申请提供了一种半导体处理装置,包括:反应腔室;感应加热器,设置于所述反应腔室内,用于调整所述反应腔室的温度;温度调控模块,连接至所述感应加热器,...
  • 本发明提供一种温控装置及半导体工艺设备,温控装置应用于半导体工艺设备,用于对介质窗的温度进行控制,温控装置包括换热结构、循环部件和温控组件,其中,换热结构设置于介质窗上,且在介质窗上的正投影呈渐开线状;循环部件与换热结构连通,用于向换热...
  • 本发明公开一种晶圆夹持装置及清洗设备,晶圆夹持装置包括基座和多个夹持件;基座包括主体部和凸起部,凸起部的顶面凸出于主体部的顶面,主体部的顶面与凸起部的外侧壁围成避让凹槽,避让凹槽用于避让清洗设备的机械手;多个夹持件可活动的设置于主体部,...
  • 本发明提供一种半导体工艺方法,包括:执行半导体工艺,半导体工艺包括在预定基板上制作第一芯轴图案,在每个第一芯轴的两侧制作第一侧壁,去除第一芯轴,利用第一侧壁对预定基板进行加工,以形成多个鳍片结构;根据多次执行半导体工艺时,第一芯轴的宽度...
  • 本发明提供一种管路检测方法,包括:等离子体形成步骤、控制半导体工艺腔室的一根进气管路向腔体中提供工艺气体,并控制启辉组件电离腔体中的工艺气体以形成等离子体;识别步骤、控制光信号检测装置检测等离子体产生的光信号,并将光信号对应于各波长的幅...
  • 本发明提供一种卡盘装置,用于半导体设备,卡盘装置包括承载盘,承载盘的内部设置有至少一个第一电极,第一电极用于与供电组件连接,以接收供电组件提供的射频信号,卡盘装置还包括至少一个电磁感测组件,电磁感测组件与第一电极一一对应设置,且电磁感测...
  • 本发明公开了一种晶圆的调度方法、装置及半导体工艺设备,用于调度工艺前由两个晶圆键合形成的键合晶圆和键合晶圆在工艺后分离为的第一晶圆和第二晶圆;调度方法包括:在工艺腔室中对键合晶圆进行工艺将其分离为第一晶圆和第二晶圆之后,确定与第一晶圆所...
  • 本申请公开了一种半导体热处理设备,属于半导体工艺设备技术领域。该半导体热处理设备包括:腔室内管,腔室内管具有内周面;排气管,排气管与腔室内管连通;排气结构,排气结构设置于内周面,排气结构与腔室内管之间形成排气腔,排气腔与排气管相连通,排...
  • 本发明提供一种等离子体清洗方法,用于去除半导体工艺设备的工艺腔室中的副产物,包括第一清洗步骤,去除所述工艺腔室的上部区域中的所述金属副产物;第二清洗步骤,去除所述工艺腔室的上部区域中的所述有机副产物;第三清洗步骤,去除所述工艺腔室的下部...
  • 本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构,上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置;磁控管组件位于靶材上方;发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧,且高度均与磁控管组件对应;发射组件用于向接收组...
  • 本发明实施例提供了一种路径编辑的方法和装置,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:接收用户基于路径编辑界面输入的新建指令,响应于新建指令,在传送路径中添加新建工艺步骤,并在路径编辑界面中标示出新建工艺步骤的多个输入控件,接收用户通过目标...
  • 本发明提供一种晶舟及半导体设备,晶舟多个间隔设置的舟片组,每个舟片组包括两个相对且间隔设置的舟片,相邻的两个舟片组用于与射频电源的相反电极连接,且同一个舟片组中的舟片均用于与射频电源的同一电极连接,相邻的两个舟片组之间的间隔空间用于放置...
  • 本发明公开一种半导体热处理设备的冷却装置及半导体热处理设备,冷却装置包括主体部和流量调节组件;主体部开设有冷却通道以及与冷却通道相连通的第一入口和出口;流量调节组件设置于第一入口处,流量调节组件包括形状记忆结构件和挡板,形状记忆结构件与...