本申请实施例提供了一种晶片承载装置，所述晶片承载装置包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体和第二导体；所述第一导体用于与射频电源的第一电极电连接，所述第二导体用于与所述射频电源的第二电极电连接，以使所述第一导体与...

本申请公开一种铜互连结构的制备方法，属于半导体工艺技术领域。铜互连结构的制备方法包括第一刻蚀步骤、保护层沉积步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤为：以硬掩膜层为掩膜，利用刻蚀气体对铜层的表面进行刻蚀，以在铜层的表面形成沟槽，直至沟槽达...

本申请公开了一种下射频电源的电压控制方法及半导体工艺设备，预先获取馈电至静电卡盘的下射频电源的电压设定值，并根据预设电压修正策略对电压设定值进行修正，得到目标电压值；获取与静电卡盘连接的射频电压传感器输出的第一电压信号，并根据第一电压信...

本发明公开一种注液管和槽式清洗设备，涉及半导体制造技术领域。该注液管包括第一管道和第二管道，第二管道套设于第一管道，第二管道的两端分别与第一管道密封相连，且第一管道和第二管道之间形成有缓冲腔，第一管道具有进液口，进液口用于与供液管路连通...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，用于通过多个托盘分别承载多个晶圆，包括：隔热筒及基座，隔热筒与基座同轴设置；隔热筒内开设有多个进气通道，进气通道用于通入导流气体；基座包括多个子基座，多个子基...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体处理设备，半导体工艺腔室包括腔室本体和设置于腔室本体顶部的介质窗；还包括加热组件，设置在介质窗的顶面；加热组件包括内热风环、外热风环和至少一个向内热风环和外热风环同时送风的进风管；内热风环位于外热风...

本发明公开了一种半导体工艺设备及晶圆原位测温方法，涉及半导体技术领域，包括：控制器、工艺腔室和设置于工艺腔室内的基座及测温组件，基座用于承载并加热晶圆，测温组件包括接触式测温部件和非接触式测温部件，接触式测温部件可升降的设置于基座内部，...

本发明公开一种清洗设备的卡盘装置及清洗设备，所述卡盘装置包括卡盘主体(100)和多个夹持件(200)；所述卡盘主体(100)开设有安装孔；所述多个夹持件(200)可活动的设置于所述卡盘主体(100)，每个所述夹持件(200)可相对于所述...

本发明提供一种阻抗匹配方法及匹配器，包括：判断等离子体启辉是否成功；若否，则采用预设的启辉算法计算获得阻抗可变元件的调整方向和调整量，并根据调整方向及调整量，调节阻抗可变元件的数值；若是，则根据检测到的阻抗匹配网络的输出端的电压信号、电...

本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移...

本申请公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室和托盘的检测方法，工艺腔室包括工艺腔体、托盘、第一加热体、转轴组件以及红外测温器，其中：第一加热体包括第一加热板；托盘可转动地设于第一加热板的顶面上；转轴组件包括转轴和温度标记件，转轴穿设于第一加...

本发明实施例提供一种加热装置以及半导体清洗设备，其中，加热装置包括：箱体、金属导热块和加热部件；箱体与工艺槽的表面连接，且能够与工艺槽的表面围成一容纳空间；金属导热块和加热部件设置于容纳空间中；加热部件与金属导热块连接，用于加热金属导热...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备：包括工艺管、多个进气管和多组电极组件，工艺管内形成有工艺腔和多个缓冲腔，多个进气管对应延伸至多个缓冲腔中，工艺管侧壁设有与工艺腔连通的排气口，每个缓冲腔至少与一组电...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中晶片的包裹方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：获取针对晶舟的晶片配方信息；当晶舟中参加工艺任务的检测晶片的数量为第一配置数量、参加工艺任务的产品晶片的数量少于第二配置数量时，判断是否支持移动边缘填...

本发明公开了一种半导体热处理设备，涉及半导体技术领域，包括工艺管和工艺门，工艺门与工艺管密封连接，工艺门包括：底座，底座的上表面上设置有至少两个环形凸起部，相邻环形凸起部之间形成导气槽，每个环形凸起部上设置有至少一个缺口，缺口能够连通相...

本发明实施例提供了一种HSMS通信连接方法和装置，应用于服务端，所述方法包括：在HSMS通信的主动模式下与客户端建立TCP/IP连接，将HSMS通信状态由未连接状态切换为连接状态中的未被选择状态；向客户端发送选择请求消息；若在第一预设时...

本申请公开了一种药液加热设备、药液加热方法及装置，药液加热设备包括用于承装待加热药液的加热槽；安装于加热槽至少一个槽壁上的加热器；第一测温元件，用于监测待加热药液的温度值；安装于每个加热器上的第二测温元件，用于监测加热器自身的温度值；控...

本发明提供了一种射频电源，应用于半导体装备技术领域，射频电源包括主控模块、信号发生器、检测模块和自动增益控制模块，自动增益控制模块包括反馈控制电路、直流电源电路、功率放大电路。主控模块分别向反馈控制电路和信号发生器输入功率设定值和频率设...

本申请公开了一种半导体设备的控制方法，半导体设备包括：双极静电卡盘、静电吸附电源、上射频电源、下射频电源、补偿电源；控制方法包括多个依次执行的工艺步骤，且每个工艺步骤均包括：若进入等离子体产生的工艺环节，则依次开启上射频电源、下射频电源...

本申请公开了一种半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备，点火装置包括点火腔室、进气过渡管、调节气体进气管和封堵机构，调节气体进气管用于通入调节气体，进气过渡管的进气端与点火腔室的排气口相连通，调节气体进气管与进气过渡管相连，封堵机构至...