晶片承载装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种晶片承载装置，所述晶片承载装置包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体和第二导体；所述第一导体用于与射频电源的第一电极电连接，所述第二导体用于与所述射频电源的第二电极电连接，以使所述第一导体与所述第二导体之间产生电场；所述第一导体的相背的两侧面分别为第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的电阻值小于所述第二侧面的电阻值；所述第一侧面用于放置所述晶片，且所述第一侧面与所述第二导体的任一一侧面相对设置。本申请实施例提供的所述晶片承载装置可用于提升镀设于待镀膜件的膜层的均匀性。件的膜层的均匀性。件的膜层的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
晶片承载装置


[0001]本申请涉及镀膜
，尤其涉及一种晶片承载装置。

技术介绍

[0002]对于一些需要设置膜层的待镀膜件，可以利用镀膜设备对其进行镀膜。以下，结合应用较广泛的PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)设备，简要介绍镀膜设备的工作原理。
[0003]PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，进而使得化学活性很强的等离子在晶片上沉积出薄膜的方法。在利用PECVD设备对待镀膜件进行镀膜的过程中，需要先将待镀膜件(也可称基体或晶片，例如待镀膜件可以为晶片)设置于承载装置的载片组的两个载片之间，然后，可以将设置有待镀膜件的承载装置设置于PECVD设备内，可以使得载片组的两个载片分别连接射频电源的接地端和发射极。这样，在PECVD设备工作的过程中，两个载片可以使得PECVD设备内的反应气体电离，进而，可以在待镀膜件上沉积出薄膜。
[0004]在镀膜设备工作的过程中，由于载片会受到趋肤效应的影响，电流主要在载片的两侧面通过，载片内部的电流非常小，造成载片的电流分布不均匀，并且载片是两侧同时放电，在镀膜设备进行镀膜的过程中，载片的两侧同时放电会存在放电不稳定的问题，且两侧的电流密度不均匀，这样会使得待镀膜件表面形成的薄膜的膜厚均匀性较差。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种晶片承载装置，以解决如何提升镀膜设备的镀膜均匀性的问题。
[0006]本申请实施例提供的晶片承载装置包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体和第二导体；
[0007]所述第一导体用于与射频电源的第一电极电连接，所述第二导体用于与所述射频电源的第二电极电连接，以使所述第一导体与所述第二导体之间产生电场；
[0008]所述第一导体的相背的两侧面分别为第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的电阻值小于所述第二侧面的电阻值；
[0009]所述第一侧面用于设置晶片，且所述第一侧面与所述第二导体的任一侧面相对设置。
[0010]可选地，所述第一导体为板式结构，所述第一侧面与所述第一导体的延伸方向相平行，所述第一侧面为平整面，所述第二侧面为凹凸起伏面。
[0011]可选地，所述第二侧面设置有沿其自身的宽度方向延伸的多个凸起部，多个所述凸起部沿所述第二侧面的长度方向间隔设置，相邻的两个所述凸起部的相靠近的部位由凹陷部相连接。
[0012]可选地，所述凸起部和所述凹陷部均为曲面。
[0013]可选地，所述第一导体为板式结构，所述第一侧面与所述第一导体的延伸方向相平行，所述第一侧面在目标投影面上的投影为第一轮廓线，所述第二侧面在所述目标投影面上的投影为第二轮廓线，所述第一轮廓线的长度小于所述第二轮廓线的长度，其中，所述目标投影面与所述第一导体的厚度方向相平行。
[0014]可选地，所述第一侧面设置有卡接结构，所述卡接结构用于将所述晶片连接于所述第一侧面。
[0015]可选地，所述晶片承载装置还包括绝缘连接件和绝缘间距调节件，所述第一导体设有第一通孔，所述第二导体设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔相对，所述绝缘连接件穿过所述第一通孔和所述第二通孔，
[0016]所述绝缘间距调节件设置于相邻的所述第一导体与所述第二导体之间，和/或两个相邻的第一导体之间，所述绝缘间距调节件用于调节相邻的所述第一导体与所述第二导体的间距，和/或两个相邻的所述第一导体的间距。
[0017]可选地，所述第二侧面的电阻值至少为所述第一侧面的电阻值的两倍。
[0018]可选地，多个所述载片组包括第一载片组，所述第一载片组包括一个所述第一导体和一个所述第二导体；和/或，
[0019]多个所述载片组包括第二载片组，所述第二载片组包括两个所述第一导体和一个所述第二导体，两个所述第一导体分别设置于所述第二导体的两侧，且两个所述第一导体的所述第一侧面分别与所述第二导体的两个侧面相对且间隔设置。
[0020]可选地，所述第一电极为所述射频电源的接地端，所述第二电极为所述射频电源的发射极。
[0021]可选地，所述第一导体的沿其自身的长度方向的两相对的端部分别用于与所述第一电极电连接，所述第二导体的沿其自身的长度方向的两相对的端部分别用于与所述第二电极电连接。
[0022]可选地，所述射频电源为管式PECVD设备的射频电源。
[0023]本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
[0024]在本申请的实施例中，第一导体可用于与射频电源的第一电极电连接，第二导体可用于与射频电源的第二电极电连接，从而使得第一导体与第二导体之间能够产生电场。可以将晶片设置于第一导体的第一侧面。在本申请的实施例中，由于第一导体的第一侧面的电阻值小于第二侧面的电阻值，使得通入第一导体的大部分电流可以从第一导体的第一侧面通过，可以减少从第二侧面通过的电流。这样，可以使得第一侧面的电流密度可控且较为均匀，进而可以提升镀设于待镀膜件的膜层的均匀性。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本申请实施例提供的一种载片组的示意图；
[0027]图2为本申请实施例提供的一种第一导体的示意图；
[0028]图3为本申请实施例提供的一种第一导体和晶片的示意图；
[0029]图4为本申请实施例提供的一种第一导体的示意图；
[0030]图5为本申请实施例提供的一种第二导体的示意图；
[0031]图6为本申请实施例提供的另一种载片组的示意图；
[0032]图7为本申请实施例提供的一种晶片承载装置的结构示意图；
[0033]图8为本申请实施例提供的一种晶片承载装置的示意图；
[0034]图9为图8中示出的晶片承载装置的A区域的放大示意图；
[0035]图10为本申请实施例提供的另一种晶片承载装置的示意图；
[0036]图11为图10中示出的晶片承载装置的B区域的放大示意图。
[0037]附图标记说明：
[0038]10
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晶片承载装置；100
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载片组；110
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第一导体；111
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第一侧面；1111
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第一轮廓线；112
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第二侧面；1121
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第二轮廓线；11211
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凸起段；113
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第一延伸部；120
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第二导体；121
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第二延伸部；210
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片承载装置，其特征在于，包括：多个间隔设置的载片组；各所述载片组包括间隔设置的第一导体(110)和第二导体(120)；所述第一导体(110)用于与射频电源的第一电极(210)电连接，所述第二导体(120)用于与所述射频电源的第二电极(220)电连接，以使所述第一导体(110)与所述第二导体(120)之间产生电场；所述第一导体(110)的相背的两侧面分别为第一侧面(111)和第二侧面(112)，所述第一侧面(111)的电阻值小于所述第二侧面(112)的电阻值；所述第一侧面(111)用于设置晶片(300)，且所述第一侧面(111)与所述第二导体(120)的任一侧面相对设置。2.根据权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，所述第一导体(110)为板式结构，所述第一侧面(111)与所述第一导体(110)的延伸方向相平行，所述第一侧面(111)为平整面，所述第二侧面(112)为凹凸起伏面。3.根据权利要求2所述的晶片承载装置，其特征在于，所述第二侧面(112)设置有沿其自身的宽度方向延伸的多个凸起部，多个所述凸起部沿所述第二侧面(112)的长度方向间隔设置，相邻的两个所述凸起部的相靠近的部位由凹陷部相连接。4.根据权利要求3所述的晶片承载装置，其特征在于，所述凸起部和所述凹陷部均为曲面。5.根据权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，所述第一导体(110)为板式结构，所述第一侧面(111)与所述第一导体(110)的延伸方向相平行，所述第一侧面(111)在目标投影面上的投影为第一轮廓线(1111)，所述第二侧面(112)在所述目标投影面上的投影为第二轮廓线(1121)，所述第一轮廓线(1111)的长度小于所述第二轮廓线(1121)的长度，其中，所述目标投影面与所述第一导体(110)的厚度方向相平行。6.根据权利要求1所述的晶片承载装置，其特征在于，所述第一侧面(111)设置有卡接结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓凌霄，孙佳贺，简师节，李补忠，郑建宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：