晶舟及半导体设备制造技术

本发明专利技术提供一种晶舟及半导体设备，晶舟多个间隔设置的舟片组，每个舟片组包括两个相对且间隔设置的舟片，相邻的两个舟片组用于与射频电源的相反电极连接，且同一个舟片组中的舟片均用于与射频电源的同一电极连接，相邻的两个舟片组之间的间隔空间用于放置晶片。本发明专利技术提供的晶舟及半导体设备，能够实现单侧放电，提高激发工艺气体发生辉光放电产生等离子体的稳定性，从而能够改善镀膜效果。从而能够改善镀膜效果。从而能够改善镀膜效果。

【技术实现步骤摘要】
晶舟及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种晶舟及半导体设备。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，简称PECVD)设备中的管式PECVD设备通常采用石墨材质的载片舟承载晶片，载片舟包括间隔设置的多个石墨片，晶片承载于相邻的两个石墨片之间，相邻的两个石墨片分别与射频电源的正极和负电极连接，通过脉冲射频激发相邻的两个石墨片之间的工艺气体发生辉光放电产生等离子体，并通过向相邻的两个石墨片施加相反的交变电压使等离子在相邻的两个石墨片之间加速运动，从而在晶片表面进行镀膜。
[0003]但是，随着镀膜厚度减薄的需求，传统的采用低频射频快速镀厚膜的方式已经无法满足，需要采用高频率射频，而由于高频率射频的能量衰减快，且石墨片的表面积较大，使得高频率射频在石墨片表面的能量密度偏低，无法满足石墨片的双侧放电(即，一个石墨片和与其相邻的两侧的两个石墨片之间放电)，导致激发一个石墨片和与其相邻的两个石墨片之间的工艺气体发生辉光放电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶舟，其特征在于，包括多个间隔设置的舟片组，每个所述舟片组包括两个相对且间隔设置的舟片，相邻的两个所述舟片组用于与射频电源的相反电极连接，且同一个所述舟片组中的所述舟片均用于与所述射频电源的同一电极连接，相邻的两个所述舟片组之间的间隔空间用于放置晶片。2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，相邻的两个所述舟片之间的间距范围为0.5mm
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100mm。3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，相邻的两个所述舟片之间的间距大小与所述射频电源加载至所述舟片的射频的频率呈正相关。4.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述晶舟还包括绝缘连接杆，所述舟片上设置有通孔，所述绝缘连接杆穿过所述通孔，所述舟片可拆卸地连接于所述绝缘连接杆上。5.根据权利要求4所述的晶舟，其特征在于，所述晶舟还包括多个绝缘间距调节件，所述绝缘间距调...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙朋涛，贺小平，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：