本发明实施例提供了一种半导体设备参数配置方法和装置，该方法包括：根据半导体设备的设备类型，获取对应的输入文件标准模板，输入文件标准模板包括针对所述半导体设备的多个参数；每个参数的参数信息包括参数名称、参数范围、参数值、参数值类型；根据输...

本申请公开了一种平面变压器，涉及电气元件领域。一种平面变压器包括：第一PCB板、与第一PCB板叠置的第二PCB板，以及用于固定第一PCB板和第二PCB板的平面磁芯；所述第一PCB板和所述第二PCB板分别包括多层线路层，每层所述线路层设有...

本发明提供一种晶圆清洗设备，包括晶圆传送组件、工艺传输机构和干燥传输机构，晶圆传送组件用于取出晶圆盒中的待清洗晶圆或将已干燥晶圆放回晶圆盒中；工艺传输机构用于将晶圆传送组件获取的待清洗晶圆传入晶圆清洗模块中清洗，并用于将晶圆清洗模块的已...

本发明公开一种半导体存储器件的制作工艺、半导体存储器件及半导体工艺设备，该制作工艺包括：S100、在晶圆上溅射沉积底电极薄膜；S200、在底电极薄膜上溅射沉积一定厚度的富氧状态的阻变薄膜；S300、对富氧状态的阻变薄膜的预设厚度的部分进...

本发明公开一种承载件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该承载件承载件具有导流面、第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽设置于导流面，第二凹槽设置于第一凹槽的槽底，第一凹槽和第二凹槽的形状均为圆形，第二凹槽的直径小于第一凹槽的直径，且第一凹...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其处理方法。该半导体工艺设备的处理方法，用于在对晶圆执行工艺之前对工艺腔室内进行处理，包括：对工艺腔室内的残留物进行清理；在清理后的工艺腔室内壁上沉积第一致密氧化物层；对第一致密氧化物层进行致密化处...

本申请公开了一种升针路径的规划方法、控制装置及半导体工艺设备，用以解决现有的半导体工艺过程中升针路径不平滑，导致晶圆在升针机构的冲击下发生偏移的问题。该技术方案以两条N阶位移贝塞尔曲线组合成一条位移

本申请实施例提供了一种机械手及其高度调节方法、半导体工艺设备。该机械手包括：安装结构、多个托臂及多个调节组件；安装结构与一驱动机构连接，用于在驱动机构的带动下移动；托臂的连接端通过调节组件安装在安装结构上，多个托臂的承载端朝背离安装结构...

本申请公开了一种电流换向监控系统及方法，涉及半导体领域。一种电流换向监控系统，应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括供电装置、被供电装置和供电电路，供电电路连接供电装置和被供电装置；电流换向监控系统包括：工控机以及与工控机分别信号连接...

本发明提供一种工艺腔室及工艺方法，工艺腔室包括腔体、内衬、温控部件和控制件，内衬呈环状，并沿腔体的内周壁的周向设置，用于对腔体的内周壁进行遮挡；温控部件设置在内衬上，用于对内衬的温度进行检测，并对内衬进行加热；控制件与温控部件电连接，用...

本申请公开一种半导体工艺设备的控制方法和半导体工艺设备，属于半导体设备技术领域。该控制方法包括：步骤S1、记录每片晶圆的工艺历程信息；步骤S2、当所述晶圆的加工工艺中断时，根据所述工艺历程信息判断每片所述晶圆是否需要冷却；步骤S3、响应...

本发明公开一种半导体热处理设备及其控制方法，半导体热处理设备包括工艺腔室、进气管路、送气管路和排气管路，所述进气管路的一端与气源连通，所述进气管路的另一端与位于所述工艺腔室中的所述送气管路连通，且所述送气管路和所述工艺腔室的中心轴平行，...

本申请公开一种半导体工艺设备及其预热腔室，涉及半导体技术领域，预热腔室包括腔室本体、载片装置、传动机构、加热组件、驱动机构和密封机构，腔室本体内设有预热腔，载片装置包括载板，载板用于承载晶片；传动机构设置在预热腔中，用于传送及支撑载片装...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括传输腔室和至少一组工艺腔室，每组工艺腔室沿传输腔室的一侧依次分布，工艺腔室包括反应腔室、真空组件和至少一个容纳盒，真空组件设置在对应的反应腔室下方，容纳盒用于容纳实现半导体工艺设备功能的功能模块，容纳盒...

本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室，上电极组件包括盖板、喷嘴、位置检测机构和调节机构；所述盖板开设有安装孔，所述喷嘴设置于所述安装孔内；所述位置检测机构设置于所述盖板上，所述位置检测机构用于检测所述喷嘴在所述安装孔内的径向位置；所...

本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，半导体工艺设备包括工艺腔室、介质窗、射频腔室和气流引入装置，介质窗设于工艺腔室的上方，射频腔室设置于工艺腔室上方，且介质窗朝向射频腔室的内部，射频腔室设有通气口，在气流引入装置的作用下，...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、设置在腔体中的卡盘和设置在腔体上方的上电极组件，上电极组件包括上射频电源、上匹配器和至少一个射频线圈，上射频电源用于通过上匹配器向射频线圈提供射频功率，以使射频线圈激发腔体中的气体产生等离子体，上...

本发明提供一种半导体工艺腔室，其中用于向腔体内部输送气体的进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件设置于喷嘴上，气路连接件内部具有第一通道，第一通道的出气端与喷嘴的进气端连通；转接块固定在线圈支架上；转接块内部具有第二通...

本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备，磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构，其中：第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连，第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一...

本发明提供一种半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉，炉门本体用于对半导体工艺炉的炉体进行密封，炉门本体中设置有气冷通道，气冷通道均匀分布在炉门本体中，气冷通道用于供预设温度的冷却气体通入，冷却气体包括在预设温度下为气态的工艺副产物；检测组件...