半导体工艺腔室制造技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺腔室，其中用于向腔体内部输送气体的进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件设置于喷嘴上，气路连接件内部具有第一通道，第一通道的出气端与喷嘴的进气端连通；转接块固定在线圈支架上；转接块内部具有第二通道，第二通道的进气端用于和气源连通，第二通道的出气端与转接管的进气端连通，转接管的出气端与第一通道的进气端连通。本发明专利技术提供的半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间发生摩擦，降低颗粒问题发生的风险。生的风险。生的风险。

Semiconductor process chamber

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]目前，传统的半导体工艺腔室通常由工艺气路向其内部输送工艺气体，为腔室内部提供工艺所需的反应原料。具体的，工艺气路的一端设置有喷嘴，喷嘴与工艺腔室的进气口连通；工艺气路的另一端与外部气源连接，以使工艺气体流经工艺气路，并由喷嘴均匀地输送至工艺腔室内部。
[0003]但在对半导体工艺腔室通入气体和抽真空的过程中，与腔室内环境连通的工艺气路会随之被抽真空，这会导致工艺气路中的管道部件在大气压强的影响下发生形变，该形变产生的应力会拉动与工艺气路连接的喷嘴，进而导致喷嘴与工艺腔室的进气口处边缘发生过度摩擦，造成颗粒问题，甚至加速喷嘴报废。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室，其能够减少向喷嘴施加的外力，从而能够减少喷嘴与介质窗之间的摩擦，降低颗粒问题发生的风险。
[0005]为实现本专利技术的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、介质窗、喷嘴和线圈支架，所述介质窗设置于所述腔体的顶部，所述线圈支架设置于所述腔体上且位于所述介质窗上方，所述介质窗上设置有进气口，所述喷嘴设于所述进气口内，其特征在于，还包括进气装置，所述进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；
[0006]所述气路连接件设置于所述喷嘴上，所述气路连接件内部具有第一通道，所述第一通道的出气端与所述喷嘴的进气端连通；
[0007]所述转接块固定在所述线圈支架上；
[0008]所述转接块内部具有第二通道，所述第二通道的进气端用于和气源连通，所述第二通道的出气端与所述转接管的进气端连通，所述转接管的出气端与所述第一通道的进气端连通。
[0009]可选的，所述转接管包括两个刚性管段和可伸缩管段；所述可伸缩管段的两端分别连接两个所述刚性管段的一端，两个所述刚性管段的另一端分别连接与所述第一通道的进气端和所述第二通道的出气端。
[0010]可选的，所述第一通道的进气端开设在所述气路连接件的上表面处；所述转接块中的所述第二通道的出气端开设在所述转接块的上表面处；
[0011]所述刚性管段包括第一子管段、第二子管段、第三子管段和第四子管段；其中，所述第一子管段设置在所述转接块上方，并与所述第二通道的出气端连通；
[0012]所述第二子管段和所述第三子管段均位于所述气路连接件上方；所述第二子管段分别与所述第一通道的进气端和所述可伸缩管段连通；所述第三子管段的一端与所述可伸
缩管段连通；
[0013]所述第四子管段分别与所述第一子管段和所述第三子管段连通。
[0014]可选的，所述第一子管段、所述第二子管段、所述第三子管段和所述可伸缩管段的轴线均平行于所述介质窗上的进气口的轴线。
[0015]可选的，所述可伸缩管段包括波纹管。
[0016]可选的，其特征在于，所述进气装置还包括进气管路，所述进气管路包括管路主体和刚性连接头；其中，
[0017]所述刚性连接头内部具有第三通道；所述第三通道的出气端与所述第二通道的进气端连通；所述第三通道的进气端与所述管路主体的出气端连通；所述管路主体的进气端用于和所述气源连通。
[0018]可选的，所述第二通道的进气端开设于所述转接块的侧面；
[0019]所述刚性连接头包括第五子管段、第六子管段和第七子管段；其中，所述第五子管段的出气端与所述第二通道的进气端连通，所述第五子管段的进气端与所述第六子管段的出气端连通；
[0020]所述第六子管段的进气端与所述第七子管段的出气端连通，且所述第六子管段沿竖直方向延伸；
[0021]所述第七子管段的进气端与所述管路主体的出气端连通。
[0022]可选的，所述喷嘴包括中心气道和边缘气道，所述中心气道位于所述喷嘴的中心，且沿所述喷嘴的轴向延伸，所述边缘气道环绕所述中心气道设置；
[0023]所述气路连接件设有两个所述第一通道，用于单独连通所述中心气道和所述边缘气道；
[0024]所述进气管路和所述转接管数量均为两组，所述转接块中设有两个所述第二通道，两个所述第二通道分别与两个所述进气管路连通；每组所述进气管路和转接管分别与一个所述第一通道和一个所述第二通道连通。
[0025]可选的，一个所述第一通道包括位于所述气路连接件的轴线位置的主气道，另一个所述第一通道包括环绕所述主气道外侧的环形匀气道，且所述主气道和所述环形匀气道互不连通；
[0026]所述主气道的进气端和所述环形匀气道的进气端分别与两组所述转接管的出气端连通；
[0027]所述主气道的出气端和所述环形匀气道的出气端分别与所述中心气道和所述边缘气道连通。
[0028]可选的，所述进气装置还包括观察结构，所述主气道沿轴向贯穿所述气路连接件，所述观察结构设置于所述气路连接件上表面，且盖设于所述主气道的端口上。
[0029]本专利技术具有以下有益效果：
[0030]本专利技术提供的半导体工艺腔室，其包括向用于向腔体内部通入气体的进气装置，该进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；其中，气路连接件内部具有与喷嘴进气端连通的第一通道；转接块内部具有用于供气体流动的第二通道，该第二通道的出气端能够通过转接管与气路连接件内部的第一通道连通，第二通道的进气端与气源连通，以通过转接管和转接块将气源与气路连接件连通。而且，转接块固定位于工艺腔室顶部的线圈支架上，
且线圈支架与腔体相对位置固定，以在转接块受到外力时，该外力会被转接块内部材料应力以及转接块与线圈支架固定连接处连接应力抵消，从而使施加在转接块上的外力不会传递至气路连接件处甚至喷嘴处，避免喷嘴径向受力，从而避免在喷嘴与介质窗之间发生轴向上的相对移动时，喷嘴与介质窗的进气口之间发生摩擦，进而避免了喷嘴或介质窗因摩擦而受损，同时也能够避免因磨损产生的颗粒污染工艺腔室内部工艺环境。
附图说明
[0031]图1为现有的进气装置的侧视结构简图；
[0032]图2为现有的进气装置的俯视结构简图；
[0033]图3为现有的进气装置的局部剖视图；
[0034]图4为本实施例提供的半导体工艺腔室的侧视结构简图；
[0035]图5为本实施例提供的半导体工艺腔室的俯视结构简图；
[0036]图6为本实施例提供的气路连接件、转接管和转接块的立体视图；
[0037]图7为本实施例提供的气路连接件的剖视图。
具体实施方式
[0038]为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体工艺腔室进行详细描述。
[0039]请参考图1、图2和图3，传统的半导体工艺腔室的工艺气路包括喷嘴01、气路连接件02、非刚性进气管03和进气块04；其中，喷嘴01与腔室的介质窗05固定连接；非刚性气管03的一端通过气路连接件02与喷嘴01的进气口连通，非刚性气管03的另一端通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，包括腔体、介质窗、喷嘴和线圈支架，所述介质窗设置于所述腔体的顶部，所述线圈支架设置于所述腔体上且位于所述介质窗上方，所述介质窗上设置有进气口，所述喷嘴设于所述进气口内，其特征在于，还包括进气装置，所述进气装置包括气路连接件、转接管和转接块；所述气路连接件设置于所述喷嘴上，所述气路连接件内部具有第一通道，所述第一通道的出气端与所述喷嘴的进气端连通；所述转接块固定在所述线圈支架上；所述转接块内部具有第二通道，所述第二通道的进气端用于和气源连通，所述第二通道的出气端与所述转接管的进气端连通，所述转接管的出气端与所述第一通道的进气端连通。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述转接管包括两个刚性管段和可伸缩管段；所述可伸缩管段的两端分别连接两个所述刚性管段的一端，两个所述刚性管段的另一端分别连接与所述第一通道的进气端和所述第二通道的出气端。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一通道的进气端开设在所述气路连接件的上表面处；所述转接块中的所述第二通道的出气端开设在所述转接块的上表面处；所述刚性管段包括第一子管段、第二子管段、第三子管段和第四子管段；其中，所述第一子管段设置在所述转接块上方，并与所述第二通道的出气端连通；所述第二子管段和所第述三子管段均位于所述气路连接件上方；所述第二子管段分别与所述第一通道的进气端和所述可伸缩管段连通；所述第三子管段的一端与所述可伸缩管段连通；所述第四子管段分别与所述第一子管段和所述第三子管段连通。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一子管段、所述第二子管段、所述第三子管段和所述可伸缩管段的轴线均平行于所述介质窗上的进气口的轴线。5.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述可伸缩管段包括波纹管。6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述进气装置还包括进气管路...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汉石，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：