本申请公开了一种晶圆的传输方法、装置及半导体工艺设备，方法包括：获取配置文件，配置文件中记录有站点标识、从站点拾取晶圆所能够使用的第一手指集合和向站点放置晶圆所能够使用的第二手指集合；确定晶圆的传输场景，传输场景包括至少一个传输步骤、每...

本发明公开一种工艺腔室和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该工艺腔室包括接地的腔体和设置于腔体中的内衬、下电极装置、可调电感装置和电容调节件；内衬环绕设置于下电极装置的外侧，内衬与腔体的内壁之间具有间隙，电容调节件可升降地设置于间...

本发明公开一种半导体加工设备，其包括半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔室、上电极射频线圈、下射频电源、下电极组件、电连接件和可调器件，下电极组件包括基座、静电卡盘、第一下电极和第二下电极，静电卡盘位于基座上方用于承载晶圆，第一下电极...

本发明实施例提供了一种数据传输方法，该方法包括：与控制器建立至少一个数据网络连接；通过数据网络连接向控制器发送至少一个读取数据请求报文，每一读取数据请求报文均包括一标签的标签名称，以用于控制器读取标签名称对应的标签数据并生成读取数据应答...

本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端...

本申请公开一种半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法，属于半导体设备技术领域。该半导体工艺设备包括：工艺腔室；静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述工艺腔室内，所述静电卡盘具有承载面；吹扫件，所述吹扫件可活动地设置于所述工艺腔室内，所述吹扫件可在...

本发明公开一种半导体腔室的承载装置及半导体腔室，承载装置包括加热器、多个承载台、顶升机构和工位转换机构；加热器具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽；每个承载台设置于加热器的一个容纳槽内，承载台用于承载晶圆；顶升机构位于加热器的下方，顶升机构...

本发明公开一种电极组件和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该电极组件包括线圈和匹配器，线圈和匹配器至少一者的连接端上设有导电弹片，且线圈通过导电弹片选择性的与匹配器相连。该方案能解决半导体工艺设备合腔困难的问题。腔困难的问题。腔困...

本申请公开了一种静电卡盘的温度控制方法及半导体工艺设备，上述方法包括：确定静电卡盘ESC的温度控制模式，其中所述温度控制模式包括升温控制模式或降温控制模式；确定所述温度控制模式所对应的初始加热功率、稳态功率和功率转换时间，其中所述功率转...

本发明实施例提供了一种互锁条件检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：在互锁条件的检测过程中，响应于半导体工艺设备的动作器件的启动信号，获取动作器件的多个互锁列表，每个互锁列表分别包括一个类别的互锁条件，以及互锁...

本发明公开一种半导体沉积设备，包括反应腔室、第一管路、第二管路、平衡气体管路和分流装置；第一管路、第二管路和平衡气体管路均与反应腔室相连通，第一管路设置有第一阀门组件，第二管路设置有第二阀门组件，平衡气体管路设置有第三阀门组件，第一管路...

本发明提供一种晶圆校正系统及半导体工艺设备，其中，晶圆校正系统包括：晶圆校正装置，包括承载结构和中心校正机构，其中，承载结构用于承载晶圆，中心校正机构与承载结构相配合，以驱动承载结构在水平面内进行移动；位置检测装置，用于检测晶圆的中心的...

本发明公开了一种清洗装置，用于清洗晶圆传输设备，晶圆传输设备包括晶圆支撑臂，清洗装置包括第一清洗块和第二清洗块；其中：第一清洗块和第二清洗块中的至少一者开设有介质入口，第一清洗块和第二清洗块均设有多个介质出口；第一清洗块和第二清洗块可相...

本申请公开了一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法，涉及半导体领域。一种抽真空系统包括：多组第一抽真空组件以及第二抽真空组件；多组第一抽真空组件与多组工艺腔室组一一对应连接，第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路，多条第...

本发明提供一种旋转基座装置及半导体工艺设备，旋转基座装置，应用于半导体设备的工艺腔室中，包括基座组件、至少两个磁旋转件和至少两组磁驱动组件，其中：基座组件设置于工艺腔室中，用于承载晶圆；磁旋转件与基座组件连接；磁驱动组件固定设置于工艺腔...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中的工艺组件、承载盘、升降装组件、控制装置和设置在腔体底部的至少一个测距组件，控制装置用于控制测距组件对工艺组件进行测距；向腔体中传入晶圆，并控制测距组件对承载盘上方的晶圆进行测距；根据...

本发明实施例提供了一种射频滤波电路和一种射频滤波电路的调节方法，所述射频滤波电路包括：选频网络和至少一个电感调节电路；各个所述电感调节电路连接于所述第一电感或所述第二电感的两个过孔之间；所述电感调节电路导通时，减少所述第一电感或所述第二...

本申请公开一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法，发射率测量装置用于测量被测件的发射率，发射率测量装置中，反射件支撑件用于支撑第一反射件和第二反射件，第一反射件和第二反射件均与被测件相对；第一红外辐射能量计用于测量被测件...

本申请公开了一种清洗系统，涉及半导体领域。一种清洗系统，包括清洗装置和花篮；清洗装置包括装置本体、支撑组件和清洁组件；所述装置本体具有工艺腔体；所述支撑组件包括设于工艺腔体内的支撑架，所述花篮设置于所述支撑架；所述清洁组件包括喷臂，所述...

本申请公开一种管路输送机构及其控制方法，管路输送机构包括：第一输入管路，所述第一输入管路的第一端与载气气源连通，所述第一输入管路的第二端与源瓶连通；输出管路，所述输出管路的第一端与所述源瓶连通，所述输出管路的第二端与半导体工艺腔室连通，...