抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法技术方案

本申请公开了一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法，涉及半导体领域。一种抽真空系统包括：多组第一抽真空组件以及第二抽真空组件；多组第一抽真空组件与多组工艺腔室组一一对应连接，第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路，多条第一抽真空管路的出口端与第一真空泵连接，入口端与工艺腔室组中的多个工艺腔室一一对应连接；第二抽真空组件包括第二真空泵和第二抽真空管路，第二抽真空管路的出口端与第二真空泵连接，入口端与多个工艺腔室分别连接。半导体工艺设备，包括抽真空系统。一种抽真空的方法，应用于半导体工艺设备。本申请至少解决常规设备占用面积大的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法。

技术介绍

[0002]卧式等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)设备，能够在高真空石英腔室内利用高频电场激发工艺气体，以分解工艺气体SiH4、NH3，从而在样品的表面沉积形成Si3N4薄膜。该PECVD设备的自动化程度相对较高，能够满足太阳能电池生产线需求。在管式的PECVD设备中，抽真空系统是设备的关键部件。
[0003]然而，当前管式的PECVD设备为多套设备组合在一起运行，每套设备分别包括真空泵，从而导致多个真空泵的占地面积较大、能源消耗多、运行成本较高等问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的是提供一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法，至少能够解决管式的PECVD设备包括多个真空泵导致占用面积大的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抽真空系统，用于对半导体工艺设备的多个工艺腔室(30)抽真空，其特征在于，多个所述工艺腔室(30)分为多组工艺腔室组，每组所述工艺腔室组包括多个所述工艺腔室(30)，所述抽真空系统包括：多组第一抽真空组件(10)，以及第二抽真空组件(20)；多组所述第一抽真空组件(10)用于与多组所述工艺腔室组一一对应连接，所述第一抽真空组件(10)包括第一真空泵(11)和多条第一抽真空管路(12)，每组所述第一抽真空组件(10)中的多条所述第一抽真空管路(12)的出口端均与所述第一真空泵(11)连接，每组所述第一抽真空组件(10)中的多条所述第一抽真空管路(12)的入口端分别用于与一组所述工艺腔室组中的多个所述工艺腔室(30)一一对应连接；所述第二抽真空组件(20)包括第二真空泵(21)和第二抽真空管路(22)，所述第二抽真空管路(22)的出口端与所述第二真空泵(21)连接，所述第二抽真空管路(22)的入口端用于与多个所述工艺腔室(30)分别连接。2.根据权利要求1所述的抽真空系统，其特征在于，所述第一抽真空管路(12)包括主管道(120)、控制阀(121)和第一开关阀(122)；所述主管道(120)用于连接所述第一真空泵(11)和所述工艺腔室(30)，所述控制阀(121)和所述第一开关阀(122)均设置于所述主管道(120)，且所述控制阀(121)位于所述第一开关阀(122)与所述第一真空泵(11)之间。3.根据权利要求2所述的抽真空系统，其特征在于，所述第一抽真空管路(12)还包括旁路管道(123)；所述旁路管道(123)的入口端与所述主管道(120)的连接处位于所述第一开关阀(122)的上游；所述旁路管道(123)的出口端与所述主管道(120)的连接处位于所述控制阀(121)的下游；所述旁路管道(123)的公称通径小于所述主管道(120)的公称通径；所述旁路管道(123)设有第二开关阀(124)。4.根据权利要求3所述的抽真空系统，其特征在于，所述第一抽真空管路(12)还包括调节阀(125)；所述调节阀(125)设置于所述旁路管道(123)，且所述调节阀(125)位于所述第二开关阀(124)的下游。5.根据权利要求3或4所述的抽真空系统，其特征在于，所述第一抽真空管路(12)还包括压力传感器(127)；所述压力传感器(127)连接于所述主管道(120)，且连接处位于所述第一开关阀(122)的上游，用于检测所述主管道(120)内...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋晓彬，申震，闫志顺，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：