半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法技术

本申请公开一种半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法，属于半导体设备技术领域。该半导体工艺设备包括：工艺腔室；静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述工艺腔室内，所述静电卡盘具有承载面；吹扫件，所述吹扫件可活动地设置于所述工艺腔室内，所述吹扫件可在第一位置和第二位置之间活动，在所述吹扫件处于所述第一位置的情况下，所述吹扫件避让所述承载面；在所述吹扫件处于所述第二位置的情况下，所述吹扫件朝向所述承载面。该方案能够解决清扫静电卡盘存在的颗粒时耗时较长及静电卡盘的使用寿命较短的问题。命较短的问题。命较短的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法


[0001]本申请属于半导体设备
，具体涉及一种半导体工艺设备及静电卡盘的清扫方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制程尺寸的快速微缩以及功能的多元化，对集成电路的制作工艺的稳定性要求也日趋严格。静电卡盘因其优异的温度均匀性和导热性，被广泛应用于半导体工艺设备。
[0003]静电卡盘对半导体工艺设备的工艺腔室侧壁剥落的颗粒(比如铝或者晶圆自身带来的颗粒)较为敏感，当静电卡盘表面存在颗粒时，会导致晶圆表面温度不均匀，甚至会造成晶圆与静电卡盘表面之间的吸附力不足，从而使晶圆在静电卡盘表面发生偏移，容易产生传输碎片。
[0004]为解决上述问题，可以对工艺腔室进行降温，然后打开工艺腔室，人工擦除静电卡盘上的颗粒，之后再对工艺腔室进行升温，以便于进行后续的工艺制程。但是由于静电卡盘对温度较为敏感，为保证静电卡盘的安全，升降温的速率会非常低，这将导致静电卡盘的升降温及工艺腔室的恢复耗时非常长。并且，静电卡盘的升降温速率要求小于3℃/min，频繁升降温将导致升降温速率出现波动，进而产生裂纹，当裂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室(100)；静电卡盘(200)，所述静电卡盘(200)设置于所述工艺腔室(100)内，所述静电卡盘(200)具有承载面(210)；吹扫件(300)，所述吹扫件(300)可活动地设置于所述工艺腔室(100)内，所述吹扫件(300)可在第一位置和第二位置之间活动，在所述吹扫件(300)处于所述第一位置的情况下，所述吹扫件(300)避让所述承载面(210)；在所述吹扫件(300)处于所述第二位置的情况下，所述吹扫件(300)朝向所述承载面(210)。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述吹扫件(300)可转动地设置于所述工艺腔室(100)内，所述半导体工艺设备还包括用于遮挡所述静电卡盘(200)的遮挡件，所述吹扫件(300)用于支撑所述遮挡件。3.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括气体加热装置(400)，所述气体加热装置(400)设置于所述工艺腔室(100)之外；所述气体加热装置(400)包括壳体(410)和加热件，所述加热件设置于所述壳体(410)内，所述壳体(410)开设有相连通的进气口(411)和排气口(412)，所述吹扫件(300)通过所述排气口(412)与所述壳体(410)的内腔相连通。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述气体加热装置(400)还包括第一匀气板(430)，所述第一匀气板(430)设置于所述壳体(410)内，所述第一匀气板(430)位于所述进气口(411)和所述排气口(412)之间，所述第一匀气板(430)开设有多个第一通气孔(431)。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述气体加热装置(400)还包括第二匀气板(440)，所述第二匀气板(440)设置于所述壳体(410)内且位于所述第一匀气板(430)和所述排气口(412)之间，所述第二匀气板(440)开设有多个第二通气孔(441)，所述第二通气孔(441)的孔径小于所述第一通气孔(431)的孔径。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩为鹏，邓斌，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：