本发明提供一种炉管装卸辅助装置，用于在卧式半导体设备的炉管安装至炉体或由炉体拆卸的过程中对炉管进行支撑，炉管装卸辅助装置包括：底座，用于可拆卸地连接于卧式半导体设备的上下料机构，以使上下料机构能够带动炉管装卸辅助装置整体沿竖直方向进行升...

本发明提供一种晶圆翻转机构，包括驱动模组和多对夹持架，夹持架具有晶圆接触面，且每对夹持架的两个晶圆接触面相对设置；驱动模组能够驱动每对夹持架相互靠近以夹持晶圆或相互远离以便向每对夹持架之间放入晶圆或由每对夹持架之间取出晶圆，驱动模组还能...

本发明提供一种半导体工艺方法，包括：在半导体外延片的顶面上制作图形化的硬掩膜层；向半导体外延片的上方通入不与半导体外延片和硬掩膜层发生化学反应的第一工艺气体，并电离第一工艺气体形成第一等离子体，以将半导体外延片加热至高于预设温度；向半导...

本申请公开一种半导体处理设备及目标物生长的加热方法，能够优化制备的目标物的质量，减少目标物中的缺陷。半导体处理设备包括：反应腔室，包括在反应腔室轴向上依次设置的第一端和第二端，且目标物形成于第一端；加热模块，包括：第一加热器，设置在第一...

本申请公开一种晶圆清洗设备及其传输装置，所公开的晶圆传输装置包括晶圆装载部、支撑基座、第一调节组件和第二调节组件，其中：晶圆装载部包括装载支架，支撑基座包括支撑基板，装载支架与支撑基板相连，且装载支架在支撑基板的支撑面上位置可调；第一调...

本申请公开一种静电卡盘装置和温度控制方法，静电卡盘装置，包括自下而上依次设置的装置基体、加热层以及绝缘吸附层，所述加热层中设置有至少两个主加热器，所述主加热器用于加热所述静电卡盘装置承载的晶圆，所述绝缘吸附层中设置有吸附电极，所述吸附电...

本发明提供一种立式热处理设备，包括：机箱设有第一承载板、容置腔和装载腔，第一承载板具有第一避让口；炉体整体位于容置腔内，炉体通过调整机构高度可调地安装于第一承载板；炉管设置在炉体内且炉管的底部由炉口向下伸出并经由第一避让口延伸至装载腔内...

本发明提供一种升降机构，用于升降半导体工艺设备的抽真空装置，升降机构包括从上至下依次设置的上支撑板、升降驱动组件和底板，上支撑板用于承载并固定抽真空装置，底板上设置有沿竖直方向向上延伸的导向部件，升降驱动组件设置于底板上，其中：升降驱动...

本发明实施例提供了一种任务调度方法，该方法包括：获取所有待启动任务的任务数据；任务数据包括待启动任务对应的所有工序对应的工序号、加工时长、加工位置以及加工位置停滞时长；将每个待启动任务的任务数据均输入至任务调度模型，输出每个待启动任务的...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备的进气组件盖设于介质套筒的顶端，介质套筒的底端连接于工艺腔室的顶板且与工艺腔室连通；法拉第筒套设于介质套筒的外周，法拉第筒的周壁上开设有多个沿周向均布的开口结构；开口结构沿法拉第筒的...

本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备，内衬组件环绕下电极组件设置，隔离部件设置于腔室本体的内周壁和内衬组件之间，使等离子体与腔室本体电绝缘；内衬组件的上内衬套设在下内衬的外周，上内衬的顶部和下内衬的底部分别与腔室本体的顶壁和底部电连接...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备的工艺腔室内设置有承载晶圆的承载装置；进气组件设置于介质套筒的顶端；介质套筒的底端连接于工艺腔室的顶板且与工艺腔室连通，进气组件和工艺腔室的顶板均接地设置；法拉第筒套设于介质套筒的外...

本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备，其中，承载装置包括：加热盘，用于承载并加热晶圆；冷却盘，用于对加热盘进行降温，冷却盘包括冷却主体部和边缘导热部，其中，冷却主体部与加热盘间隔设置，边缘导热部设置于冷却主体部的边缘且沿冷却主体部的周...

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺方法，半导体工艺腔室的多个电源一一对应的与多个匹配部件电连接，负载与至少一个匹配部件电连接，电源用于通过对应的匹配部件向负载输出电能；至少一个匹配部件和负载之间设置有对应的检测部件，检测部件分别与...

本发明实施例提供了一种深硅刻蚀方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：获取目标工艺参数的初始参数值和终末参数值，以及其它工艺参数的实时参数值，确定与刻蚀区域的刻蚀次数对应的目标工艺参数的实时参数值，采用沉积工艺参数的...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室。该工艺腔室的前法兰和后法兰分别设置在炉管的炉口和炉尾处；支撑机构设置于炉管内，支撑机构包括有两个支撑杆，支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟；两个第一电极机构分别套设于两个支撑杆的第一端，并且...

本发明提供一种晶圆输送装置及方法、半导体工艺设备，该装置，应用于半导体工艺设备，包括上料机构、存放机构、平移机构、夹持机构和到位检测机构，其中，上料机构用于在第一位置处存放未加工的或者已加工的晶圆；存放机构用于在第二位置处存放未加工的或...

本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室组件及半导体工艺设备及其方法，该工艺腔室组件中，在上腔体和下腔体之间设置有与上腔室连通的第一进气口和第一排气口，第一排气口用于与抽气装置连通；在下腔体的底部设置有多个第二排气口；工艺腔室组件还包括匀...

本发明公开了一种半导体热处理设备及其温度自校准方法，设备包括：炉体、设置于炉体内的工艺管以及设置于工艺管内的晶舟，晶舟沿工艺管的轴向设有多个晶圆放置区，每个晶圆放置区能够放置多片待加工晶圆；内部测温件，沿工艺管的轴向设置于工艺管的内部边...

本发明实施例提供一种保护涂层形成方法、管状连接件以及半导体工艺设备，用于在半导体工艺设备的管状连接件的内表面上形成保护涂层。形成方法具体包括：步骤S1：将含氟聚合物保护涂层的液态前驱体覆盖在管状连接件的内表面；步骤S2：对管状连接件进行...