本发明公开一种晶片承载盒的定位装置、预装载腔室及半导体工艺设备，定位装置(100)用于对装入预装载腔室内的晶片承载盒(200)进行定位，所述预装载腔室包括基座(110)，所述基座(110)用于承载所述晶片承载盒(200)，所述定位装置(...

本申请公开了一种校准装置及校准方法，涉及半导体领域。一种校准装置包括：校准装置本体和定位组件；校准装置本体一侧设有安装槽，安装槽的底壁为承载面，安装槽的侧壁为第一定位面；校准装置本体另一侧设有定位槽，定位槽和卡盘配合，以使承载面的轴线和...

本发明公开一种非对称半导体结构的制作方法，包括：提供具有第一通孔的第一晶圆；提供第二晶圆，在其上形成具有第二通孔的光刻胶层；其中，第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；将第一晶圆与第二晶圆键合在一起，以使第一通孔与第二通孔连通成非对称的沟槽...

一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备，包括依次连接于反应腔室的排气口的第一冷凝组件、横向连接块、第一排气管、自动控压阀、第二排气管以及设于横向连接块的下方，且与第一排气管连通的水盒，自动控压阀与横向连接块还设有压力检测管，还包括...

一种半导体热处理设备，包括舟传输机构，舟传输机构包括主体支架、沿竖直方向设置于主体支架上的滚珠丝杠、设置于主体支架顶端的张紧装置和一端连接于所述张紧装置的护带；护带的另一端连接于主体支架的底端，且位于滚珠丝杠背离主体支架的侧面，张紧装置...

本发明公开一种半导体封装结构的加工方法和半导体封装结构，其中加工方法包括：提供晶圆，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，对晶...

本发明公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，该工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内部的基座和设置于基座上的聚焦环，还包括：多个聚焦环补充结构，多个聚焦环补充结构沿周向环绕设置于聚焦环上方，聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；...

本发明公开了一种射频电源控制系统、方法、工艺腔室及半导体工艺设备。该系统包括：控制单元、安全互锁控制板和延时控制模组；全互锁控制板、延时控制模组、射频电源匹配器之间形成安全互锁回路；安全互锁控制板用于判断工艺腔室的安全状态是否满足射频电...

本发明公开了一种冷却气体管路的控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备。该方法包括：在使用工艺腔室进行连续工艺过程中，保持干泵、第一阀门、第三阀门和第四阀门处于开启状态，同时主管路通入冷却气体，控制压力控制器按照设定压力进行控压，当需要对晶圆...

本发明提供一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法，其中，半导体工艺设备包括第一控制单元和第二控制单元，第二控制单元所执行的腔室压力控制方法包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据充气信号控制充气单元开始充气；在确定腔室压力达到预设压力值...

本申请公开一种本申请实施例的目的是提供一种电源组件、电源控制方法和溅射设备，电源组件包括第一电源、第二电源、拨码开关和电流测量件，所述第一电源和所述第二电源并联设置，所述第一电源配置为与控制主机通信连接，所述第二电源通过所述拨码开关与所...

本发明提供一种工艺腔室及半导体加工设备，该工艺腔室包括腔体及设置在腔体中的基座和多个悬臂，多个悬臂沿基座的周向间隔分布在基座的周围，且每个悬臂连接在基座的侧壁与腔体的侧壁之间，其特征在于，还包括内衬结构，内衬结构间隔地环绕在腔体的侧壁与...

本发明实施例提供了一种动作清除方法，该方法包括：在执行当前动作序列时，在出现动作清除触发事件的情况下，生成或接收清除指令；根据清除指令，确定清除对象；清除对象包括半导体工艺设备中的至少一个设备单元；对下发至清除对象的动作序列进行动作清除...

一种液态源瓶及半导体工艺设备，用于半导体工艺设备中，液态源瓶包括瓶体和自上向下依次设于瓶体内的多个盛液池；瓶体的顶部设有进气口和出气口；多个盛液池分别通过进气管路与进气口连通，通过出气管路与出气口连通。本发明涉及的液态源瓶，采用在一个源...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其排气系统。该排气系统包括：切换装置、第一控压机构及第二控压机构；切换装置与工艺腔室连接，并且与第一控压机构及第二控压机构连接；第一控压机构的第一控压管路与切换装置连接，用于对工艺腔室排气；第一控制...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于工艺腔室以用于承载晶圆，其包括：承载盘、射频结构及控温结构；承载盘层叠设置于射频结构上，并且承载盘用于承载晶圆；射频结构的底部与一升降装置连接，用于在升降的带动下移动至第...

本发明提供一种深沟槽顶部圆角形成的工艺方法，该方法在同一工艺腔室内对晶圆进行原位刻蚀工艺，包括以下步骤：沟槽刻蚀步骤，以形成有图案化的光阻层为掩膜，对晶圆进行刻蚀，在晶圆上形成沟槽；副产物去除步骤，刻蚀去除晶圆的沟槽侧壁和光阻层的图案开...

本申请公开一种管路控温设备和管路控温方法，用于半导体设备中，管路控温设备包括处理器件和多个沿被控温管路的延伸方向分布的加热组件，各加热组件均包括加热器件、第一测温器件、第二测温器件和控制器件，各加热组件中的第一测温器件和第二测温器件均用...

本申请公开一种供液系统和半导体清洗系统，供液系统包括第一供液管路、第二供液管路、第一连通管路、第二连通管路、预混容器、第一驱动泵、混流器和控制器，第一供液管路和第二供液管路均与预混容器连通，以分别输送第一液体和与第二液体，预混容器通过第...

本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪，打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭...