本发明公开一种半导体腔室，包括腔室本体、磁控管、晶片承载台和靶材，所述磁控管和所述靶材均位于腔室本体的顶部，所述晶片承载台位于所述腔室本体内，所述半导体腔室还包括第一磁性装置和第二磁性装置；所述第一磁性装置位于所述腔室本体内，且环绕所述...

本申请公开一种上电极组件及半导体工艺设备，上电极组件上电极盖板，所述上电极盖板用于设置在所述反应腔室的顶部开口上；匀流件，所述匀流件为导热结构件，安装于所述上电极盖板，且所述匀流件的至少一部分位于所述上电极盖板朝向所述反应腔室一侧，所述...

本发明提供一种静电卡盘及其制备方法，该静电卡盘包括基座、设置在基座上的用于加热晶圆的加热层和设置在加热层上的用于吸附晶圆的吸附层，其中，加热层与基座之间、加热层与吸附层之间以及加热层的侧面均设置有粘结层，其特征在于，还包括具有耐腐蚀材质...

本申请公开一种去气腔室及半导体工艺设备，所述去气腔室包括腔体、加热装置和遮光板，其中：沿所述去气腔室的高度方向，所述加热装置设置于所述腔体的上方，所述加热装置用于向放置于所述腔体内的晶圆投射光线，以对所述晶圆进行加热；所述遮光板上设置有...

本发明公开了一种半导体工艺设备及其压力调节装置，所公开的压力调节装置包括壳体、压力调节阀芯组件和驱动机构，其中：所述壳体具有连通设置的内腔和气体通道，所述气体通道开设有进气口和排气口，所述进气口用于与所述半导体工艺设备的排气管道连通；所...

本申请公开了一种承载装置、半导体工艺设备及电流平衡方法，涉及半导体领域。一种承载装置包括：基座，基座设有正极模块和负极模块，正极模块与正极电路连接，负极模块与负极电路连接；电流调节组件，电流调节组件与正极电路及负极电路分别连接，用于采集...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座和导气结构，导气结构包括上导气件和下导气件，上导气件的上导气腔用于由基座的四周接收气体，且其底部形成有环形开口，下导气件的底部与排气口601连通，下导气件的顶部具有多个将上导气腔与下导气件的下...

本发明实施例提供了一种腔室泄露检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过光谱发射仪获取反应腔室中气体的光谱信息，从光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第二光强度值，在第一光强度值与第二光强度...

本发明公开了一种半导体工艺设备及其加热装置，所公开的半导体工艺设备包括气源腔室和管路组件，管路组件与气源腔室连通，且位于气源腔室之外；所公开的加热装置包括壳体和加热组件，壳体用于与气源腔室围成封闭的加热腔室，管路组件设于加热腔室，加热组...

本发明提供一种半导体设备的片舟暂存装置及半导体设备，片舟暂存装置用于暂存片舟，其两个相对设置的承载台用于分别承载片舟长度方向上的两端；设置在每个承载台上的第一定位结构用于与片舟长度方向上一端的两个定位部朝向或背离另一端的两个定位部的两侧...

本申请公开一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法，晶圆清洗设备包括承载件，所述承载件用于承载晶圆并携带所述晶圆旋转；喷洒组件，所述喷洒组件与清洗介质源连通，且所述喷洒组件位于所述承载件的上方，所述喷洒组件用于与所述承载件同步旋转且向承载于所述承...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：基座组件和支撑结构；基座组件包括有承载盘，承载盘的厚度方向贯穿有多个升降孔；支撑结构包括顶针及限位组件，顶针可活动地穿设于升降孔内；限位组件包括转接件，转接件的顶端与顶针...

本申请公开一种自锁装置和升降装置，属于传动结构技术领域。该自锁装置包括制动件、传动件、限位件、第一弹性件和主动件，传动件的第一端和第二端分别与制动件和主动件转动配合，且主动件相对于传动件在第一位置和第二位置之间转动。限位件与传动件滑动配...

本发明提供一种匀流装置、工艺腔室及半导体工艺设备，该匀流装置包括环形支撑件和环形盖板，在二者彼此相对的两个表面之间形成有凹凸结构，凹凸结构形成有沿环形支撑件的径向间隔设置的多个匀流腔，以及设置在各相邻的两个匀流腔之间，用于将二者连通的连...

本发明提供一种上电极装置及工艺腔室，其中，上电极装置包括顶部盖板、电极组件和驱动组件，顶部盖板用于设置于工艺腔室的腔体顶部；电极组件包括匹配器、线圈和连接结构，匹配器通过连接结构与线圈连接，匹配器用于和电源连接，以通过线圈在腔体内产生电...

本申请公开一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室、匹配器、高频电源和低频电源，工艺腔室包括腔体、基座、喷淋件和同轴接地组件，匹配器与基座连接；喷淋件为导电结构件，喷淋件与腔体之间绝缘；同轴接地组件设置于喷淋件背离基座的一侧，同轴接地组件包括...

本申请公开了一种半导体封装结构及其加工方法，属于半导体工艺技术领域。一种半导体封装结构的加工方法，包括：提供晶圆，晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连...

本发明提供一种半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室，冷却装置用于冷却腔体顶壁，固定板与腔体连接，并与腔体顶壁相对设置，形成安装冷却管路的容纳空间，且设有与多个冷却管路的进风口一一对应连接的多个通孔；阻隔组件分腔体顶壁为中间和边缘冷却...

本申请实施例公开了一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备，用以解决现有技术中控制清洗液温度时温度控制不够灵活、精确，且容易因清洗液的加热温度过高而导致防护外壳受热形变的问题。该装置包括：制冷片模组、控制模块和第一测温器件；...

本发明公开一种清洗腔室，包括腔室本体(100)、排风箱体(200)、调节机构(300)和排液装置；所述排风箱体(200)位于所述腔室本体(100)之外，且所述排风箱体(200)与所述腔室本体(100)相连通，所述排风箱体(200)开设有...