本实用新公开一种用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备，涉及半导体加工设备技术领域。该边磁装置包括壳体组件、盖体和磁性件，壳体组件设置有容纳腔和开口，磁性件设置于容纳腔中；盖体与壳体能相对移动，在盖体盖合于壳体组件的情况下，磁性件...

本发明公开了一种半导体工艺设备工艺腔室中的卡盘组件及半导体工艺设备，其中卡盘组件包括：卡盘，卡盘用于承载晶圆；盖板，盖板设置于卡盘的外周，卡盘承载有晶圆时，盖板的上表面不高于晶圆的上表面，并且盖板的上表面具有多个凹陷；多个可翻转部件，分...

本申请公开了一种阀门组件及半导体设备，涉及半导体装备领域。一种阀门组件，应用于半导体设备，包括：阀门本体和阀板，其中：所述阀门本体用于与所述半导体设备中的工艺腔室的传料口处固定连接，且所述阀门本体包括与所述传料口连通设置的通道；所述阀板...

本实用新型公开一种半导体工艺设备及其晶圆暂存腔室，晶圆暂存腔室包括：腔室，腔室内部具有容纳空间；制冷盘，位于容纳空间内，制冷盘包括相对的第一表面和第二表面，第一表面能够承载晶圆；升降环，环绕制冷盘设置，升降环被配置为能够在第一方向上运动...

本申请公开一种上电极组件和半导体工艺设备，上电极组件包括：上电极盖板，上电极盖板用于设置在反应腔室的顶部开口上；匀流板，匀流板设置于上电极盖板朝向反应腔室一侧的表面上；接触电极，接触电极设置于匀流板背离上电极盖板的一侧的表面上；阻抗环，...

本申请实施例提供了一种立式热处理设备及其传动机构。该传动机构包括：传动结构安装于安装板上，并且传动结构的传动轮位于安装板的底部；调节板设置于安装板上，调节板可相对于安装板移动，并且能锁紧于安装板上；驱动器设置于调节板上，并且位于传动结构...

本实用新型公开一种顶针组件及半导体工艺设备，顶针组件应用于半导体工艺设备中，用于移动晶圆，顶针组件包括导向连接件、调节组件和升降盘；所述调节组件包括螺纹连接件和调节支架，所述调节支架位于所述升降盘的下方，所述螺纹连接件用于连接所述调节支...

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中用于承载晶圆的基座，其下方设置有升降机构，升降机构通过穿过腔体底部通孔的升降轴与基座底部连接，半导体工艺腔室还包括第一吹扫组件、吹扫管路和底吹扫气盘，用于通过底部通孔向腔体中提供第...

本实用新型提供一种真空系统，包括依次连通的冷凝装置、真空泵及集气装置，工艺腔室位于冷凝装置的上游，以使工艺腔室内部产生的工艺废气在通过冷凝装置和真空泵后到达集气装置内，其中，工艺废气含有的蒸气能够在冷凝装置和集气装置中冷凝形成液体；集液...

本发明提供一种立式热处理设备，包括：具有炉口的炉体；炉门组件，所述炉门组件用于开启或关闭所述炉体的炉口；具有输出轴的驱动器，所述驱动器用于驱动所述输出轴绕自身轴线旋转；传动组件，所述传动组件与所述驱动器的输出轴和所述炉门组件固定连接，用...

本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内门组件和升降机构，其中：所述腔体的内腔设置有内衬，所述内衬设有与所述腔体的侧壁开口相对的传片口；所述升降机构包括连杆和轴套组件，所述连杆穿设于所述腔体的底壁，并与所述内门组...

本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体和设置于腔体中的基座、静电卡盘、第一下电极悬臂和第二下电极悬臂，静电卡盘设置在基座上，基座通过第一下电极悬臂固定在腔体的内壁上，并通过第一下电极悬臂的内腔与腔体外部的外设件连接，第二下电极...

本发明提供一种去气腔室的温度调节方法，包括：读取目标工艺温度曲线；获取上温度检测件和下温度检测件检测的上加热组件和下加热组件的加热区域的温度检测值，并基于预存的温度校准公式根据温度检测值计算晶圆承载装置中晶圆的工艺温度；根据工艺温度与目...

本发明提供一种电缆长度调节装置，包括：输入端，用于通过电缆与射频电源连接；输出端，用于通过电缆与匹配器连接；线长调节机构，用于调节连接在输入端与输出端之间电缆的长度；控制器，用于控制线长调节机构将连接在输入端与输出端之间电缆的长度依次调...

本申请公开一种半导体工艺设备、托盘及片盒，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、传输腔室和装载腔室，装载腔室用于容置片盒，片盒用于承载托盘，传输腔室中设有传输装置，用于在工艺腔室和装载腔室之间传输托盘；装载腔室和传输腔室...

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备及其排气装置。该排气装置包括：集气机构、第一控压组件及第二控压组件；集气机构设置于装卸载腔室上，并且与装卸载腔室的内部空间连通设置，用于收集装卸载腔室内的气体；第一控压组件及第二控压组件均与集气机构...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，其内部具有工艺腔，顶部设置有进气口；整流结构，将工艺腔分隔为发生腔和加工腔；设置在加工腔的承载结构；线圈用于对进入发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体。整流结构包括多个整流部，各整流部具有多...

本发明提供一种承载装置，包括沿高度方向由上至下层叠设置的承载层和换热层，承载层用于承载和加热晶圆，换热层中具有换热腔，换热腔的底部设有多个进液口和多个出液口，多个进液口在换热腔的中央区域周向分布，多个出液口在换热腔的边缘区域周向分布，换...

本发明实施例提出一种半导体工艺设备和晶圆位置状态的监测方法，其中，半导体工艺设备包括检测装置和控制器；检测装置用于实时检测呈阵列分布的多个子区域对应的实测高度值，多个第一子区域至少覆盖基座的片槽；控制器用于根据与每个第一子区域对应的实测...

本申请公开了一种半导体工艺设备及晶圆清洗方法，涉及半导体装备及工艺领域。一种半导体工艺设备包括：装载腔室、传输腔室、连接腔室、传输装置和清洗装置；装载腔室与传输腔室之间通过连接腔室连接，传输装置用于经过连接腔室由装载腔室向传输腔室传输晶...