本申请提供一种半导体工艺设备及其晶圆支撑结构。该晶圆支撑结构包括：升降组件、支撑组件、胀紧组件及调节组件,升降组件设置于装卸载腔室内，支撑组件的第一端套设于升降组件的升降轴顶部，第一端的内周壁与升降轴的外周壁间隙配合形成调节空间，支撑组...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的冷却腔室。该冷却腔室包括：腔体结构的第一腔壁上设置有传输口，腔体结构内具有与传输口连通的冷却空间；两个第一冷却结构分别形成于腔体结构的两相对的第二腔壁上，并且两个第二腔壁分别位于第一腔壁的两侧；第二...

本发明实施例提供一种卡盘装置和应用其的半导体工艺设备，其包括：用于承载晶圆的承载盘、与承载盘连接的驱动盘、多个沿驱动盘的周向间隔分布的固定结构以及夹紧驱动装置；其中，在驱动盘的外周缘设置有第一传动部；在每个固定结构上均设置有第二传动部，...

一种用于半导体工艺设备的缓冲式电极插拔结构及设备，包括插头和插头座；其中，插头座面向插头的一面设置有多个插孔，插头座背离插头的一面设置有缓冲结构；插头面向插头座的一面设置有多个与插孔一一对应的插针；缓冲结构用于在插针插接或拔出于插孔的过...

本发明提供一种半导体设备的遮挡组件及反应腔室，半导体设备的遮挡组件设置于反应腔室内，包括第一环体和第二环体，第一环体用于环绕在反应腔室中的承载部件的外周壁上；第二环体可活动的设置于反应腔室中的内衬上，且第二环体位于第一环体的上方，第一环...

本发明实施例提供了一种压力调零方法和半导体工艺设备，应用于半导体制造技术领域，该方法包括：对工艺腔室进行抽真空后，开始计时，在计时时长达到预设的时长的情况下，获取压力规采集到的压力值，在压力值不低于预设的负漂判断压力值、且不高于预设的正...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、控制器和设置在工艺腔室中的承载盘，承载盘上设置有用于托举晶圆的晶圆托举机构，工艺腔室顶部设置有多个距离监测装置，用于分别监测承载盘上的晶圆与自身之间的距离。控制器用于在晶圆托举机构托举起晶圆的...

本发明提供一种下射频电源的功率控制方法和装置、半导体工艺设备，该方法包括：在工艺腔室开始进行半导体工艺时，利用预设的功率补偿关系式，并根据预先获取的参照腔室的第一射频回路参数组和进行半导体工艺的当前工艺腔室的第二射频回路参数组，获得获得...

本发明提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝...

本发明提供一种功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，其包括：获取到达匹配器前端的预设输入功率值；根据到达匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与该预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，函数关系为...

本发明提供一种加热基座的温度控制方法，包括：向可控硅元件提供与当前温度对应的检测控制电压，并检测可控硅元件向加热基座提供的加热电压以及可控硅元件与加热基座之间的供电电流，根据加热电压与供电电流确定加热基座的当前电阻。比较当前电阻与陶瓷加...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，其中设置有基座和法拉第屏蔽筒，法拉第屏蔽筒环绕基座的轴线设置，工艺腔室外设置有电磁线圈，电磁线圈环绕法拉第屏蔽筒设置，法拉第屏蔽筒上形成有多条贯穿法拉第屏蔽筒的侧壁且沿法拉第屏蔽筒的轴向延伸的...

本发明提供一种装载机构及半导体工艺设备，其中，装载机构包括：可移动的主体框架，用于可拆卸地与半导体工艺设备的装载腔室限位连接；承载结构，可升降且可平移地设置在主体框架上，承载结构设有用于将热场限位至与其同心的第一限位结构；热场支撑件限位...

本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备，该静电卡盘中，气道结构包括环形气道、主气道组和次气道组，其中，环形气道位于靠近卡盘本体的上表面的边缘处，用以在其内侧限定形成热交换区域；主气道组环绕在中心进气孔周围，次气道组环绕在主气道组周围；主...

本实用新型提供一种电容及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。好的电极特性。好...

本申请公开了一种机械手装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种机械手装置包括：基座；抓取机构，抓取机构包括分别可转动地连接于基座的第一抓取组件和第二抓取组件；驱动机构，驱动机构包括直线模组和两组连接件，直线模组的输出端与第一抓取组...

本申请公开一种半导体清洗设备和清洁卡盘的方法，半导体清洗设备包括工艺腔室和设置在工艺腔室内的卡盘，所述半导体清洗设备还包括抽吸机构，所述抽吸机构包括抽吸管路，所述抽吸管路配置为与抽气设备连通，所述抽吸管路的一部分可移动地安装在所述工艺腔...

本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，涉及半导体加工设备技术领域。该工艺腔室包括腔体、盖体和内衬，腔体的进气侧具有开口端，开口端设置有安装台，安装台凸出并环设于腔体的内侧壁；盖体盖合于开口端，且盖体与开口端密封配合；内衬设置于腔体内...

本申请公开了一种承载装置及半导体工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种承载装置，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，该承载装置包括：承载座本体、导电件和设置于承载座本体内部的第一电极，所述第一电极用于与接地装置连接；所述承载座本体设有承载面，用...

本申请公开一种托架、半导体腔室及半导体工艺设备，托架用于在半导体腔室内承载晶片。托架包括支撑柱、托架本体和调平装置，其中：支撑柱的一端设置有定位凸起；调平装置包括第一调节环，第一调节环定位套设于定位凸起，第一调节环的环外侧壁设置有第一斜...