半导体工艺设备及晶圆状态监测方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、控制器和设置在工艺腔室中的承载盘，承载盘上设置有用于托举晶圆的晶圆托举机构，工艺腔室顶部设置有多个距离监测装置，用于分别监测承载盘上的晶圆与自身之间的距离。控制器用于在晶圆托举机构托举起晶圆的过程中实时获取多个距离监测装置的监测结果，并在多个距离监测装置的监测结果不一致时，判定晶圆的状态异常。在本发明专利技术中，控制器能够实时监测晶圆上多个位置的高度是否一致，进而能够及时发现晶圆状态异常问题，避免后续动作对晶圆造成进一步破坏，提高了晶圆的安全性，降低了工艺腔室的维护成本，并保证了半导体工艺的产品良率。本发明专利技术还提供一种晶圆状态监测方法。本发明专利技术还提供一种晶圆状态监测方法。本发明专利技术还提供一种晶圆状态监测方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备及晶圆状态监测方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种晶圆状态监测方法和一种能够实现该方法的半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在集成电路芯片制造行业，对晶圆(wafer)进行加工的工艺流程普遍包括光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积，核心封装等工艺。其中，等离子刻蚀工艺是由刻蚀机将线、面或孔洞等光阻图案，通过光刻工艺准确无误地转印到光阻底下的材质上，以形成整个集成电路所应有的复杂架构；而封装工艺是将器件晶圆整体减薄再进行背部封装，同样需要等离子刻蚀工艺。
[0003]在等离子刻蚀工艺中，通常需要将晶圆放置在半导体工艺设备的工艺腔室中的静电卡盘(Electro
‑
Static Chuck，ESC)上，再对晶圆进行加工，加工过程中静电卡盘起到支撑、固定晶圆，以及对晶圆在工艺过程中的温度进行控制等作用。静电卡盘利用静电力固定晶圆，能够有效规避机械卡盘结构复杂、晶圆有效加工面积减少等缺点。
[0004]然而，采用静电卡盘固定晶圆的方案中，Dechuck步骤(卸除静电卡盘对晶圆的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载盘，所处承载盘用于承载晶圆，所述承载盘上设置有晶圆托举机构，用于托举晶圆，其特征在于，所述工艺腔室的顶部设置有多个距离监测装置，多个所述距离监测装置用于分别监测所述承载盘上的晶圆与自身之间距离；所述半导体工艺设备还包括：控制器，用于在所述晶圆托举机构托举起所述晶圆的过程中，实时获取多个所述距离监测装置的监测结果，判断多个所述距离监测装置的监测结果是否一致，并在多个所述距离监测装置的监测结果不一致时，判定所述晶圆的状态异常。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括移动记录器，所述移动记录器用于记录所述晶圆托举机构托举晶圆上升的理论高度：所述控制器还用于在所述晶圆托举机构托举起所述晶圆的过程中，实时获取所述移动记录器记录的所述晶圆托举机构托举所述晶圆上升的理论高度，并比较理论测距值与多个所述距离监测装置的监测结果，在多个所述距离监测装置的监测结果均与所述理论测距值一致时，判定所述晶圆状态正常；在至少一个所述距离监测装置的监测结果大于所述理论测距值时，判定所述晶圆发生粘片异常，其中，所述理论测距值为所述距离监测装置与所述承载盘的承载面之间的距离减去所述晶圆的厚度再减去所述移动记录器记录的所述晶圆托举机构托举晶圆上升的理论高度。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器还用于在多个所述距离监测装置中部分所述距离监测装置的监测结果大于所述理论测距值时，判定所述晶圆发生局部粘片异常。4.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器还用于在多个所述距离监测装置中部分所述距离监测装置的监测结果小于所述理论测距值时，判定所述晶圆发生跳片异常。5.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制器还用于在判定所述晶圆发生粘片异常后，控制所述晶圆托举机构下降，以将所述晶圆放回至所述承载盘的承载面上。6.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜宏伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：