本发明提供一种工艺腔室，包括腔体和腔体中的基座，基座包括基座本体和基座本体底部的支撑柱，腔体的底部形成有固定通孔，支撑柱的底端固定设置在固定通孔中，且支撑柱内部的容纳孔通过固定通孔与工艺腔室的外部连通。固定通孔包括形成在腔体底壁上的定位...

本发明提供一种用于半导体工艺设备的加热结构，加热结构设置于介质窗和射频线圈之间，加热结构包括加热层，加热层设置于介质窗上；加热层包括加热丝，加热丝围绕介质窗中心呈辐射状盘绕，加热丝包括多个沿介质窗的径向延伸的辐条段，且每条辐条段的两端分...

本申请实施例公开了一种半导体设备及其工艺控制方法，用以解决现有的半导体工艺在控制温度稳定性时无法兼顾输出稳定性、从而影响工艺参数的问题。包括：在半导体设备的当前工艺步骤满足预设控温条件的情况下，获取温控装置监测到的工艺腔室的实时温度；若...

本申请公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和上电极结构，工艺腔室包括盖板，上电极结构包括连接组件、出气盘、驱动组件、传动组件和导向组件，出气盘设置在工艺腔室中，连接组件穿过盖板与出气盘连接，驱动组件安装于盖板，用于通过传动组件驱动连接组...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括反应腔和位于反应腔下方的传输腔，反应腔通过底部开口与传输腔连通，半导体工艺腔室中设置有可在反应腔与传输腔之间升降的基座，还设置有密封环和第一弹性密封筒，二者均设置于基座的下方且套设在基座的升降轴上，第一...

本发明提供一种半导体设备，包括工艺腔室和反应基座，工艺腔室的侧壁上设置有进气块，用于向工艺腔室中输入气体；工艺腔室中还设置有绕反应基座设置的导流组件，用于将进气块输入的气体导流分配至工艺腔室中，导流组件的底部具有第一锥形部，第一锥形部的...

一种顶针升降装置及半导体工艺设备，顶针升降装置用于半导体工艺设备中，带动顶针在反应腔室内进行升降，包括固定支架、升降支架、升降驱动装置和多个磁力传动装置；固定支架用于设置于反应腔室的底部；升降驱动装置设于固定支架上；升降支架连接于升降驱...

本发明提供一种下电极装置及半导体工艺设备，该下电极装置包括绝缘基座和设置在该绝缘基座中的偏压电极层，以及偏压控制单元，其中，绝缘基座具有用于承载晶圆的承载面；偏压电极层包括间隔设置的多个偏压电极，且多个偏压电极分布在承载面的不同区域中；...

本申请公开一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法，所述电源组件包括壳体、第一电源、第二电源和输出接口，其中：所述第一电源和所述第二电源集成设置于所述壳体内，所述输出接口设置于所述壳体上；所述第一电源与所述输出接口连接，所述第...

本申请公开一种半导体工艺设备及其控制方法，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、第一加热组件、第一传感器、第一控制模块和第二加热组件，所述工艺腔室包括腔体和承载座，所述承载座设置于所述腔体内，用于承载晶圆，所述第一传感器用于检测所述晶圆的曲翘...

本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还...

本申请公开一种半导体工艺腔室，其包括腔体，所述腔体设有内腔，所述内腔设有顶部开口和侧部开口；内衬体，所述内衬体设置于所述内腔中，所述内衬的顶端与所述顶部开口连接，所述内衬体设有传片口，所述传片口与所述侧部开口相对设置；内门，所述内门包括...

本发明提供一种陶瓷件的加工方法，用于对经过机械加工的陶瓷件进行表面处理，其包括以下步骤：对所述陶瓷件进行等离子体刻蚀，以去除所述陶瓷件的待处理表面上的损伤和颗粒；对进行等离子体刻蚀后的所述陶瓷件的待处理表面进行清洗，以去除所述陶瓷件进行...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的片舟存储装置。该片舟存储装置中，支撑结构包括两个对称设置的支撑组件，两个支撑组件用于承载片舟；两个支撑组件相对两侧的顶部位置均设置有导向结构，用于与片舟的两端配合导向，以使片舟落入两个支撑组件之间；...

本发明公开一种半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法，涉及半导体加工技术领域。该控制方法包括：采集工艺腔室内的实际压力值；根据实际压力值和预设的目标压力值之间差值，确定用于控制排气阀门开度的第一阀门开度值；根据第一阀门开度值和当前...

本发明提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：包括：工艺管、电磁加热组件及保温结构；电磁加热组件包括电磁线圈及感应加热器，电磁线圈环绕设置于工艺管的外周，并且电磁线圈的内壁与工艺管的外壁之间具有第一预设间距，电磁线圈的匝...

本实用新型公开了一种气体混合装置、半导体工艺的气体输运系统和半导体设备，其中气体混合装置包括：混合本体，混合本体包括相对设置的进气端和出气端，混合本体内设有匀气腔；至少两个进气口，设置于进气端，每个进气口通过各自的通道与匀气腔连通，其中...

本申请公开一种托盘，包括放置板和基台，放置板的上表面具有凹槽，用于承载进行半导体工艺的衬底，基台设置于放置板的下表面，托盘内设有贯通的通气通道，通气通道的第一端设于凹槽的底面，通气通道的第二端位于基台的周部，这样在放置板上放置衬底时，处...

本申请公开了一种承载装置及半导体工艺设备的反应腔室，涉及半导体装备领域。一种承载装置，应用于半导体工艺设备的反应腔室中，用于承载晶圆，该承载装置包括依次层叠设置的加热层、介质层和控温层，以及设于加热层内的测温装置，加热层背离介质层的一侧...