半导体工艺腔室制造技术

本申请公开一种半导体工艺腔室，其包括腔体，所述腔体设有内腔，所述内腔设有顶部开口和侧部开口；内衬体，所述内衬体设置于所述内腔中，所述内衬的顶端与所述顶部开口连接，所述内衬体设有传片口，所述传片口与所述侧部开口相对设置；内门，所述内门包括门体和驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动，并选择性地控制所述门体嵌入所述传片口内或者避让所述传片口。上述技术方案能够解决目前工艺腔室内容易产生横向气流，对气体的流动均匀性产生不利影响，进而造成晶圆的刻蚀均匀性受到影响的问题。刻蚀均匀性受到影响的问题。刻蚀均匀性受到影响的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室


[0001]本申请属于半导体加工
，具体涉及一种半导体工艺腔室。

技术介绍

[0002]晶圆的加工工艺有多种，一般均需要在半导体工艺设备的工艺腔室中进行，为了保证较高的工艺效果，通常需要使工艺腔室具有较好的密封性能，且需控制工艺腔室内气流的流动方向，但是，目前工艺腔室中，内门与内衬体的传片口之间的缝隙较大，对工艺腔室内的气体流动均匀性产生较大的不利影响。

技术实现思路

[0003]本申请公开一种半导体工艺腔室，能够解决目前工艺腔室内容易产生横向气流，对气体的流动均匀性产生不利影响，进而造成晶圆的刻蚀均匀性受到影响的问题。
[0004]为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：
[0005]本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺腔室包括：
[0006]腔体，所述腔体设有内腔，所述内腔设有顶部开口和侧部开口；
[0007]内衬体，所述内衬体设置于所述内腔中，所述内衬的顶端与所述顶部开口连接，所述内衬体设有传片口，所述传片口与所述侧部开口相对设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括：腔体，所述腔体设有内腔，所述内腔设有顶部开口和侧部开口；内衬体，所述内衬体设置于所述内腔中，所述内衬的顶端与所述顶部开口连接，所述内衬体设有传片口，所述传片口与所述侧部开口相对设置；内门，所述内门包括门体和驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动，并选择性地控制所述门体嵌入所述传片口内或者避让所述传片口。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动组件包括第一驱动组件和第二驱动组件，所述第一驱动组件和所述第二驱动组件的驱动端均与所述门体连接，所述第一驱动组件用于驱动所述门体沿所述腔体的轴向运动，所述第二驱动组件用于驱动所述门体沿所述侧部开口和所述传片口的分布方向运动。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述门体设有多个配合孔，所述配合孔垂直于所述腔体的轴向的截面为长条孔，且所述长条孔沿所述侧部开口和所述传片口的分布方向延伸，所述第一驱动组件的驱动端可沿所述长条孔的延伸方向移动，所述第二驱动组件的驱动端可在所述配合孔内沿所述长条孔的延伸方向移动以及沿所述腔体的轴向移动。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一驱动组件包括第一驱动轴和第一驱动部，所述第一驱动部驱动所述第一驱动轴沿所述腔体的轴向移动；所述第一驱动轴的驱动端伸入所述配合孔，所述第一驱动轴为圆柱状结构件，所述配合孔在所述腔体的轴向上的尺寸等于或大于所述第一驱动轴的直径的两倍。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一驱动轴的驱动端设有两个沿所述腔体的轴向间隔设置的限位凸台，两个所述限位凸台沿所述腔体的轴向分别限位设置于所述配合孔的相背两端。6.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一驱动组件还包括转接部，所述第一驱动轴的数量为至少两个，所述第一驱动轴的一端固...

【专利技术属性】
技术研发人员：李进，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：