本发明提供一种去气腔室、半导体设备及去气方法，其中，去气腔室包括腔室本体、承载部件、进气结构和加热部件，承载部件设置在腔室本体中，用于承载至少一个晶圆，承载部件通过与晶圆的边缘接触，对晶圆进行承载；进气结构用于将工艺气体引入至腔室本体内...

本发明实施例提供一种渗透剂及其制备方法、陶瓷件表面探伤检测方法，渗透剂用于陶瓷件表面缺陷探伤检测，该渗透剂的组分包括荧光染料、轻油、石油烃混合物、矿物油和表面活性剂。本发明实施例提供的渗透剂及其制备方法、陶瓷件表面探伤检测方法的技术方案...

本发明提供一种匹配器输出功率调试方法及调试系统。该调试方法具体包括：在射频电源开启时，检测匹配器的输入端的输入功率值和匹配器的输出端的输出功率值；计算匹配器的实际效率值，实际效率值等于匹配器的输出功率值与输入功率值的比值；判断实际效率值...

本发明实施例提供一种陶瓷烧结方法，其包括：对陶瓷粉粒进行分筛，以获得多组不同粒径范围的粉粒组；从多组所述粉粒组中选取至少三组，并将选取的至少三组所述粉粒组中的所述陶瓷粉粒按预设配比混合并研磨，形成陶瓷粉体；对所述陶瓷粉体进行烧结，以获得...

本发明提供一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其中，半导体工艺设备包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，承载部件可移动地设置在工艺腔室中，用于承载晶圆；冷却部件设置在工艺腔室中，并位于承载部件的下方，用于在承载部件移动至靠近冷却部件时，对承载...

本发明提供一种多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备，其中，控制方法包括以下步骤：S1、根据多个工艺腔室的同一目标压力值，以及预设的各个工艺腔室的控压参数与压力值的对应关系，分别获得各个工艺腔室与目标压力值对应的控压参数；S2、向各...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、承载装置及匀流组件；腔室本体的顶部设置有进气结构，腔室本体的底壁贯穿多个抽气口，用于与抽气管路连接，以排出腔室本体内的气体；承载装置包括承载座及支撑柱，承载座通...

本实用新型提供一种传输装置，用于半导体设备，包括主体、驱动组件、传动部件和多个用于承载待加工工件的承载部件，承载部件包括基准件和位于基准件上方的多个活动件，基准件与主体固定连接，多个活动件彼此间隔设置，且均与主体沿第一方向滑动连接；传动...

公开了一种集成电路的制造工艺，包括：去除晶片上的二氧化硅的方法，该方法可包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所...

本实用新型公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括下壳体、上壳体和供气结构；所述下壳体与所述上壳体密封连接，围设形成反应空间；所述供气结构包括第一进气件、第二进气件和弹性组件，所述第一进气件设置于所述下壳体，所...

本申请公开一种工艺腔室，包括腔体、承载座、内衬组件、靶材和移动烘烤灯组件，靶材设置于腔体的顶部开口上，内衬组件至少部分位于腔体内，且内衬组件的一端设置于靶材和腔体之间，内衬组件的另一端悬空，承载座设置于腔体内，移动烘烤灯组件包括烘烤灯，...

本申请公开了一种晶圆清洗设备及其晶圆传输装置，其中，晶圆传输装置包括机架、驱动机构、伸缩支架和多个晶圆托架，其中：驱动机构和伸缩支架均设于机架上，伸缩支架的第一端部与机架固定连接，伸缩支架的第二端部可移动地设置于机架上，驱动机构与伸缩支...

本发明公开了一种半导体设备的托盘结构和半导体设备，其中托盘结构包括：托盘本体；多个定位销，定位销与托盘本体的上表面可拆卸地固定连接，多个定位销用于在托盘本体的上表面限定出至少一个晶圆放置区域，晶圆放置区域用于承载并定位晶圆。本发明通过定...

本申请公开一种半导体工艺设备及其运动部件的控制方法和装置，其中控制方法包括：获取当前动作任务，所述当前动作任务包括多个子动作对象；确定当前子动作对象和待执行子动作对象，所述待执行子动作对象被配置为在所述当前子动作对象之后执行；控制与所述...

一种上下料系统及半导体工艺设备，用于驱动半导体工艺设备的石英舟进出反应腔室，上下料系统包括机械手、安装架、传动组件和运输组件；其中，传动组件设于安装架上，运输组件驱动连接于传动组件；机械手能够前后伸缩和上下运动，用于将石英舟放置于运输组...

本申请公开一种气体混合机构、进气管路结构及半导体工艺设备，该气体混合机构包括气体混合腔体、掺杂气体支管和携带气体支管；气体混合腔体具有混流内腔以及与混流内腔连通的第一进气口、第二进气口和出气口，第一进气口和第二进气口位于气体混合腔体的第...

本发明实施例提供一种晶圆刻蚀方法，包括以下步骤：S1、刻蚀去除第一材料层的表层部分；S2、刻蚀第二材料层，直至第二材料层低于或平齐于第一材料层的填充部分；S3、沉积覆盖掩膜层的保护层，同时刻蚀第一材料层的填充部分和第二材料层，直至填充部...

本申请公开了一种反应腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法，涉及半导体工艺领域。一种反应腔室包括：腔室主体；承载机构，设置在所述腔室主体中，用于承载晶圆；第一传输机构，设置在所述腔室主体中，用于在所述承载机构与所述腔室主体内的第一容纳区域...

本申请公开一种半导体工艺设备及其气体输送装置，气体输送装置用于向半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体，其包括混气件和分气件，分气件设置在工艺腔室的盖板上的安装通孔中，分气件与安装通孔配合形成分气通道，混气件设置在盖板上，其中设置有混气...

本发明公开了一种半导体腔室的进排气结构和半导体腔室，其中进排气结构设置于半导体腔室的上下盖之间，其特征在于，进排气结构包括：环形主体和朝向半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部，其中，环形支撑部的内缘用于承载半导体腔室的预热环，且环形支撑部...