本申请提供一种半导体工艺设备及其机械手，该机械手用于传输晶圆，包括手指结构，手指结构上设置有凹槽，凹槽的开口尺寸沿远离凹槽的底面的方向递增，凹槽的侧面用于通过与晶圆边缘接触来承载晶圆；并且，凹槽的底面设置有多个排气孔，凹槽的底面的中心区...

本实用新型提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中用于承载晶圆的承载盘，工艺腔室的底壁上开设有抽气孔，抽气孔位于承载盘的一侧，工艺腔室中还设置有环绕承载盘设置的上抽气腔和下抽气腔，其中，上抽气腔与工艺腔室内部连通，且上抽气...

一种用于进行半导体工艺的反应腔室，包括环绕反应腔室内壁设置的下遮蔽件、用于承载待加工晶圆且能够升降的承载装置和用于在进行半导体工艺时将晶圆固定在承载装置上的机械压环，机械压环包括压环内环和压环外环；压环外环的外周边缘环绕设置于下遮蔽件上...

本实用新型公开一种卡盘，其包括基体；安装于所述基体上的转动件和多个偏心夹持件；多个所述偏心夹持件围绕所述转动件设置且与所述转动件传动连接，多个所述偏心夹持件用于夹持半导体被加工件；可调连接件，所述转动件通过所述可调连接件与所述基体连接，...

本申请公开了一种排风装置及半导体热处理设备，涉及半导体装备领域。一种排风装置包括：第一排风组件，第一排风组件的进风口与半导体热处理设备的炉体的出风口连通；控制阀组件，控制阀组件包括阀本体、阀板和驱动器，阀本体连接于第一排风组件的出风口，...

本发明提供一种基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备，该装置包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和抗干扰单元，其中，正偏压调节单元的第一端接地，正偏压调节单元的第二端与基座电连接，用于调节基座的偏压，且能够使基座产生正偏压；负偏压调节单元...

本发明提供一种反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括隔热腔体、第一加热体、第二加热体和隔离防护结构，第一加热体和第二加热体间隔设置在隔热腔体中，第二加热体上设置有用于承载晶圆的承载装置；隔离防护结构设置在隔热腔体中，且位于第一加热体和...

本发明提供一种晶圆烘烤腔室，包括腔体和设置在腔体上的第一传片口，腔体内部包括烘烤区和过渡区，其中，烘烤区用于对进入烘烤区内的晶圆进行去气工艺，过渡区用于对由第一传片口传入至过渡区内的晶圆进行预热以及对由烘烤区传入过渡区内的晶圆进行暂存，...

本申请公开一种半导体设备的加热器和一种半导体设备，上述加热器包括：加热盘，用于设置在所述半导体设备的腔体中，所述加热盘具有第一空腔以及相对的载物平面和底面，所述底面具有开口，所述第一空腔通过所述开口与大气环境连通；第一冷却元件，固定于所...

本发明提供一种半导体设备的点火装置及半导体设备，进气管组与点火腔室的进气口连通，用于向点火腔室内同时分别输送第一气体和第二气体；加热组件设置在进气管组上，用于加热第一气体和第二气体，使第一气体和第二气体在点火腔室内燃烧产生反应气体；反应...

本申请公开了一种半导体工艺设备，包括半导体腔室、电磁线圈、支撑部件和绝缘电容调节件，其中：所述半导体腔室具有内腔，所述支撑部件设于所述内腔中，所述支撑部件用于支撑晶圆；所述半导体腔室包括介质窗，所述介质窗与所述支撑部件相对设置；所述电磁...

本发明提供一种灯组安装装置，用于固定半导体工艺设备中的灯组，灯组具有环形安装板，灯组安装装置包括安装座和设置在安装座上的定位模组，定位模组能够保持环形安装板与安装座相对且间隔预定距离，并与环形安装板的侧边滚动接触，以允许环形安装板绕环形...

本发明提供一种冷却组件，包括温度感测装置、冷却装置和控制装置，控制装置通过温度感测装置获取半导体工艺设备中的电控装置的温度检测值，控制装置的处理器用于在温度检测值满足预设高温条件或电控装置运行时，控制冷却装置对电控装置进行冷却。在本方面...

本发明提供一种半导体工艺设备及刻蚀方法，该半导体工艺设备包括工艺腔室、射频线圈结构和上射频源，其中，工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体，介质腔体位于工艺腔体的上方，且介质腔体与工艺腔体密封连接；并且，介质腔体的顶部设置有进气口，用以向工艺腔...

本发明提供一种晶圆清洗设备的自动门装置，包括驱动组件、固定导向组件、连接组件和门板，固定导向组件包括多根设置在晶圆清洗设备上且沿第一方向延伸的固定导向杆；门板通过连接组件与多根固定导向杆活动连接，且与晶圆清洗设备的侧壁平行设置；驱动组件...

本发明提供一种射频电源的校准方法、半导体工艺方法及设备，该方法包括：对于一个工艺步骤，获取该工艺步骤中上射频电源与下射频电源的共同激励锁相角度的设定值；根据预设的共同激励锁相角度的校准值对设定值进行校准，以确定共同激励锁相角度的实际值，...

本发明提供一种晶圆清洗设备及其晶圆定位装置、晶圆定位方法，晶圆定位装置用于对边缘设有定位部的晶圆进行定位，包括密封腔体、密封盖、承载组件、定位组件和导向组件，密封盖可开合的设置在密封腔体上，承载组件可转动的设置在密封腔体内，用于承载晶圆...

本发明提供一种晶圆传输系统，包括晶圆托盘、晶圆分离组件，晶圆托盘包括托盘本体和中心托盘，托盘本体的中心形成有沿厚度方向贯穿托盘本体的托盘孔，中心托盘设置在托盘孔中，搭接在托盘本体上；晶圆分离组件包括托盘支撑机构、顶升机构，托盘支撑机构用...

本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备，其中加热装置设置于半导体工艺腔室上方，该加热装置包括：多个加热元件，多个加热元件在同一平面上；反射屏组件，设置于加热元件的上方，反射屏组件用于将加热元件朝向反射屏组件发出的光进行...

本发明公开一种晶圆刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽；氧化刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面；沉积步骤，在光滑的沉积表面沉积聚合...