一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备，其中加热装置设置于半导体工艺腔室上方，该加热装置包括：多个加热元件，多个加热元件在同一平面上；反射屏组件，设置于加热元件的上方，反射屏组件用于将加热元件朝向反射屏组件发出的光进行反射后照向工艺腔室，反射屏组件包括固定部和可动部；调整机构，调整机构与可动部连接，且调整机构能够调整可动部与加热元件之间的相对位置，以调节半导体工艺腔室中不同区域位置的温度。本发明专利技术提高了温场的温度可调性，调节待加工件不同区域的温度，从而能够使温场的温度更均匀，或在温场的不同区域实现不同的温度，实现不同电阻率需求的外延片的制作。阻率需求的外延片的制作。阻率需求的外延片的制作。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，更具体地，涉及一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积外延生长是将反应气体输送到反应腔，通过加热等方式，使之反应，生长原子沉积在衬底上，长出单晶层。加热系统在硅外延设备中起着极为重要的作用，加热系统主要由红外卤素加热灯和反射屏组成，加热灯发射的红外线通过反射屏的反射作用，照射石墨托盘，对托盘上的晶圆加热，以生长一层外延层。
[0003]现有加热系统中，上反射屏整体为一个圆环型结构，上反射屏分为倾斜和平坦两种区域，其中平坦区反射灯管光到外延层的外区(外区为外延层距离外延层中心较远的区域)，倾斜区反射灯管光到外延层的内区(内区为外延层靠近外延层中心的区域)。上反射屏通过固定螺钉固定到外罩上，上反射屏的下方为加热灯。此种上反射屏通过固定螺钉安装之后位置固定，一旦灯管功率固定后，无法对外延层的各个区域的温度进一步调节，使外延层各区域温度不均或对不同区域设定不同的温度，导致一些特定电阻率需求的外延片无法制作。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述加热装置设置于所述半导体工艺腔室上方，所述加热装置包括：多个加热元件，所述多个加热元件在同一平面上；反射屏组件，设置于所述加热元件的上方，所述反射屏组件用于将所述加热元件朝向所述反射屏组件发出的光进行反射后照向所述工艺腔室，所述反射屏组件包括固定部和可动部；调整机构，所述调整机构与所述可动部连接，且所述调整机构能够调整所述可动部与所述加热元件之间的相对位置，以调节所述半导体工艺腔室中不同区域位置的温度。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述可动部位于所述固定部的下方，且所述可动部通过所述调整机构连接于所述固定部。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述可动部具有第一表面和第二表面，所述第一表面用于与所述固定部连接，所述第二表面朝向多个所述加热元件所在的平面设置；所述调整机构用于调节所述第一表面与多个所述加热元件所在的平面之间的夹角大小，和/或，所述调整机构用于调节所述第二表面与多个所述加热元件所在的平面之间的距离。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述第二表面包括至少一个子表面，每个所述子表面的纵向剖面均呈V形，且所述V形开口朝向多个所述加热元件所在的平面设置。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述加热元件为加热灯管，多个所述加热灯管呈环状分布，且每个所述子表面下方设置有一个所述加热元件，所述V形的尖角所在的直线平行于位于所述子表面下方的所述加热灯管的长度方向。6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏俊涵，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：