本发明专利技术提供一种半导体设备的点火装置及半导体设备，进气管组与点火腔室的进气口连通，用于向点火腔室内同时分别输送第一气体和第二气体；加热组件设置在进气管组上，用于加热第一气体和第二气体，使第一气体和第二气体在点火腔室内燃烧产生反应气体；反应气体管的进气端口与点火腔室的出气口连通，出气端口能够与工艺腔室的进气口连通，用于将反应气体输送向工艺腔室；稀释气体管路与反应气体管相互隔绝，并能够与工艺腔室的进气口连通，用于向工艺腔室内输送稀释气体，对输送至工艺腔室内的反应气体进行稀释。本发明专利技术提供的半导体设备的点火装置及半导体设备，能够避免冷凝水进入工艺腔室，从而减少半导体工艺产品的颗粒数量，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。
【技术实现步骤摘要】
半导体设备的点火装置及半导体设备
[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种半导体设备的点火装置及半导体设备。
技术介绍
[0002]湿氧(Wet Oxide)工艺是利用氢气和氧气燃烧产生的水蒸气与晶圆反应，在晶圆表面生成二氧化硅膜的一种工艺。在湿氧工艺中，氢气和氧气分别通入点火装置，并在点火装置中燃烧产生水蒸气，水蒸气通过点火装置进入工艺腔室与晶圆反应。在一些湿氧工艺中，还需要向氢气和氧气燃烧后产生的水蒸气中通入氮气，对水蒸气进行稀释。
[0003]但是，在现有的需要向氢气和氧气燃烧后产生的水蒸气中通入氮气，对水蒸气进行稀释的湿氧工艺中，水蒸气可能会进入输送氮气的管路中，并且水蒸气可能会由于输送氮气的管路的温度较低而在输送氮气的管路中冷凝形成冷凝水，造成输送氮气的管路在向水蒸气中输送氮气时，可能会将冷凝于输送氮气的管路中的冷凝水带入至水蒸气中，并随水蒸气最终进入工艺腔室，从而造成晶圆表面生成的二氧化硅膜颗粒超标，导致产品良率较差。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备的点火装置及半导体设备，其能够避免冷凝水进入工艺腔室，从而减少半导体工艺产品的颗粒数量，提高产品良率。
[0005]为实现本专利技术的目的而提供一种半导体设备的点火装置，包括点火腔室、进气管组、加热组件、反应气体管和稀释气体管路，其中，所述进气管组与所述点火腔室的进气口连通，用于向所述点火腔室内同时分别输送第一气体和第二气体；所述加热组件设置在所述进气管组上，用于加热所述第一气体和所述第二气体，使所述第一气体和所述第二气体在所述点火腔室内燃烧产生反应气体；所述反应气体管的进气端口与所述点火腔室的出气口连通，所述反应气体管的出气端口能够与所述半导体设备的工艺腔室的进气口连通，用于将所述反应气体输送向所述工艺腔室；
[0006]所述稀释气体管路与所述反应气体管相互隔绝，并能够与所述工艺腔室的进气口连通，用于向所述工艺腔室内输送稀释气体，对输送至所述工艺腔室内的所述反应气体进行稀释。
[0007]可选的，所述稀释气体管路包括第一气源管和第一输气管，其中，所述第一气源管的出气端口与所述第一输气管的进气端口连通，用于向所述第一输气管内输送所述稀释气体；所述第一输气管环绕所述反应气体管设置，所述第一输气管的出气端口和所述反应气体管的出气端口用于共同与所述工艺腔室的进气口连通，分别向所述工艺腔室内输送所述稀释气体和所述反应气体。
[0008]可选的，所述第一输气管外套于所述反应气体管上，所述第一输气管的内周壁与
所述反应气体管的外周壁之间形成供所述稀释气体流入所述工艺腔室的输气通道；
[0009]所述第一输气管沿轴向的一端与所述点火腔室的侧壁密封连接，所述第一输气管沿轴向的另一端用于和所述工艺腔室连通。
[0010]可选的，所述点火装置还包括匀气结构，所述匀气结构设置在所述第一输气管的出气端口，用于使经过所述输气通道的所述稀释气体，均匀的通过所述第一输气管的出气端口进入所述工艺腔室内。
[0011]可选的，所述匀气结构包括呈环状的匀气板，所述匀气板上设有匀气孔组，所述匀气板的内环壁与所述反应气体管的外壁密封配合，所述匀气板的外环壁与所述第一输气管的内壁密封配合。
[0012]可选的，所述匀气孔组包括多个匀气孔，多个所述匀气孔沿所述输气通道的周向均匀间隔分布。
[0013]可选的，所述匀气孔组的数量为多个，不同所述匀气孔组中的多个所述匀气孔所处的圆周的半径不同。
[0014]可选的，所述稀释气体管路还包括第一管接头，所述第一气源管的出气端口通过所述第一管接头与所述第一输气管的进气端口连接，且所述第一管接头位于所述第一输气管的预设位置，所述预设位置满足在半导体工艺中所述预设位置的温度小于或等于所述第一管接头的耐温温度。
[0015]可选的，所述第一管接头的材质包括可溶性聚四氟乙烯。
[0016]可选的，所述第一气体包括氢气，所述第二气体包括氧气，所述反应气体包括水蒸气。
[0017]本专利技术还提供一种半导体设备，包括工艺腔室和如本专利技术提供的所述点火装置，所述点火装置与所述工艺腔室连通，用于向所述工艺腔室内输送所述反应气体和所述稀释气体，所述工艺腔室用于半导体工艺的进行。
[0018]本专利技术具有以下有益效果：
[0019]本专利技术提供的半导体设备的点火装置，通过使稀释气体管路与反应气体管相互隔绝，可以避免反应气体管在将反应气体输送至工艺腔室之前，反应气体进入稀释气体管路，这样在进行湿氧工艺时，就可以避免水蒸气进入稀释气体管路，并在稀释气体管路中冷凝形成冷凝水，从而避免稀释气体管路向工艺腔室内输送稀释气体时，稀释气体将冷凝于稀释气体管路中的冷凝水带入工艺腔室内，继而避免由于冷凝水进入工艺腔室，而导致的湿氧工艺制备的薄膜所产生的颗粒，进而能够减少半导体工艺产品的颗粒数量，提高产品良率。
[0020]本专利技术提供的半导体设备，借助本专利技术提供的半导体设备的点火装置，向工艺腔室内输送反应气体和稀释气体，能够避免冷凝水进入工艺腔室，从而减少半导体工艺产品的颗粒数量，提高产品良率。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例提供的半导体设备的点火装置的结构示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例提供的半导体设备的点火装置的一种匀气结构的图1中A部分的右视结构示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例提供的半导体设备的点火装置的一种匀气结构的图1中A部分的截面结构示意图；
[0024]图4为本专利技术实施例提供的半导体设备的点火装置的另一种匀气结构的图1中A部分的截面结构示意图；
[0025]图5为本专利技术实施例提供的半导体设备的点火装置及半导体设备的结构示意图；
[0026]附图标记说明：
[0027]1‑
点火腔室；2
‑
进气管组；21
‑
第一气体管路；211
‑
第二气源管；212
‑
第二管接头；213
‑
第二输气管；22
‑
第二气体管路；221
‑
第三气源管；222
‑
第三管接头；223
‑
第三输气管；23
‑
气体通道；3
‑
加热组件；31
‑
加热管；32
‑
加热件；4
‑
反应气体管；5
‑
稀释气体管路；51
‑
第一气源管；52
‑
第一管接头；53
‑
第一输气管；54
‑
输气通道；6
‑
匀气结构；61
‑
匀气板；62
‑
匀气孔；63
‑
反应气体出气口；7
‑
工艺腔室；71
‑
腔室本体；72<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的点火装置，其特征在于，包括点火腔室、进气管组、加热组件、反应气体管和稀释气体管路，其中，所述进气管组与所述点火腔室的进气口连通，用于向所述点火腔室内同时分别输送第一气体和第二气体；所述加热组件设置在所述进气管组上，用于加热所述第一气体和所述第二气体，使所述第一气体和所述第二气体在所述点火腔室内燃烧产生反应气体；所述反应气体管的进气端口与所述点火腔室的出气口连通，所述反应气体管的出气端口能够与所述半导体设备的工艺腔室的进气口连通，用于将所述反应气体输送向所述工艺腔室；所述稀释气体管路与所述反应气体管相互隔绝，并能够与所述工艺腔室的进气口连通，用于向所述工艺腔室内输送稀释气体，对输送至所述工艺腔室内的所述反应气体进行稀释。2.根据权利要求1所述的半导体设备的点火装置，其特征在于，所述稀释气体管路包括第一气源管和第一输气管，其中，所述第一气源管的出气端口与所述第一输气管的进气端口连通，用于向所述第一输气管内输送所述稀释气体；所述第一输气管环绕所述反应气体管设置，所述第一输气管的出气端口和所述反应气体管的出气端口用于共同与所述工艺腔室的进气口连通，分别向所述工艺腔室内输送所述稀释气体和所述反应气体。3.根据权利要求2所述的半导体设备的点火装置，其特征在于，所述第一输气管外套于所述反应气体管上，所述第一输气管的内周壁与所述反应气体管的外周壁之间形成供所述稀释气体流入所述工艺腔室的输气通道；所述第一输气管沿轴向的一端与所述点火腔室的侧壁密封连接，所述第一输气管沿轴向的另一端用于和所述工艺腔室连通。4.根据权利要求3所述的半导体设备的点火装置，其特征在于，所述点火装置还包括匀气结构，所述匀气结构设置在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴艳华，孙妍，刘科学，李元志，周文飞，姚晶，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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